公开(公告)号：CN222420602U

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202420942926.1

申请日：2024-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢致昕 ,  林佳加 ,  钱清河 ,  蔡仲豪 ,  王垂堂 ,  余振华

IPC: G02B6/42

Abstract: 一种封装体结构，包括具有前侧表面及背侧表面的基底，以及形成于基底的前侧表面上的一电子装置。封装体结构包括形成于基底的背侧表面下方并与之直接接触的介电层，以及形成于介电层内的一第一光学装置。封装体结构也包括形成在第一光学装置下方或上方的一保护层以及形成于保护层内的一光电效应材料层。

公开(公告)号：CN222105684U

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202420657575.X

申请日：2024-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢致昕 ,  林佳加 ,  蔡仲豪 ,  王垂堂 ,  余振华

IPC: G02B6/12

Abstract: 一种光子集成电路装置，包括：一基板；一波导，位于该基板上；以及一光学谐振器，位于该基板上；其中该光学谐振器渐逝耦合至一光子集成电路中的该波导；以及该波导与该光学谐振器在基板上的高度不同。

公开(公告)号：CN221426910U

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202322873851.4

申请日：2023-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢致昕 ,  钱清河 ,  蔡仲豪 ,  余振华 ,  王垂堂

IPC: G02B6/42 ,  H01L27/14 ,  H01L31/08

Abstract: 本公开提供一种半导体装置。上述半导体装置包括位于基板上方的波导管；以及位于波导管上方的光子装置，其中光子装置包括至少一个低维度材料层，至少一个低维度材料层电性耦接至导电接点，并且光学地耦接至波导管。

公开(公告)号：CN222421987U

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202420902449.6

申请日：2024-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林佳加 ,  卢致昕 ,  蔡仲豪 ,  夏兴国 ,  王垂堂 ,  余振华

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/48

Abstract: 一种封装结构，包括中介层、控制单元、多个运算单元、信号传输层以及光电材料。控制单元接合到中介层，运算单元设置于控制单元周围并连接至控制单元。信号传输层形成于控制单元和运算单元中，光电材料形成于控制单元与运算单元内，且光电材料与信号传输层重叠。

公开(公告)号：CN221447166U

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202322458885.7

申请日：2023-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 詹兆凯 ,  蔡仲豪 ,  王垂堂 ,  陈韦廷

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L23/64

Abstract: 本实用新型实施例的各种实施例涉及一种半导体装置，其包括：晶体管，设置于衬底的第一侧处；第一介电层，设置于所述衬底的所述第一侧处且位于所述晶体管旁边；第一金属通孔，穿透过所述第一介电层且位于所述晶体管旁边；第一内连线结构，设置于所述衬底的所述第一侧之上且电性连接至所述晶体管及所述第一金属通孔；电容器，位于所述衬底的与所述第一侧相对的第二侧处；第二介电层，设置于所述电容器旁边；第二金属通孔，穿透过所述第二介电层及所述衬底且着陆于所述第一金属通孔上；以及第二内连线结构，设置于所述衬底的所述第二侧之上且电性连接至所述电容器及所述第二金属通孔。

公开(公告)号：CN221010623U

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202322461790.0

申请日：2023-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡仲豪 ,  陈韦廷 ,  余振华 ,  王奕 ,  王垂堂

IPC: H10B10/00

Abstract: 一种半导体装置，包括第一存储器裸片，包括电性耦接到第一字元线的第一存储器单元、电性耦接到第一字元线的第二存储器单元以及电性耦接到第一字元线的第一内连线结构。半导体装置包括电路裸片，电路裸片包括第二内连线结构，第一内连线结构的第一导电特征通过金属对金属接合来接合到第二内连线结构的第二导电特征。电路裸片包括字元线驱动器，电性耦接到第一存储器单元和第二存储器单元之间的第一字元线，且通过第一内连线结构和第二内连线结构电性耦接到第一字元线。