公开(公告)号：CN105593414B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201480052509.9

申请日：2014-08-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大黑宽典 ,  加渡干尚 ,  龟井一人 ,  楠一彦

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10

CPC classification number: C30B19/10 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/062 ,  C30B19/068 ,  C30B19/08 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供了一种具有大的生长厚度且不包含夹杂物的SiC单晶。所述SiC单晶是通过溶液法生长的SiC单晶，其中，SiC单晶的{0001}生长面中的{1‑100}面的合计长度M与SiC单晶的生长面的外周长度P满足M/P≤0.70的关系，并且SiC单晶的生长方向的长度为2mm以上。

公开(公告)号：CN107532328A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680027058.2

申请日：2016-03-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 关和明 ,  龟井一人 ,  楠一彦 ,  旦野克典 ,  大黑宽典 ,  土井雅喜

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10

CPC classification number: C30B19/10 ,  C30B9/06 ,  C30B19/04 ,  C30B19/08 ,  C30B23/025 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B29/68

Abstract: 本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法容易使所希望的多晶型的SiC单晶生长。