四氯化硅加氢制备三氯氢硅所用的催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN118976498A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411024713.1

    申请日:2024-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种四氯化硅加氢制备三氯氢硅所用的催化剂及其制备方法,其分子式为CuxNiy·M/Al2O3,其中,x为0.2,y为0.02‑0.2,M为在CuxNiy合金中掺杂的碱土金属氧化物,CuxNiy合金负载于载体Al2O3上。本发明中的催化剂及其制备方法使用氧化铝作载体,具有发达的孔隙构造,使负载的活性组分高度分散。使用溶胶凝胶法原位负载金属盐制备铜镍合金催化剂,活性组分和载体结合稳定且负载于一体,缩短了催化剂的制备流程。催化剂中的铜原子和镍原子产生协同作用,该催化剂具有良好的催化活性。碱土金属与活性组分形成复合氧化物,阻止了活性组分的迁移并抑制了团聚,提高了活性组分的分散度。

    一种负载型催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN113996298B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202111443417.1

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 本发明提供一种负载型催化剂及其制备方法,所述催化剂包括:载体、活性组分、硅基添加剂和铜合金;其中,所述活性组分包括氯化亚铜、硫酸亚铜、氧化亚铜中的至少一种;所述铜合金中的合金元素包括铈、钇、镧、钛、硼、锆中的至少一种。本发明中提供的催化剂的粒径可控、孔隙率高、比表面积大;催化剂中的硅基添加剂直接与活性组分接触,可以大幅延长硅元素与活性组分的互扩散时间,提高活性硅铜相的收率;催化剂中添加了铜合金,其有利于形成细晶硅铜相,抑制晶粒的长大,增加硅铜相晶界缺陷中心,同时还可形成多元含硅金属间化合物,从而可以强化对四氯化硅吸附,提高四氯化硅催化转化效率。

    脱氯加氢工艺中的四氯化硅还原方法及含有Cu-Si金属键的铜-硅合金催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN105435788B

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201410268738.6

    申请日:2014-06-16

    Abstract: 本发明公开了一种脱氯加氢工艺中的四氯化硅还原方法及含有Cu‑Si金属键的铜‑硅合金催化剂的制备方法,包括以下步骤:(1)将氯化亚铜和硅粉送入至流化床反应器内;(2)将被加热的非还原性气体通入到流化床反应器内,使硅粉和氯化亚铜混合体呈现流化态,在所述流化床反应器内发生氯化亚铜的还原和相形成反应,在硅粉的颗粒的表面得到四氯化硅还原用含有Cu‑Si金属键的铜‑硅合金催化剂。通过本发明使用上述的制备方法得到的催化剂,避免了催化剂的微观粘结作用,可以长期保持催化剂的高活性状态,四氯化硅还原转化率可提高至25~30%mol。

    一种三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法和装置

    公开(公告)号:CN105480980A

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201410475472.2

    申请日:2014-09-17

    Abstract: 本发明公开了一种三氯氢硅生产得到的渣浆处理方法和装置,该方法包括以下步骤:将三氯氢硅生产得到的渣浆过滤,所述过滤得到的液态物质为液态氯硅烷,所述过滤得到浓渣浆;所述浓渣浆再经过雾化处理,再过滤得到气态物质,该气态物质冷凝得到液态氯硅烷,所述再过滤得到的固态物质为滤渣。该方法渣浆处理后得到的液态氯硅烷中不含有氯化铝,避免了处理过程使用碱液造成的碱液和氯硅烷的浪费以及产生二次污染,避免了现有技术三氯氢硅生产得到的渣浆处理中水解产生易燃易爆气体的安全隐患,本发明中的处理方法简单,氯硅烷的回收率达到了98%以上,更加完善了多晶硅生产工艺,节能降耗效果可观,且处理成本大大降低。

    造粒装置、制备四氯化硅催化氢化反应用催化剂的制备方法及四氯化硅催化氢化反应方法

    公开(公告)号:CN105170022A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201410267261.X

    申请日:2014-06-16

    Abstract: 本发明公开了一种造粒装置、制备四氯化硅催化氢化反应用催化剂的制备方法及四氯化硅催化氢化反应方法,该造粒装置包括熔融罐、浇铸盘、冷却箱,还包括振荡机构,该振荡机构设置于浇铸盘上,通过熔融罐将原料熔融成熔融液体并倒入浇铸盘中,振荡机构用于使得浇铸盘振荡,再将浇铸盘中的熔融液体滴落到冷却箱内的冷却液中。本发明中的造粒装置通过设置于浇铸盘上的振荡机构的振荡可以使得浇铸盘中的熔融液体呈均匀颗粒状的落入到冷却箱中的冷却液中,本发明造粒呈颗粒物,不仅仅大小均匀,而且比表面积大大增加。通过本发明的制备方法得到的催化剂,避免了催化剂的微观粘结作用,可以长期保持在催化状态下的活性点,催化剂的催化寿命大大增加。

    一种多晶硅还原装置
    48.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104803388A

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201410044113.1

    申请日:2014-01-29

    Inventor: 郭增昌 吕学谦

    Abstract: 本发明公开了一种多晶硅还原装置,包括多晶硅还原炉体,该炉体设置有进气口和排气口,进气口设置于炉体的底部,排气口设置于炉体的顶部。该装置使得原料气三氯氢硅和氢气在炉体内采用下进上出的平推流式流动,使炉体内的混合气基本上都是沿着硅棒表面自下向上流动。这种平推流式流动使得气体流动性增强,且气体不会返回流动,避免了炉体内产生局部高温区域,避免了三氯氢硅热解产生无定型硅,更加避免了进一步的无定型硅在多晶硅还原炉体的内壁面的附着,降低了装置的还原电耗,避免原料气短路,促进多晶硅在硅棒表面的沉积速率,节约原料气,生产出的硅棒根除了“菜花”和“玉米粒”等肌瘤现象,提高原料气生产多晶硅的生产效率,提高产品成品率。

    干法回收白炭黑尾气的装置

    公开(公告)号:CN219596295U

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202321298539.0

    申请日:2023-05-25

    Abstract: 本实用新型公开了一种干法回收白炭黑尾气的装置,包括:混料器,用于将生产白炭黑的尾气与氧气混合;除尘反应器,与混料器连接,除尘反应器用于过滤除尘,其内负载有催化剂,经过过滤除尘的尾气与氧气在催化剂的作用下反应,其中的氯化氢催化氧化为氯气,得到第一混合气;冷却器,与除尘反应器连接,用于冷却反应过的第一混合气,得到第二混合气;干燥器组,与冷却器连接,干燥器组用于干燥第二混合气,得到第三混合气;吸附器组,与干燥器组连接,吸附器组用于吸附第三混合气中的氯气,得到处理过的尾气。该装置集尾气过滤除尘、氯化氢转化为一体,实现白炭黑尾气的净化和氯回收,工序简单,操作方便,减少了生产工序,降低了生产日常成本。

    一种制备氯硅烷的装置
    50.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217341280U

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202221191937.8

    申请日:2022-05-17

    Abstract: 本实用新型提供了一种制备氯硅烷的装置,所述装置包括:氯气配料罐、高沸物配料罐、气体加热预混单元、反应器和冷却分离装置;其中,所述反应器由下向上依次设置有第一反应区、第二反应区和顶部区,所述第一反应区中设置有气体分布器,所述反应器上与所述第一反应区对应的区域设有第一加热设备,所述反应器上与所述第二反应区对应的区域设置有第二加热设备。本实用新型中提供装置中相关反应在高温氯气环境中有效发生,并且可连续性生产氯硅烷;为废硅粉、废硅泥、高沸物的处理等提供了可靠的生产装置,实现多晶硅生产过程中的废弃物的绿色循环利用,降低氯耗、硅耗及碱耗。

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