一种作为电子封装钎焊界面扩散阻挡层的Ni-Cu-P非晶合金镀层的化学镀制备工艺

    公开(公告)号:CN117286480A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311224401.0

    申请日:2023-09-21

    IPC分类号: C23C18/18 C23C18/36

    摘要: 一种作为电子封装钎焊界面扩散阻挡层的Ni‑Cu‑P非晶合金镀层的化学镀制备工艺,工艺参数:电压0.5‑4V,激活时间1s‑5min。镀液组成:六水合硫酸镍、五水合硫酸铜、二水合柠檬酸三钠、丁二酸、十二烷基硫酸钠、糖精钠、硫脲、醋酸铵、次亚磷酸钠,pH为4‑8。镀层成分按原子百分比为:Ni,55%‑93%;Cu,2%‑20%;P,5%‑25%,厚度为1‑50μm。本发明的化学镀温度低,镀液稳定;工艺简单易操作,得到不同Cu含量非晶Ni‑Cu‑P镀层;镀层表面宏观上展现出镜面光亮效果,微观上平整、致密、无明显气孔;与Sn基钎料进行钎焊,表现出比Ni‑P镀层更好的润湿性与更强的扩散阻挡性能。

    可低温焊接的高可靠性核壳型复合钎料的制备方法

    公开(公告)号:CN117123966A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202311247055.8

    申请日:2023-09-26

    IPC分类号: B23K35/26 B23K35/40

    摘要: 本发明公开了一种可低温焊接的高可靠性核壳型复合钎料的制备方法,属于电子元器件的焊接材料技术领域。本核壳型复合钎料是由Sn基钎料焊粉通过滚镀的方式在其表面电镀系列Sn‑Bi低温合金镀层制作而成。本核壳型复合钎料粉通过改变“内核”常用Sn基钎料的种类和尺寸来电镀外壳为系列Sn‑x Bi低温钎料合金镀层来批量生产不同尺寸、不同种类的核壳型复合钎料粉和复合BGA钎料焊球,该复合钎料粉适用于低温回流耐高温服役的焊膏的制备,复合BGA钎料焊球可直接用于低温回流高温服役的钎料焊球,极大的改善了现阶段复合钎料的种类和使用性,提高焊接的可靠性。相比传统的熔铸法制备的合金钎料,本方法工艺简单,成本低且易于操作。

    一种无损确定乙烯裂解炉管自定义渗碳区厚度的方法

    公开(公告)号:CN112710268A

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN202011543346.8

    申请日:2020-12-23

    摘要: 一种无损确定乙烯裂解炉管自定义渗碳区厚度的方法,根据实验数据拟合渗碳时间‑炉管内表面碳含量关系曲线,设置渗碳时间制作不同内表面碳含量的炉管样品,测量各样品截面碳含量得到炉管样品截面碳含量曲线。测量不同内表面碳含量炉管的外表面残余应力,分别测量炉管截面上不同碳含量的点与炉管内壁的距离得到残余应力‑碳含量‑渗碳区厚度曲线。测量实际服役炉管外表面残余应力,设定渗碳区厚度测量起始点的碳含量,根据残余应力‑碳含量‑渗碳区厚度曲线确定自定义渗碳区厚度。本发明不破坏待评炉管的完整性,可自行设定测量起始点碳含量,通过曲线确定炉管渗碳区厚度,避免现有测量方法影响因素多、测量结果准确性差、渗碳层界定不明确、现场实施效率低的问题。

    一种高温炉管蠕变损伤级别智能评定方法

    公开(公告)号:CN112162035A

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN202010903123.1

    申请日:2020-09-01

    摘要: 本发明提供一种高温炉管蠕变损伤级别智能评定方法,属于无损评价技术领域。利用高温炉管超声检测系统对炉管两个迎火面进行检测,得到峰值曲线和蠕胀曲线,根据相关理论知识和多年的实践经验,提出高温炉管蠕变损伤级别智能评定算法,根据高温炉管蠕变损伤级别智能评定系统,首先根据峰值曲线中波形幅值的高低对相应的数据单元进行初步评级,然后结合波形的形态及连续性特征,对该数据单元进行优化评级,再结合蠕胀曲线标定焊缝位置后对该数据单元进行确认评级,最后将各数据单元级别进行连通后完成综合评级。本发明在极大提高评定效率的同时,能够避免了人为因素的影响,评定过程快速统一,评定结果客观准确。

    一种全金属间化合物窄间距微焊点的制备方法及结构

    公开(公告)号:CN106735663B

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201710030468.9

    申请日:2017-01-17

    IPC分类号: B23K1/00 B23K3/00 B23K101/40

    摘要: 本发明提供一种全金属间化合物窄间距微焊点的制备方法及结构,在芯片上制备至少一个第一金属焊盘和钎料凸点或钎料层,在载板上制备至少一个第二金属焊盘和可焊层;在可焊层的表面涂覆焊剂;将钎料凸点或钎料层和可焊层对准放置后加热,钎焊回流,使第一金属焊盘温度低于第二金属焊盘温度,钎料凸点或钎料层熔化后全部转变为三元金属间化合物。本发明选取Cu和Ni作为金属焊盘,在温度梯度作用下,Cu‑Ni形成的耦合作用,会同时加速金属间化合物在第一和第二金属焊盘上的生长,提高金属间化合物总的生长速率;具有择优取向的Cu‑Sn‑Ni三元金属间化合物,能够提高微焊点的可靠性和力学性能;与现有半导体及封装工艺兼容性好,工艺简单,实现低温互连高温服役。

    HP型制氢炉炉管的组织劣化程度监测方法及装置

    公开(公告)号:CN104390980B

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201410745958.3

    申请日:2014-12-09

    IPC分类号: G01N21/84 G01N1/32

    摘要: 本发明提供了一种HP型制氢炉炉管的组织劣化程度监测方法及装置,涉及石油炼油技术领域,所述方法包括:根据预先设置的监测时间定时获取HP型制氢炉炉管的金相组织图片;将所述金相组织图片与预先存储的样本图片进行比对,确定所述金相组织图片对应的HP型制氢炉炉管的组织劣化程度;根据所述组织劣化程度确定所述HP型制氢炉炉管的剩余使用寿命。本发明能够解决当前对一个较长周期的炉管损伤状态无法及时跟踪,且难以确定炉管的剩余寿命的问题。

    倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构

    公开(公告)号:CN104716058B

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201510068044.2

    申请日:2015-02-09

    摘要: 一种倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构,在芯片上制备第一金属焊盘、第一可焊层和钎料凸点,在基板上制备第二金属焊盘和第二可焊层,在第二可焊层的表面涂覆焊剂,将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置,形成一个组合体,对该组合体加热至所需温度下进行钎焊回流,在第一金属焊盘和第二金属焊盘之间形成温度梯度ΔT/Δd,直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物。本发明在钎焊回流时形成温度梯度,加速了金属间化合物的生长速率,提高了全金属间化合物互连焊点的制备效率;与半导体和封装技术工艺兼容性好,金属间化合物具有择优取向和热稳定性,提高了焊点的力学性能和服役可靠性,实现低温互连高温服役。

    一种电子封装微焊点的制备方法

    公开(公告)号:CN106513890A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201611024965.X

    申请日:2016-11-17

    IPC分类号: B23K1/00 B23K1/20

    CPC分类号: B23K1/0008 B23K1/20

    摘要: 本发明涉及一种电子封装微焊点的制备方法,包括:在第一基底上依次制备第一金属焊盘、第一可焊层和微凸点;在第二基底上依次制备第二金属焊盘和第二可焊层;将微凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置,形成一个组合体,选择所需的回流曲线对组合体进行钎焊回流,依次经历预热区、回流区和冷却区,在冷却区内使第一金属焊盘和第二金属焊盘之间形成温度梯度,至微凸点由液态全部转变为固态形成微焊点。本发明能够实现微焊点钎料基体中的Sn晶粒取向可调控,形成的单一择优取向微焊点,与半导体和封装技术工艺有良好的兼容性,具有良好的抗电迁移和热迁移可靠性,能够实现第一基底和第二基底之间的互连,提高微焊点或者具有以上材料组织及结构特征的器件的服役寿命。

    一种测定微电子封装焊点压缩蠕变性能的测试装置

    公开(公告)号:CN103528896B

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201310507405.X

    申请日:2013-10-24

    IPC分类号: G01N3/14 G01B11/16

    摘要: 一种测定微电子封装焊点压缩蠕变性能的测试装置,属于材料的力学性能测试领域。测试装置的装置主体包括环境箱、样品台、定位机构和加载机构,样品台的上半部设置在环境箱中,加载机构的载荷杆依次穿过支撑台面、样品台、试样和上压板,并与支撑盘固定连接,在载荷杆的下部设有砝码托盘。在试验时,由环境箱对试样提供实验温度,由加载机构对试样施加压应力载荷,用光学位移计机构或LVDT位移计机构记录测试中试样的位移变化量。该装置使试样定位精确、加载均匀,可提高实验的准确性。通过调整环境箱温度和加载砝码数量来模拟不同温度和压力载荷条件下微电子封装焊点的工作条件,得到相应工作条件下的蠕变数据,特别适合于生产中实际微电子产品测试的需要。

    倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构

    公开(公告)号:CN104716058A

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201510068044.2

    申请日:2015-02-09

    摘要: 一种倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构,在芯片上制备第一金属焊盘、第一可焊层和钎料凸点,在基板上制备第二金属焊盘和第二可焊层,在第二可焊层的表面涂覆焊剂,将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置,形成一个组合体,对该组合体加热至所需温度下进行钎焊回流,在第一金属焊盘和第二金属焊盘之间形成温度梯度ΔT/Δd,直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物。本发明在钎焊回流时形成温度梯度,加速了金属间化合物的生长速率,提高了全金属间化合物互连焊点的制备效率;与半导体和封装技术工艺兼容性好,金属间化合物具有择优取向和热稳定性,提高了焊点的力学性能和服役可靠性,实现低温互连高温服役。