一种高分辨力石墨烯异质结气压传感器

    公开(公告)号:CN115683440B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202211444804.1

    申请日:2022-11-18

    IPC分类号: G01L9/00

    摘要: 本发明是一种高分辨力石墨烯异质结气压传感器。本发明涉及压力传感器设计技术领域,本发明利用石墨烯/六方氮化硼/石墨烯(G/h‑BN/G)垂直异质结薄膜作为承压隔膜,传感器衬底上具有微纳米级阵列化凹腔结构,在气压的作用下,可使G/h‑BN/G薄膜产生局域化内应力,G/h‑BN/G薄膜局域化内应力将改变垂直异质结薄膜的能带结构,使上下两层石墨烯之间的隧道电流产生变化,从而反映外部气压的变化。所述的石墨烯异质结气压传感器的原理是基于隧道效应的。所述的传石墨烯异质结气压感器隧道电流对异质结所受的内应力极度敏感,因此,可以实现传感器对气压高分辨力的检测。

    一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法

    公开(公告)号:CN116219550B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310413511.5

    申请日:2023-04-18

    IPC分类号: C30B29/46 C30B7/10

    摘要: 本发明涉及硒氧化铋薄膜制备领域,更具体的说是一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法,使用水热法制备二维Bi2O2Se,步骤一:将铋盐溶于加入氢氧化钠的水溶液中,加入硝酸钾和硝酸锂形成溶液A,步骤二:在氢氧化钠溶液中加入水合肼,将硒粉溶于其中后形成溶液B,步骤三:将溶液A和溶液B进行混合,转移至聚四氟乙烯内衬中,步骤四:将准备好的衬底放入装有A和B混合溶液的内衬中,装入反应釜;步骤五:将反应釜放入烘箱,调节温度与时间,步骤六:反应完成后,取出衬底,使用乙醇、去离子水洗涤,氩气吹干,可以使用简单方法,绿色安全的批量生产Bi2O2Se。

    一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法

    公开(公告)号:CN116219550A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310413511.5

    申请日:2023-04-18

    IPC分类号: C30B29/46 C30B7/10

    摘要: 本发明涉及硒氧化铋薄膜制备领域,更具体的说是一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法,使用水热法制备二维Bi2O2Se,步骤一:将铋盐溶于加入氢氧化钠的水溶液中,加入硝酸钾和硝酸锂形成溶液A,步骤二:在氢氧化钠溶液中加入水合肼,将硒粉溶于其中后形成溶液B,步骤三:将溶液A和溶液B进行混合,转移至聚四氟乙烯内衬中,步骤四:将准备好的衬底放入装有A和B混合溶液的内衬中,装入反应釜;步骤五:将反应釜放入烘箱,调节温度与时间,步骤六:反应完成后,取出衬底,使用乙醇、去离子水洗涤,氩气吹干,可以使用简单方法,绿色安全的批量生产Bi2O2Se。

    一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法

    公开(公告)号:CN115787094A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202210955942.X

    申请日:2022-08-10

    IPC分类号: C30B29/46 C30B23/02 C30B23/06

    摘要: 本发明涉及一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法,包括如下步骤:步骤一、以铋氧硒固体粉末为生长原材料,硒化铋片为辅助材料,生长时将所述生长原材料置于管式炉中心,辅助材料置于生长原材料上游,基底置于下游;步骤二、先向管式炉内通入初始气流量并对基底进行加热,移动炉子加热生长原材料,调节气流量,使用低流量进行形核,达到预设沉积温度后,再使用大气流量在所述沉积温度下保温生长,沉积完毕后,得到层状铋氧硒半导体薄膜。本发明提供的气流量调控硒化铋辅助生长法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法是一种可控制备大面积层状铋氧硒半导体薄膜的方法,在较低温下使用较低的气流量,可以减少形核,更利于生长。

    一种高分辨力石墨烯异质结气压传感器

    公开(公告)号:CN115683440A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211444804.1

    申请日:2022-11-18

    IPC分类号: G01L9/00

    摘要: 本发明是一种高分辨力石墨烯异质结气压传感器。本发明涉及压力传感器设计技术领域,本发明利用石墨烯/六方氮化硼/石墨烯(G/h‑BN/G)垂直异质结薄膜作为承压隔膜,传感器衬底上具有微纳米级阵列化凹腔结构,在气压的作用下,可使G/h‑BN/G薄膜产生局域化内应力,G/h‑BN/G薄膜局域化内应力将改变垂直异质结薄膜的能带结构,使上下两层石墨烯之间的隧道电流产生变化,从而反映外部气压的变化。所述的石墨烯异质结气压传感器的原理是基于隧道效应的。所述的传石墨烯异质结气压感器隧道电流对异质结所受的内应力极度敏感,因此,可以实现传感器对气压高分辨力的检测。

    基于梯度弹性模量的大响应范围、高灵敏触觉传感器

    公开(公告)号:CN112213004A

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN202011082973.6

    申请日:2020-10-12

    发明人: 胡平安 王帅 张甲

    IPC分类号: G01L1/18

    摘要: 本发明涉及基于梯度弹性模量的大响应范围、高灵敏触觉传感器,由封装层、柔性衬底/电极、梯度孔结构压阻层构成。灵敏度和响应范围作为触觉传感器最重要的两个指标,改善这两个指标一直都是触觉传感领域的研究热点,因为高灵敏度和大响应范围触觉传感器可以使机器人实现多场景精准感知,这一目标的实现将大大简化机器人传感设备,为机器人轻型化制备提供有利条件。但由于同时改善这两个指标的条件是相矛盾的,导致这一目标始终没有得到有效地进展。为了这一目标,本发明通过构建具有梯度弹性模量的梯度孔结构,实现了大响应范围、高灵敏度及快响应时间触觉传感器的制备。提供了一种适用于机器人多场景精准感知的新型结构触觉传感器制备方法。

    一种超疏水表面减阻性能的测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN111458267A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN201910059413.X

    申请日:2019-01-22

    IPC分类号: G01N13/00

    摘要: 本发明提出了一种超疏水表面减阻性能的测试装置及测试方法,属于表面减阻性能测试技术领域,特别是涉及一种超疏水表面减阻性能的测试装置及测试方法。解决了现有超疏水表面的减阻性能测试准确度低、使用受限、成本高、测试过程复杂及温度特性差的问题。它包括水箱、测试流道机构、摩擦阻力检测机构和数据处理机构,所述测试流道机构由水流管路将水箱出口、水泵、节流阀、流量计和喷管依次相连组成,摩擦阻力检测机构包括弹性单元、杠杆、铰链和位移传感器,所述位移传感器与数据处理机构通信连接。它主要用于超疏水表面减阻性能的测试。

    一种形状记忆合金径向梯度薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111041421A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201911395862.8

    申请日:2019-12-30

    发明人: 王振龙 王振 张甲

    摘要: 本发明公开了一种形状记忆合金径向梯度薄膜及其制备方法,属于功能梯度形状记忆合金薄膜领域。本发明要解决狭小空间中需要薄膜具备微小型、高致密性的技术问题。本发明方法:一、Si片依次用去离子水、丙酮、无水乙醇超声清洗;二、通过光刻技术将设计的图形转移到步骤一处理后的Si片上,保证Si片凹槽深度是薄膜单层厚度的奇数倍;三、采用双靶溅射的方式,在惰性气体保护下将Ti和Ni交替溅射到步骤二处理后的Si基片上,磨平;四、然后旋涂PMMA,再置于HF溶液中去除Si片,将突出部分磨平;五、然后置于丙酮溶液中去除PMMA;六、重结晶退火。本发明应用于生物医疗、航空航天等领域,传统记忆合金一般会实现单方向的弯曲,径向梯度薄膜可以实现多方向的弯曲。