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公开(公告)号：CN108169255A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201611120598.3
申请日：2016-12-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种用于利用多能谱X射线成像系统对待测物品进行物质识别的方法，包括：获得所述待测物品在N个能区中的透明度值组成的透明度相关向量，其中N大于2；计算所述透明度相关向量与所述系统中存储的多种物品在多种厚度的情况下在所述N个能区中的N个透明度均值组成的透明度相关向量之间的距离；以及将所述待测物品识别为与最小距离相对应的物品。本发明基于多能谱X射线成像系统，通过对多能谱物质识别问题的分析，提出了一种物质识别的方法。相对传统双能X射线系统，多能谱成像理论上可以显著提高系统的物质识别能力，特别是在安检应用领域，物质识别能力的提升对于毒品爆炸物等违禁品的查验具有重要意义。
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公开(公告)号：CN106847958A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611143007.4
申请日：2016-12-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/109
Abstract: 公开了光电二极管器件及光电二极管探测器。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：第一类型轻掺杂的半导体基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；设于半导体基板的第一表面上的第一类型重掺杂的第一电极区域；以及设于半导体基板的第二表面上的第二类型重掺杂的第二电极区域，其中，第一表面为光入射面。
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公开(公告)号：CN106249269A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610797083.0
申请日：2016-08-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/00
CPC classification number: G01T1/24 , G01T1/241 , H01L31/02005 , H01L31/0224 , H01L31/02966 , H01L31/115 , H01L31/119 , H05K1/0233 , H05K1/028 , H05K1/115 , H05K1/181 , H05K2201/10151 , H05K2201/10287 , H05K2201/10522
Abstract: 本发明提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括：探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极；场增强电极，用于向探测器晶体施加电压；绝缘材料，设置于所述场增强电极和所述探测器晶体表面之间。所述半导体探测器还包括场增强电极电路板，所述增强电极电路板具有与探测器晶体表面接触的底部连接层和与所述底部连接层相对的顶层，其中所述顶层连接半导体探测器的高压输入，所述底部连接层与所述探测器晶体的探测器表面之间存在绝缘材料。
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公开(公告)号：CN106249270B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201610798761.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/00
Abstract: 公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面；设置于第一侧面上的阴极；以及设置于第二侧面上的阳极，其中，阳极包括限定半导体探测器的探测像素的像素阳极阵列以及设置于相邻的像素阳极之间的中间阳极。根据本公开的实施例，可以实现信号修正，提高探测器的能量分辨率和信噪比。
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公开(公告)号：CN108169255B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201611120598.3
申请日：2016-12-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种用于利用多能谱X射线成像系统对待测物品进行物质识别的方法，包括：获得所述待测物品在N个能区中的透明度值组成的透明度相关向量，其中N大于2；计算所述透明度相关向量与所述系统中存储的多种物品在多种厚度的情况下在所述N个能区中的N个透明度均值组成的透明度相关向量之间的距离；以及将所述待测物品识别为与最小距离相对应的物品。本发明基于多能谱X射线成像系统，通过对多能谱物质识别问题的分析，提出了一种物质识别的方法。相对传统双能X射线系统，多能谱成像理论上可以显著提高系统的物质识别能力，特别是在安检应用领域，物质识别能力的提升对于毒品爆炸物等违禁品的查验具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106847958B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201611143007.4
申请日：2016-12-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109
Abstract: 公开了光电二极管器件及光电二极管探测器。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：第一类型轻掺杂的半导体基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；设于半导体基板的第一表面上的第一类型重掺杂的第一电极区域；以及设于半导体基板的第二表面上的第二类型重掺杂的第二电极区域，其中，第一表面为光入射面。
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公开(公告)号：CN108181326A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201611159090.4
申请日：2016-12-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种用于利用多能谱X射线成像系统对待测物品进行物质识别的方法，包括：获得所述待测物品在N个能区中的透明度值组成的透明度相关向量，其中N大于2；计算所述透明度相关向量与所述系统中存储的多种物品在多种厚度的情况下在所述N个能区中的N个透明度均值组成的透明度相关向量之间的距离；以及将所述待测物品识别为与最小距离相对应的物品。本发明基于多能谱X射线成像系统，通过对多能谱物质识别问题的分析，提出了一种物质识别的方法。相对传统双能X射线系统，多能谱成像理论上可以显著提高系统的物质识别能力，特别是在安检应用领域，物质识别能力的提升对于毒品爆炸物等违禁品的查验具有重要意义。
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公开(公告)号：CN108169256A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201611121287.9
申请日：2016-12-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
CPC classification number: A61B6/482 , A61B6/02 , A61B6/06 , A61B6/4014 , A61B6/4241 , G01V5/0041
Abstract: 本发明提供了一种用于利用多能谱X射线成像系统识别物品的方法和一种用于识别物品的多能谱X射线成像系统，所述方法包括：识别所述物品的应用场景和/或先验信息；根据所识别的应用场景和/或先验信息从所述多能谱X射线成像系统中存储的多个参数模式中选择适合于所述物品的参数模式；以及利用所选择的参数模式来识别所述物品；其中，所述多个参数模式是通过针对各种物品使用训练样本库在特定条件下对所述多能谱X射线成像系统的系统参数进行优化而获得的。本发明提出的多能谱X射线成像系统使得多能谱成像系统能够适应各种不同的应用场景并且实现系统性能与开销之间的平衡。
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公开(公告)号：CN105448945A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201511010038.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种同面电极光电二极管阵列及其制作方法。在低电阻率衬底，高电阻率外延类型的外延硅片的顶侧，形成第一导电类型重掺杂区域和第二导电类型掺杂区域，分别为光电二极管的阴极和阳极。该结构包括在阳极和阴极之间形成的沟槽结构，该沟槽结构可由空隙、绝缘材料、传导结构、反射材料和离子注入构成；也可以包括在阳极和阴极下方形成第一导电类型重掺杂区域、绝缘隔离层或带绝缘层的传导结构等。
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公开(公告)号：CN102401906A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010288195.6
申请日：2010-09-19
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/24 , H04N5/32 , H01L27/146
CPC classification number: G01T1/247 , G01T1/241 , H01L27/14609 , H01L27/14632 , H01L27/14659 , H01L27/14676
Abstract: 本申请公开了一种辐射探测器及其成像装置、电极结构和获取图像的方法。该辐射探测器包括辐射敏感薄膜、位于辐射敏感薄膜上的顶部电极、以及与辐射敏感薄膜电耦合的像素单元的阵列，其中每一个像素单元包括；像素电极，用于收集辐射敏感薄膜的一个像素区域中的电荷信号；储存电容，用于储存像素电极所收集的电荷信号；复位晶体管，用于清空储存电容中的电荷；缓冲晶体管，用于将像素电极上的电荷信号转换成电压信号并传送到信号线上；列选通晶体管以及行选通晶体管，其中，列选通晶体管和行选通晶体管串联连接在缓冲晶体管和信号线之间，并响应列选通信号和行选通信号传送相应的像素单元的电压信号。该辐射探测器可用于例如X射线数字成像。
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