X波段压控介质振荡器
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116454582A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310327325.X

    申请日:2023-03-29

    IPC分类号: H01P7/10 H01P1/203

    摘要: 本发明公开了一种X波段压控介质振荡器,X波段压控介质振荡器包括有源放大网络、选频网络、电压调谐结构、缓冲放大器和电源模块,其中,有源放大网络输出端分别与选频网络的输入端、缓冲放大器的输入端相连;选频网络的输出端与有源放大网络的另一输入端相连;电压调谐结构的输入端连接调谐电压,输出端与选频网络的另一输入端相连;缓冲放大器的输出端为信号输出端,电源模块分别与有源放大网络和缓冲放大器连接。该X波段压控介质振荡器具有更大的电压调谐带宽以及更低的输出相位噪声,对负载牵引有更好的抑制。同时,尺寸小,可以满足系统小型化设计的需求。

    平面宽带微波隔直器及其制作方法

    公开(公告)号:CN115939710A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211512065.5

    申请日:2022-11-29

    IPC分类号: H01P1/36 H01P11/00

    摘要: 本发明公开了一种平面宽带微波隔直器及其制作方法。该平面宽带微波隔直器包括上腔体、圆形可烧结SMA阳头、下腔体、金丝、微带电路、圆形可烧结SMA阴头、陶瓷电容和芯片电容;其中,上腔体和下腔体设置为能够分别从上下配合成圆柱的半圆柱结构,并且,半圆柱结构的两端分别形成用于安装阳头和阴头的半圆形沉槽;半圆柱结构的矩形面部分均向内凹陷形成铣槽,微带电路固接至下腔体上的铣槽内且两端分别与阳头、阴头相连接;陶瓷电容和芯片电容均固接至微带电路上并通过金丝键合。该平面宽带微波隔直器结构紧凑、集成度高;同时,通用性强,使用方便,性能良好,可扩展应用于各种微波有源电路系统和测试系统。

    S波段500W功率放大器
    44.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115515351A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202211159389.5

    申请日:2022-09-22

    IPC分类号: H05K5/02 H05K7/20 H03F3/20

    摘要: 本发明公开了一种S波段500W功率放大器,包括主机(1)、备机(2)、开关切换单元(3)、开关切换控制模块(4)、底座(7)和500W功率负载(8);其中,主机(1)、备机(2)和500W功率负载(8)分别通过第一线缆(5)、第二线缆(6)、第三线缆(28)连接至开关切换单元(3),主机(1)和备机(2)可拆卸地安装在底座(7)上,底座(7)的前后端上分别安装有第一前把手(16)、第二前把手(19)和第一后把手(31)、第二后把手(32),开关切换控制模块(4)可拆卸地安装在500W功率负载(8)的正上方。该S波段500W功率放大器结构合理,安装简便,防水密封性能好,安全可靠;并且,能够实现主备机相互备份以及主动散热一体化。

    流量标准器模块制作工艺
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111883434A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010786796.3

    申请日:2020-08-07

    摘要: 本发明提供一种流量标准器模块制作工艺,包括以下步骤:S1:管壳打标,通过在管壳侧壁激光打标,为管壳做标识编号;S2:将LTCC基板与管壳通过黑胶粘接;S3:通过等离子清洗,增强LTCC基板表面的粘合能力;S4:手动贴装阻容器件,用导电胶将元器件粘接在LTCC基板上;S5:用自动贴片机将裸芯片用导电胶粘接在LTCC基板上;S6:通过等离子清洗,增强裸芯片表面焊盘的金丝键合结合能力;S7:通过自动键合机对裸芯片以及管柱进行金丝键合;S8:真空烘烤、封盖、激光打标;S9:气密性检测;气密性检测包括细检漏和粗检漏,本发明通过科学合理的工艺流程,制作的产品尺寸小、可靠性高等优点,完全可替代进口产品,并且适合批量化生产。

    一种卫通领域地球站功率放大模块的加工方法

    公开(公告)号:CN110381718A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201910565361.3

    申请日:2019-08-01

    摘要: 本发明提供了一种卫通领域地球站功率放大模块的加工方法,包括以下步骤:步骤1、将第一微波电路板和第二微波电路板烧结到腔体上;步骤2、在腔体上贴装功放芯片并烧结;步骤3、在第一微波电路板上贴装阻容芯片并烧结;步骤4、使用汽相清洗机将烧结元器件的功率放大模块腔体进行清洗;步骤5、将射频接头、隔离器和滤波器装配到腔体上并封盖。本发明设计合理,通过这种方法制作出来的卫通领域地球站功率放大模块经过环境试验完全达到技术指标要求,同时该模块还具有输出功率大、加工灵活、可靠性高、稳定性高、增益高的特点,工艺流程简便、科学,提高了产品的合格率以及车间的生产效率,适合大批量生产。

    一种C波段6瓦功率放大器的制作工艺

    公开(公告)号:CN110266279A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201910565429.8

    申请日:2019-06-27

    IPC分类号: H03F3/213 H05K3/34

    摘要: 本发明提供一种C波段6瓦功率放大器的制作工艺,包括以下步骤:步骤1、将器件焊接在C波段6瓦固态功率放大器模块微波电路板上,得到微波电路板组件;步骤2、将微波电路板组件焊接在C波段6瓦固态功率放大器微波电路板腔体上;步骤3、将SMA内芯接头与微波电路板搭接处电装焊接起来;步骤4、封盖,完成模块盖板装配。本发明设计合理,通过改变微波电路板和器件的烧结先后顺序,利用不同温度梯度的焊锡和焊片,采用丝网印刷技术,大大降低了模块装配周期,能精确把握焊料的量,使焊料不会溢出,同时保证器件烧结的可靠性,制作方法简单,工艺流程科学,可以大批量生产。

    一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法

    公开(公告)号:CN109660222A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811580393.2

    申请日:2018-12-24

    IPC分类号: H03H3/00 H05K3/34 H01P11/00

    摘要: 本发明提供了一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法,其加工步骤如下:S1:将电路板、芯片载体,绝缘子烧结到变频器腔体上;S2:将裸芯片放大器、芯片电容共晶到芯片载体上;S3:将相关器件烧结到到电路板上;S4:将MEMS滤波器粘接到芯片载体上;S5:金丝键合;S6:对装配完成的腔体贴片组件进行封盖、测试。经过此工艺生产的Ku频段上变频器腔体滤波器经过测试、高低温实验以及整机调试,各项性能指标都能达到整机要求;且生产此滤波器的工艺流程科学、简单、方便,生产的产品合格率也有很大的提高,大大降低了生产成本、提高了生产效率。