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    一种发明亮红光的铱-铕双金属聚合物荧光粉的制备方法
    43.
    发明公开
    一种发明亮红光的铱-铕双金属聚合物荧光粉的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105801745A

    公开(公告)日：2016-07-27

    申请号：CN201610167598.2

    申请日：2016-03-23

    申请人： 太原理工大学

    发明人： 张爱琴 ,  侯哲寓 ,  贾虎生 ,  许并社 ,  杨亚敏 ,  赵希瑾

    IPC分类号： C08F220/14 ,  C09K11/06

    CPC分类号： C08F220/14 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/14

    摘要： 本发明涉及一种发明亮红光的铱?铕双金属聚合物荧光粉的制备方法，是针对发明亮红光铱?铕双金属聚合物制备难、纯度低、性能差的情况，采用铱?铕配合物、二甲基亚砜、甲基丙烯酸甲酯、无水甲醇和偶氮二异丁腈为原料，经配置溶液、合成聚合物、沉淀、洗涤、抽滤、真空冷冻干燥，制备成发明亮红光的铱?铕双金属聚合物荧光粉，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，制得的铱?铕双金属聚合物为粉体，粉体颗粒直径≤0.2μm，产物纯度好，达99.4％，色坐标为X＝0.627，Y＝0.331，发明亮红光，可与蓝、绿荧光粉合成白光荧光膜，是先进的发红光的铱?铕双金属聚合物荧光粉的快速制备方法，可在3D打印技术领域应用。

    一种LED外延结构及其制备方法
    44.
    发明公开
    一种LED外延结构及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN105742430A

    公开(公告)日：2016-07-06

    申请号：CN201610128773.7

    申请日：2016-03-07

    申请人： 太原理工大学

    发明人： 贾伟 ,  赵晨 ,  李天保 ,  余春燕 ,  许并社

    IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00 ,  B82Y40/00

    CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/22

    摘要： 本发明所述的一种LED外延结构，包括衬底，依次层叠形成在所述衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、双异质结层以及P型GaN层；还包括设置在所述N型GaN层与所述双异质结层之间的SiNx层，所述SiNx层形成有若干贯通的纳米孔洞。由于SiNx层具有纳米多孔结构，能有效降低双异质结层形成的有源区的位错密度，从而减少有源区的非辐射复合中心，提高所述LED外延结构的内量子效率。另外，原位生长的具有纳米多孔结构的SiNx层还能减小光的全反射损失，提高所述LED外延结构的出光效率。本发明所述LED外延结构的制备方法简单易实施，不但工艺成本低，而且能够有效保证产品良率。

    一种氧化亚铜纳米薄膜的快速制备方法
    45.
    发明公开
    一种氧化亚铜纳米薄膜的快速制备方法 无效 复审申请

    公开(公告)号：CN105696047A

    公开(公告)日：2016-06-22

    申请号：CN201610051812.8

    申请日：2016-01-26

    申请人： 太原理工大学

    发明人： 薛晋波 ,  申倩倩 ,  杨慧娟 ,  邵铭哲 ,  胡文岳 ,  贾虎生 ,  许并社

    IPC分类号： C25D9/04 ,  B82Y40/00

    CPC分类号： C25D9/04 ,  B82Y40/00

    摘要： 本发明涉及一种氧化亚铜纳米薄膜的快速制备方法，是根据氧化亚铜的结构特征，采用醋酸铜和乳酸做原料，十二烷基硫酸钠做表面修饰剂，去离子水做溶剂，氢氧化钠做pH碱性调节剂，采用电化学脉冲直流电解法制备氧化亚铜纳米薄膜，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，产物为黄色膜状，薄膜截面呈长方形，膜层厚度≤30nm，氧化亚铜纳米薄膜由颗粒组成，颗粒呈纳米球状，颗粒直径≤30nm，产物纯度达99.6％，与导电玻璃之间结合牢固，对紫外光和可见光有明显的吸收，在100W氙灯照射下产生240μA/cm2电流，可在太阳能发电，光伏产品中使用，是先进的氧化亚铜纳米薄膜的快速制备方法。

    一种包覆非晶丝的制备方法
    46.
    发明授权
    一种包覆非晶丝的制备方法 失效

    公开(公告)号：CN103938243B

    公开(公告)日：2016-06-08

    申请号：CN201410176169.2

    申请日：2014-04-29

    申请人： 太原理工大学

    发明人： 乔珺威 ,  任丽微 ,  杨慧君 ,  马胜国 ,  王永胜 ,  周禾丰 ,  许并社

    IPC分类号： C25D7/06 ,  C25D5/48 ,  C22F1/00

    摘要： 本发明公开了一种包覆非晶丝的制备方法，通过在非晶丝表面镀上晶体金属形成非晶体-晶体结构来提高构件的塑性。非晶丝在拉伸过程中塑性提高，其过程包括：第一步，制作出非晶丝；第二步，对试样表面进行处理；第三步，通过电镀的过程使非晶丝表面镀上一层金属晶体；第四步，将电镀铜的非晶丝经过电动轧机压轧。通过本发明制作出了非晶丝的复合材料，非晶丝在拉伸时产生加工硬化现象，产生了明显的塑性，而且并没有改变非晶丝原有的结构状态。

    一种二维异质结太阳能电池及其制备方法
    48.
    发明授权
    一种二维异质结太阳能电池及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104218114B

    公开(公告)日：2016-05-18

    申请号：CN201410433420.9

    申请日：2014-08-28

    申请人： 太原理工大学

    发明人： 章海霞 ,  高向华 ,  张华 ,  许并社 ,  余春燕 ,  贾伟 ,  马琼

    IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明属于新能源技术领域，涉及太阳能电池及其制备方法，具体为一种二维异质结太阳能电池及其制备方法。通过常压化学气相沉积法制备石墨烯、二维过渡金属硫化物薄膜，再将两种材料复合，通过金属电极引出，形成二维异质结太阳能电池。本发明具有结构简单、大面积、低成本和高效率的特点，其制备方法简单，制造成本低廉，在新能源技术领域具有潜在的应用价值。尤其可以获得柔性太阳能电池，预计比现有的硅太阳能电池具有更加广阔的应用价值。

    一种减少键合空洞的图形化方法
    49.
    发明授权
    一种减少键合空洞的图形化方法 失效

    公开(公告)号：CN103500708B

    公开(公告)日：2016-04-13

    申请号：CN201310453690.1

    申请日：2013-09-29

    申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 ,  太原理工大学

    发明人： 许并社 ,  关永莉 ,  徐小红 ,  李天保 ,  马淑芳 ,  韩蕊蕊 ,  贾虎生

    IPC分类号： H01L21/3205

    摘要： 本发明涉及半导体器件制造技术，具体是一种减少键合空洞的图形化方法。本发明解决了现有晶片键合技术易产生键合空洞和过大热应力的问题。一种减少键合空洞的图形化方法，该方法是采用如下步骤实现的：（1）选取GaAs衬底；在GaAs衬底上生长N-GaAs层；在N-GaAs层上生长量子阱层；在量子阱层上生长P-GaP层；（2）在P-GaP层上制作电流扩散层；（3）在电流扩散层上制作欧姆接触层；（4）采用光刻法在欧姆接触层上制作图形；（5）选取基板；在基板上制作材料键合层；（6）在材料键合层上制作材料反射层；（7）将材料反射层与欧姆接触层进行键合；（8）采用化学腐蚀法去掉GaAs衬底。本发明适用于半导体器件的制造。