一种还原炉的生产信息管理系统及方法

    公开(公告)号:CN116797167A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310735021.7

    申请日:2023-06-16

    摘要: 本发明提供一种还原炉的生产信息管理系统及方法,该系统包括以下至少一项:管理模块、还原炉管理模块、批次管理模块、基线管理模块、控制管理模块和账户管理模块;所述还原炉管理模块,用于查看和管理还原炉的信息;所述批次管理模块,用于管理批次信息;基线管理模块,用于管理料表基线和电压基线;控制管理模块,用于管理还原炉的控制参数;账户管理模块,用于管理操作人员信息。本发明中,通过还原炉的生产信息管理系统对信息数据进行管理,缓解产品质量难以统一化,生产过程难标准化,人员操作难简易化,应对事故难快速化等问题,实现控制过程全流程自动化,在保证产品质量的情况下大幅降低电耗与人工投入。

    二氧化硅的制备方法及制备系统
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116553561A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310444460.2

    申请日:2023-04-23

    摘要: 本发明公开了一种二氧化硅的制备方法及制备系统,该方法包括以下步骤:1)将含有氯硅烷的气体与水溶液混合,氯硅烷发生水解反应,得到混合物;2)将混合物过滤,得到滤液,对滤液进行造粒,加热,得到二氧化硅。本发明中的二氧化硅的制备方法及其所使用的制备系统,有效降低高纯二氧化硅中氯含量,同时能够回收部分多晶硅生产过程中产生的氯硅烷,降低废气中氯硅烷含量,降低后续再处理的难度,同时该方案在工业化放大的方面具有便利性。

    还原炉的生产质量和产量的预测方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115826520A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211449804.0

    申请日:2022-11-18

    IPC分类号: G05B19/418

    摘要: 在本申请实施例中,通过获取第一还原炉的第一设备参数,第一设备参数包括:炉筒直径、炉顶形状和喷嘴分布情况中的至少一种;基于第一关系模型和第一设备参数,预测第一还原炉的第一目标信息,第一目标信息包括:第一还原炉生产的多晶硅的质量信息和产量信息。这样,在相同工作条件的情况下,根据不同还原炉的设备参数与不同还原炉生产出来的多晶硅的质量和产量信息之间的第一关系模型,去预测不同设备参数的还原炉生产出来的多晶硅的质量和产量,得到一个较为准确的预测结果,根据较为准确的预测结果,去安排多台不同设备参数的还原炉去生产,可以节约生产资源。

    一种反应炉控制方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115618744A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211405312.1

    申请日:2022-11-10

    IPC分类号: G06F30/27 G06F119/02

    摘要: 本申请提供一种反应炉控制方法、装置及相关设备,其中,所述方法包括:将预设的多个数据组逐一输入至预测模型中,获得所述多个数据组中每一数据组对应的收益参数,其中,所述数据组对应反应炉在一次反应过程中的输入参数的输入量变化曲线,所述收益参数用于表征所述预测模型根据对应数据组预测的多晶硅产出收益;将对应最高的收益参数的数据组确定为基准数据组;控制反应炉按照所述基准数据组对所述反应炉的输入参数进行调节。通过预测模型来确定基准数据组,并控制反应炉根据基准数据组对反应炉的输入参数进行调节,从而规避人为因素的干扰,使得反应炉的多晶硅产出效果得到提升。

    一种多晶硅生产方法及系统

    公开(公告)号:CN112110449B

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN201910543890.3

    申请日:2019-06-21

    IPC分类号: C01B33/035

    摘要: 本发明提供一种多晶硅生产方法,包括以下步骤:在反应开始前,先利用微波将还原炉中的硅芯加热至第一设定温度,然后将硅芯击穿后再施加电流,以在硅芯的表面化学沉积多晶硅,得到硅棒;在反应过程中,如对硅棒断电,则在断电后重启前,先利用微波将硅棒加热至第二设定温度,然后将硅棒击穿后再施加电流,以在硅棒表面继续化学沉积多晶硅。本发明还提供一种多晶硅生产系统,包括馈能单元和防护单元,馈能单元包括馈能天线,馈能天线设于还原炉上的能够与还原炉内部连通的开口处,用于产生和发射微波;防护单元用于将馈能天线与还原炉内的氛围隔开,以保护馈能天线。本发明能够实现多晶硅的平稳生长,得到性能良好的多晶硅产品,以提高产品质量。

    一种用于催化四氯化硅转化的催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN114054035A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111445310.0

    申请日:2021-11-30

    摘要: 本发明提供一种用于催化四氯化硅转化的催化剂及其制备方法,所述催化剂具有核壳结构,核包括催化剂载体,壳包括活性组分;其中,所述活性组分包括硅‑铜多元合金、单质铜和纳米陶瓷,所述硅‑铜多元合金中包括硅、铜、过渡金属元素和/或稀土元素。本发明中的催化剂应用于在冷氢化反应过程中,四氯化硅直接与催化剂中的活性组分硅‑铜相、单质铜发生反应,使得催化反应时间大幅缩短,因而可以有效的提高催化反应速率及转化率;通过机械合金化的制备方法制备的催化剂,具有孔径丰富、晶粒细小、缺陷密度大的优点。

    一种铜硅系催化剂及其制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114011451A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202111445314.9

    申请日:2021-11-30

    摘要: 本发明提供一种铜硅系催化剂及其制备方法,所述铜硅系催化剂中包括:载体和活性组分;其中,所述活性组分为硅‑铜系多元合金,所述硅‑铜系多元合金中包括Cu元素和Si元素,还包括M元素,所述M元素指Cr、Ni、Mo、Ti、Zr、Ce、La、Sc中的至少一种。本发明中的铜硅系催化剂的活性组分晶粒细小,有效增加界面缺陷活性中心和硅‑铜相界面。所述催化剂应用于冷氢化反应过程中,四氯化硅直接与催化剂中的活性组分硅‑铜相发生反应,使得催化反应时间大幅缩短,因而可以有效的提高催化反应速率及转化率。

    一种尾气排放结构和还原炉
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113213484A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN202110661114.0

    申请日:2021-06-15

    摘要: 本申请公开了一种尾气排放结构和还原炉,尾气排放结构包括:连接体,连接体上设有环形孔,环形孔具有第一开口与第二开口;多个尾气支管的第一端与环形孔的第一开口连通;多个尾气支管的第二端与汇集管连通;尾气母管的一端与汇集管连通。将尾气排放结构应用于还原炉,连接体的第二开口与还原炉底部的排气孔连通,还原炉中的尾气通过排气孔进入环形孔,通过环形孔对尾气进行平衡,环形孔中的气体通过尾气支管进入汇集管,不同尾气支管中的气体流量可以在汇集管进行平衡,然后汇集管中的气体通过尾气母管排出,连接体的高换热面积和汇集管的流量平衡作用,降低了尾气支管内的结硅情况和硅渣清理频次,使得还原炉内的压力、流场、温度场稳定。

    多晶硅还原炉自动进料方法和装置

    公开(公告)号:CN108658079B

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201710206853.4

    申请日:2017-03-31

    IPC分类号: C01B33/035

    摘要: 本发明提供一种多晶硅还原炉自动进料方法,其包括如下步骤:预设给定氢气进料曲线,并按照给定氢气进料曲线输出每时基对应的给定氢气流量;预设给定配比曲线,其中包括每时基对应的给定三氯氢硅流量与实际氢气流量的配比值;测量每时基对应的实际氢气流量;根据给定配比曲线中每时基对应的给定三氯氢硅流量与实际氢气流量的配比值以及该时基对应的实际氢气流量得到每时基对应的给定三氯氢硅进料值,并输出每时基对应的给定三氯氢硅流量。相应地,提供一种多晶硅还原炉自动进料装置。本发明能够自动控制多晶硅还原炉进料,从而减少甚至避免了人为操作,而且重复性高,能够适应不同的工况和参数,易于调整和改进。