-
公开(公告)号：CN117467959A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210873255.3
申请日：2022-07-22
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： C23C14/50 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种半导体激光器巴条的腔面镀膜夹具和排巴工装，涉及半导体激光器芯片制造工艺技术领域，具体包括上支架、下支架、螺纹顶杆、上夹板、下夹板、底座、光纤架、光纤、光纤压板，其中下支架两侧设有燕尾槽，滑动套装上夹板、螺纹顶杆、上支架，底部固定下夹板，排巴工装底部设置定位孔，光纤固定在光纤架并插入底座。本发明可以解决刚性压紧、夹具力学中心不稳定等导致的巴条损伤、塌架和错位，提高镀膜产出率，通过更换不同夹板来适应不同腔长的巴条，兼容性和自由度高，巴条和陪条的高度差由现有的标准光纤直径差来保证，解决了排巴过程中刚性件对腔面的损伤，降低工装加工精度的需求。
-
公开(公告)号：CN117317808A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202210704794.4
申请日：2022-06-21
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体激光器领域，且公开了一种常规脊波导半导体激光器，包括从下到上依次连接在一起的衬底、N限制层、N波导层、量子肼有源层以及P波导层，所述量子肼有源层的表面设置有两个肩部，两个所述肩部之间设置有脊波导，肩部与脊波导之间形成凹槽，脊波导的两侧设置有椭圆形深槽，所述椭圆形深槽长弧边侵入脊波导，形成了窄脊波导，该椭圆形深槽窄脊半导体激光器，通过本发明提出的椭圆形深槽窄脊波导结构抑制高阶模式参与激光振荡，实现激光器的模式滤与波远场光斑优化，有效提高了基模输出纯净度，优化了光斑质量。
-
公开(公告)号：CN116683284A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210168177.7
申请日：2022-02-23
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有高功率高光束质量的GaAs基大功率锥形激光器芯片及其制备方法，本发明提供的GaAs基大功率锥形激光器芯片将传统的锥形激光器单模区和锥形放大区的脊条形式改为边缘具有微结构的宽条区和锥形放大区的脊条形式，边缘具有微结构的宽条区通过边缘滤波实现模式的筛选，不再采用模式宽度截止的方法，实现了功率可提升的目的，并且光束质量不受边缘具有微结构的宽条区的长度影响，可以通过控制边缘具有微结构的宽条区的长度实现功率大小的调控，进而实现锥形激光器高功率高光束质量要求。
-
公开(公告)号：CN116065128A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111274099.0
申请日：2021-10-29
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： C23C14/50
摘要： 本发明涉及一种高兼容性镀膜夹具及使用方法，属于镀膜设备技术领域。夹具包括平板、U型架、上V型板、下V型板、固定板和辅助机构，其中，平板上设置有燕尾导轨A，燕尾导轨A一端设置有辅助机构，另一端竖向设置有U型架，U型架上从上到下依次滑动套装有固定板、上V型板和下V型板。本发明可以夹持不同种类的玻璃、晶体类产品，兼容性高，同时通过辅助机构保证产品镀膜面的镀膜高度一致，提高镀膜效果，有效避免产品镀膜面污染。
-
公开(公告)号：CN114696216A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011609341.0
申请日：2020-12-30
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种可精确控制高度的半导体激光器垂直脊型结构的制作方法，包括以下步骤：生长半导体外延膜层及ESL；在外延片上依次形成一次二氧化硅掩膜和一次光刻胶掩膜，并光刻成周期性的脊条窗口；ICP刻蚀氧化硅掩膜；继续ICP刻蚀外延层至一定深度，形成窄脊条结构；去除残留光刻胶；腐蚀GaAs接触层，形成内缩结构；生长并ICP刻蚀二次二氧化硅掩膜；湿法腐蚀外延膜层至腐蚀阻挡层；去除掩膜后生长SiO2电流阻挡层，并形成二次光刻胶掩膜图形；ICP刻蚀去除GaAs顶部的电流阻挡层，漏出电流注入窗口，完成脊型结构制作。采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方式，脊型高度可精确控制，侧壁垂直，同时减小脊条上的电流注入区域，提高了电流注入密度。
-
公开(公告)号：CN112542767B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201910894514.9
申请日：2019-09-20
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种GaAs基半导体激光器芯片及其制备方法，所述激光器芯片包括GaAs衬底，所述GaAs衬底表面自下而上依次设有外延层和P面管芯结构，所述GaAs衬底远离外延层的一侧镀有N面电极，所述GaAs衬底与N面电极接触的端面上设置有粗糙区。本发明工艺设计合理，不仅有效提高了芯片的整体厚度，芯片的弯曲度和翘曲度明显小于常规抛光工艺处理后的薄芯片，避免了镀膜不均匀和磨料渗入管芯P/N面的情况；同时粗糙区能够提高衬底与N面电极的接触面积，降低了半导体与N面电极之间的接触电阻，有效降低激光器管芯的体电阻，从而减低激光器的阈值电流，提高了电光转换效率，提高了N面电极与GaAs衬底之间的粘附性，避免出现N面电极脱落的情况。
-
公开(公告)号：CN110768106B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201810834004.8
申请日：2018-07-26
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种激光二极管制备方法，包括步骤如下：(1)在衬底上自下而上依次生长缓冲层、N限制层、N波导层、有源区、P限制层、P波导层、接触层；(2)蚀刻P波导层、接触层，在P限制层上形成脊条；(3)在P限制层上及所述脊条的两侧面生长绝缘层；(4)在绝缘层上生长正电极金属，使正电极金属覆盖脊条的顶面；(5)将步骤(4)生长的外延片倒立，将正电极金属与支持衬底键合；(6)减薄衬底；(7)光刻深沟，形成正电极通道和解理槽区域；(8)蒸镀金属，制备电极图形，采用金属剥离工艺制备，同时形成正电极和负电极。通过上述制备，本发明增加了用于散热和支持用的支持衬底，同时正负电极一次成型。
-
-
公开(公告)号：CN109326959B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201710644176.4
申请日：2017-08-01
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 一种双波长半导体激光器芯片结构，包括：外延片Ⅰ，其下端面设置有向外凸起的条形发光区，条形发光区的宽度为3‑4；以及外延片Ⅱ，其上端面设置有向内凹陷的槽形发光区，槽形发光区的宽度为8‑10；外延片Ⅰ下端面与外延片Ⅱ的上端面粘合固定，所述条形发光区插装于对应的槽形发光区中。通过粘合工艺将外延片Ⅰ及外延片Ⅱ粘合，同时外延片Ⅰ上的条形发光区插入外延片Ⅱ上的槽形发光区中，从而形成一个激光器芯片同时出射两种波长激光的特性，其制作过程简单，可以充分应用到双波长激光器医疗领域和夜视枪瞄领域。由于不需要利用光线耦合技术以及复杂的光学透镜，因此极大的降低了双波长半导体激光器的制造成本。
-
公开(公告)号：CN110224291A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201810175789.2
申请日：2018-03-02
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/022
摘要： 本发明涉及一种小尺寸半导体激光器封装结构及其封装方法。包括基板和至少一个集成于基板上的封装组件单元；所述封装组件单元包括第一导电角、第二导电角、焊接激光器芯片的焊盘以及第一导电角和所述焊盘间连通的电流通道；焊盘与基板连接区由连接片和镂空区构成。本发明采用薄的贴片式集成构造，实现了激光器芯片焊盘沿可弯曲边的90°旋转，从而实现了激光器芯片封装90°出光范围。该封装结构尺寸小，封装工步简单易操作，尤其可用于批量机械化操作，提高生产效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
126 条记录 (耗时 0.087 秒)
