公开(公告)号：CN102206467A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110079634.7

申请日：2011-03-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 石黑繁树 ,  由藤拓三 ,  千田洋毅 ,  松本真理 ,  西岛研一 ,  铃木俊隆 ,  浅井文辉 ,  三好勇 ,  大石伦仁 ,  杉村敏正

IPC: C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C08K5/20 ,  C08K5/09 ,  C08L27/06

CPC classification number: C09J133/10 ,  C08K5/20 ,  C09J7/22 ,  C09J7/245 ,  C09J7/38 ,  C09J133/08 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/106 ,  C09J2427/00 ,  C09J2433/00 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/2891 ,  C08L27/06

Abstract: 本发明的目的在于提供能在各种环境下获得稳定的卷剥离性和粘接特性的卷状粘合带或片。一种卷状粘合带或片，该卷状粘合带或片是在热塑性树脂薄膜的单面形成压敏性粘合剂层、并卷绕成卷状而成的，其至少在热塑性树脂薄膜和压敏性粘合剂层的任一方中含有脂肪酸双酰胺、以及脂肪酸单酰胺和/或脂肪酸。

公开(公告)号：CN102005364A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010271996.1

申请日：2010-08-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  西尾昭德 ,  木内一之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: B32B38/10 ,  B32B2038/1891 ,  B32B2310/028 ,  B32B2310/04 ,  B32B2310/0825 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68386 ,  Y10T156/1121 ,  Y10T156/1137 ,  Y10T156/1142 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T156/1922 ,  Y10T156/1939

Abstract: 本发明提供一种方法，在切割工序中，在被切断物表面上粘贴表面保护胶带，通过与被切断物一并切断，而保护被切断物表面免受因切屑等粉尘等的附着所引起的污染，并且在切割工序后，可容易地从各个基片剥离除去表面保护胶带。还提供一种方法，在被切断物表面上粘贴表面保护胶带，将其与所述被切断物一起切断后，在使被切断物倾斜的状态下除去该切割表面保护胶带。

公开(公告)号：CN112980366B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202011494006.0

申请日：2020-12-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  高本尚英 ,  中浦宏 ,  杉村敏正

IPC: C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  C09J7/30 ,  C09J7/10 ,  C09J7/29 ,  C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  H01L21/683

Abstract: 提供芯片接合片及切割芯片接合薄膜。提供相对于聚酰亚胺树脂面的剥离力为0.1N/50mm以上的芯片接合片。另外，提供一种切割芯片接合薄膜，其具备：所述芯片接合片、和贴合于该芯片接合片的切割带。

公开(公告)号：CN115368835A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210403242.X

申请日：2022-04-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 角野雅俊 ,  杉村敏正 ,  福井章洋 ,  木村雄大 ,  中浦宏

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J163/00 ,  C09J133/14 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及以使前述粘合剂层的一部分露出的状态层叠在前述粘合剂层上的芯片接合层，前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，前述芯片接合层包含芳香族化合物，使通过将针对前述粘合剂层的露出部分、以及前述粘合剂层的与前述芯片接合层的层叠部分实施FT‑IR分析而得到的多个参数加以组合而导出的参数满足规定的数值范围。

公开(公告)号：CN112980366A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011494006.0

申请日：2020-12-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  高本尚英 ,  中浦宏 ,  杉村敏正

IPC: C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  C09J7/30 ,  C09J7/10 ,  C09J7/29 ,  C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  H01L21/683

Abstract: 提供芯片接合片及切割芯片接合薄膜。提供相对于聚酰亚胺树脂面的剥离力为0.1N/50mm以上的芯片接合片。另外，提供一种切割芯片接合薄膜，其具备：所述芯片接合片、和贴合于该芯片接合片的切割带。

公开(公告)号：CN111826097A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010299869.6

申请日：2020-04-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  杉村敏正 ,  大西谦司 ,  高本尚英

IPC: C09J7/20 ,  C09J7/24 ,  C09J133/10 ,  H01L21/683

Abstract: 提供在用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层的粘接剂层，前述基材的前述粘合剂层侧表面实施了表面处理，前述基材与前述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1(1)。

公开(公告)号：CN111748290A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010218433.X

申请日：2020-03-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大 ,  杉村敏正 ,  福井章洋

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J7/40 ,  C09J133/14 ,  C09J133/04 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供带粘接薄膜的切割带，对在为了得到带粘接薄膜的半导体芯片而使用带粘接薄膜的切割带进行的扩展工序中使切割带(DT)上的粘接薄膜良好地割断是适合的，且对抑制割断后的带粘接薄膜的半导体芯片自DT的浮起且实现拾取工序中的良好拾取是适合的。带粘接薄膜的切割带(X)具备切割带(10)和粘接薄膜(20)。粘接薄膜(20)可剥离地密合于切割带(10)具有的粘合剂层(12)。相对于在22℃下受到300mJ/cm2的紫外线照射的试验片的粘合剂层(12)与粘接薄膜(20)之间的剥离粘合力的、在60℃下受到300mJ/cm2的紫外线照射的试验片的粘合剂层(12)与粘接薄膜(20)之间的剥离粘合力的比率为0.8～2。

公开(公告)号：CN111675980A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010161259.X

申请日：2020-03-10

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  福井章洋 ,  大西谦司 ,  木村雄大 ,  宍户雄一郎 ,  高本尚英

IPC: C09J7/30 ,  C09J7/20 ,  C09J133/08 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供带粘接薄膜的切割带，其适合于使切割带粘合剂层实现高的紫外线固化速度。本发明的带粘接薄膜的切割带(X)具有包含切割带(10)及粘接薄膜(20)的层叠结构。切割带(10)具有包含基材(11)和紫外线固化性的粘合剂层(12)的层叠结构。粘接薄膜(20)可剥离地密合于切割带(10)的粘合剂层(12)。粘合剂层(12)含有第1光聚合引发剂及第2光聚合引发剂。第1光聚合引发剂在波长365nm下的吸光系数为40ml/g·cm以上、且在波长405nm下的吸光系数为10ml/g·cm以下。第2光聚合引发剂在波长405nm下的吸光系数为40ml/g·cm以上。

公开(公告)号：CN111276439A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201911229504.X

申请日：2019-12-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  高本尚英 ,  木村雄大 ,  宍户雄一郎 ,  杉村敏正

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割芯片接合薄膜。提供一种DDAF，其适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(DDAF)进行的扩展工序中实现良好的割断、并且对于芯片间的割断位置确保足够的切口宽度。本发明的DDAF具有包含芯片接合薄膜(10)及切割带(20)的层叠结构。芯片接合薄膜(10)以可剥离的方式密合于切割带(20)所具有的粘合剂层(22)。芯片接合薄膜(10)的在规定条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率为20％以下。该芯片接合薄膜(10)具有直径D1的圆盘形状、并包含与该圆盘形状为同心圆的直径D2的晶圆贴附区域。D1及D2满足0

公开(公告)号：CN110527444A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910439435.9

申请日：2019-05-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大 ,  杉村敏正 ,  福井章洋

IPC: C09J7/24 ,  C09J133/08 ,  C09J7/40 ,  C09J7/30 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法，所述切割芯片接合薄膜(DDAF)具备适于抑制芯片接合工序、之后的芯片的翘起的作为芯片接合薄膜的粘接剂层。本发明的DDAF具备切割带(10)和粘接剂层(20)。粘接剂层(20)与切割带(10)的粘合剂层(12)密合。粘接剂层(20)在第1剥离试验(100℃、剥离角度180°、剥离速度30mm/分钟)中相对于Si平面显示出0.5～5N/10mm的180°剥离粘合力。与此同时，粘接剂层(20)在第2剥离试验(23℃、剥离角度180°、剥离速度30mm/分钟)中相对于Si平面显示出3～15N/10mm的180°剥离粘合力。