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公开(公告)号：CN107658372A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710857617.9
申请日：2017-09-21
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 , 太原理工大学
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/44
摘要： 本发明提供一种深刻蚀切割道倒装LED芯片及制备方法、LED显示装置，属于LED芯片领域。包括：清洗LED外延片，外延片衬底上依次包括n-GaN层、量子阱层、p-AlGaN层、p-GaN层和p电极接触层；光刻外延片形成周期性分布的平台图形，得到LED芯片预设尺寸和形状、切割道及用于制备n电极的圆孔图案，刻蚀圆孔至n-GaN层；在p电极接触层上蒸镀ITO电流扩展层；深刻蚀切割道至衬底表面；在ITO电流扩展层上表面、外延片侧壁及圆孔内壁蒸镀SiO2钝化层，清洗圆孔底部和p电极接触层的SiO2钝化层；在圆孔内蒸镀n电极层，在n电极层上蒸镀反射层，在ITO电流扩展层上蒸镀p电极层；研磨减薄衬底，沿着切割道采用激光划片，用裂片机沿着切割道裂片。本发明增加了倒装结构LED芯片的抗静电水平。
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公开(公告)号：CN103500708B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310453690.1
申请日：2013-09-29
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 , 太原理工大学
IPC分类号： H01L21/3205
摘要： 本发明涉及半导体器件制造技术，具体是一种减少键合空洞的图形化方法。本发明解决了现有晶片键合技术易产生键合空洞和过大热应力的问题。一种减少键合空洞的图形化方法，该方法是采用如下步骤实现的：（1）选取GaAs衬底；在GaAs衬底上生长N-GaAs层；在N-GaAs层上生长量子阱层；在量子阱层上生长P-GaP层；（2）在P-GaP层上制作电流扩散层；（3）在电流扩散层上制作欧姆接触层；（4）采用光刻法在欧姆接触层上制作图形；（5）选取基板；在基板上制作材料键合层；（6）在材料键合层上制作材料反射层；（7）将材料反射层与欧姆接触层进行键合；（8）采用化学腐蚀法去掉GaAs衬底。本发明适用于半导体器件的制造。
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公开(公告)号：CN103500708A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310453690.1
申请日：2013-09-29
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 , 太原理工大学
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L24/83 , H01L2224/83191 , H01L2224/83194
摘要： 本发明涉及半导体器件制造技术，具体是一种减少键合空洞的图形化方法。本发明解决了现有晶片键合技术易产生键合空洞和过大热应力的问题。一种减少键合空洞的图形化方法，该方法是采用如下步骤实现的：（1）选取GaAs衬底；在GaAs衬底上生长N-GaAs层；在N-GaAs层上生长量子阱层；在量子阱层上生长P-GaP层；（2）在P-GaP层上制作电流扩散层；（3）在电流扩散层上制作欧姆接触层；（4）采用光刻法在欧姆接触层上制作图形；（5）选取基板；在基板上制作材料键合层；（6）在材料键合层上制作材料反射层；（7）将材料反射层与欧姆接触层进行键合；（8）采用化学腐蚀法去掉GaAs衬底。本发明适用于半导体器件的制造。
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公开(公告)号：CN104112809A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410299452.4
申请日：2014-06-26
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/483 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/647 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/0075
摘要： 本发明涉及一种倒装LED芯片及其封装方法，本发明涉及LED技术的相关领域，主要涉及倒装芯片、散热底座及基板。所述倒装LED芯片包括，依次叠加的透明衬底、N型GaN层、载流子复合层、P型GaN层。所述芯片的表面制作有N型电极、P型电极及将二者隔开的绝缘层。所述基板有多种材质制作的基板，所述基板含有金属连接点及与外部链接的电路。所述芯片电极可采用多种方式与基板金属连接点相连制成发光二极管，将此发光二极管放至涂有荧光粉的外壳中就得到了发光器件。本发明得到的发光器件具有功率高、散热效果好、优化封装工艺、节省生产成本等特点。
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公开(公告)号：CN111430512A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010241001.0
申请日：2020-03-31
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/306 , H01L33/22
摘要： 本发明提供了一种经过粗化的AlGaAs基LED的制备方法及LED，属于显示设备领域。本发明通过对扩膜处理后的LED芯片的侧壁和表面进行粗化处理，使得相对仅对表面进行粗化处理的方式，粗化后LED芯片的亮度提高了1～1.5倍；通过三种刻蚀液依次对LED芯片的侧壁和表面进行粗化处理，不仅能够在LED芯片的侧壁和表面形成非周期性的无规则图形，从而可以提高LED产品的亮度，而且使得粗化处理后LED芯片的表面呈中性，从而能够提高封装后产品的使用寿命。
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公开(公告)号：CN107516698A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710857620.0
申请日：2017-09-21
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
CPC分类号： H01L33/0062 , H01L33/48 , H01L33/60
摘要： 本发明提供一种GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置。包括：自下而上依次制备的GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N-GaAs层、量子阱层、P-GaAs层和P-GaP欧姆接触层；在P-GaP欧姆接触层上制备金属接触层；在金属接触层上制备尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸的键合图形；根据制备的键合图形采用湿法刻蚀工艺刻蚀切割道至N-GaAs层上表面；在基板上依次制备键合层和反射层，将已经制备好反射层和键合层的基板与经上步处理的外延片键合，键合温度为300～400℃，键合时间为200～300ms；采用化学湿法腐蚀工艺去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层；将上步处理后的外延片置于丙酮溶液中，在30～60℃下超声震荡，超声波频率为30～60MHZ，震荡时间3～8min，以将GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层震荡掉；本发明可提高产品良率。
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公开(公告)号：CN207409509U
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201721222895.9
申请日：2017-09-21
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 , 太原理工大学
摘要： 本实用新型提供一种倒装LED芯片及LED显示装置，属于LED芯片技术领域。所述倒装LED芯片包括：LED外延片，所述LED外延片由下至上依次包括p电极接触层、p-GaN层、p-AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN量子阱层、n-GaN层和衬底；多个从p电极接触层刻蚀至n-GaN层中间的圆孔，所述圆孔用于制备n电极；多个切割道，所述切割道从p电极接触层刻蚀至衬底下表面；设置于p电极接触层下表面的ITO电流扩展层；设置于ITO电流扩展层下表面、LED外延片侧壁及圆孔内侧壁的SiO2钝化层；设置于圆孔内的n电极层，设置于n电极层下的反射层及设置于ITO电流扩展层下的p电极层。本实用新型增加了倒装结构LED芯片及LED显示装置的抗静电水平。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204102931U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420351374.3
申请日：2014-06-26
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种倒装LED芯片及其封装过程，本实用新型涉及LED技术的相关领域，主要涉及倒装芯片、散热底座及基板。所述倒装LED芯片包括，依次叠加的透明衬底、N型GaN层、载流子复合层、P型GaN层。所述芯片的表面制作有N型电极、P型电极及将二者隔开的绝缘层。所述基板有多种材质制作的基板，所述基板含有金属连接点及与外部链接的电路。所述芯片电极可采用多种方式与基板金属连接点相连制成发光二极管，将此发光二极管放至涂有荧光粉的外壳中就得到了发光器件。本实用新型得到的发光器件具有功率高、散热效果好、优化封装工艺、节省生产成本等特点。
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公开(公告)号：CN207572393U
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201721223024.9
申请日：2017-09-21
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
摘要： 一种GaAs基倒装LED芯片以及LED显示装置。包括：自下而上依次制备的GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N-GaAs层、量子阱层、P-GaAs层和P-GaP欧姆接触层；在P-GaP欧姆接触层上制备金属接触层；在金属接触层上制备尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸的键合图形；根据制备的键合图形采用湿法刻蚀工艺刻蚀切割道至N-GaAs层上表面；在基板上依次制备键合层和反射层，将已经制备好反射层和键合层的基板与经上步处理的外延片键合；采用化学湿法腐蚀工艺去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层；将上步处理后的外延片置于丙酮溶液中，在30～60℃下超声震荡，以将GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层震荡掉；本实用新型可提高产品良率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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