公开(公告)号：CN109400154A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811333250.1

申请日：2018-11-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  许亚萍 ,  金琦 ,  严亚飞 ,  韩胜男 ,  李德东 ,  李林 ,  饶光辉 ,  顾正飞 ,  成钢 ,  刘心宇

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种双铌源碱金属铌酸盐微纳米线材料，是以K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、C10H5NbO20、BaCO3、Bi2O3为原料，按照化学式(1-y)KzNa1-zNb(C)xNb(N)1-xO3-yBaBiO3进行配料，其中Nb(C)是指来自铌源C10H5NbO20的Nb元素；Nb(N)是指来自铌源Nb2O5的Nb元素；0＜x≤0.1，0＜y＜0.1,0.4≤z≤0.6，经传统陶瓷固相烧结工艺合成的微纳米线材料。其制备方法包括以下步骤：1）原料烘干；2）原料称取，进行球磨；3）球磨之后粉料的预烧；4）预烧后粉料的第二次球磨；5）第二次球磨后粉料压制成圆坯；6）圆坯的保温处理。本发明的优点是，采用双铌源后，可以有效提高压坯粉料的结晶度和微纳米线的生长速度；同时球磨介质可使用纯净水，无需使用无水乙醇，极大地节约了成本，并减小对环境的污染和烘干过程中的安全隐患；预烧温度降低了150-425℃，缩短保温时间。

公开(公告)号：CN107675257A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201711116854.6

申请日：2017-11-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  韩胜男 ,  张津玮 ,  郝崇琰 ,  金琦 ,  严亚飞 ,  饶光辉 ,  成钢 ,  顾正飞 ,  刘心宇

IPC: C30B29/30 ,  C30B1/10 ,  C30B33/02

CPC classification number: C30B29/30 ,  C30B1/10 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种低损耗铁电压电单晶材料，由K0.5Na0.5NbO3为主体材料和Li2CO3、Bi2O3和CuO为掺杂原料，通过无籽固相晶体生长技术、CuO掺杂改性技术和热处理技术制备而成，其化学式为：(1–y)(99.6K0.5Na0.5NbO3-0.4LiBiO3)-yCuO，其中0.001≤y≤0.01，其介电损耗为tanδ=1~3%，相对介电常数为300~500，压电常数为d33=50~205 pC/N。其制备方法包括以下步骤：1）原料的干燥；2）原料的球磨；3）球磨产物的预烧；4）预烧后产物的球磨；5）球磨后粉料的压片和烧结，获得单晶；6）单晶的退火处理。本发明的优点是：所制备的材料获得了低的介电损耗，最低可达tanδ=1%，同时具有较高的压电性能，最高可达d33=205pC/N。

公开(公告)号：CN103736810A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201310730794.2

申请日：2013-12-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘建伟 ,  杨连发 ,  刘心宇 ,  梁惠萍 ,  王宁华 ,  吴春蕾 ,  胡竹林

IPC: B21D26/033 ,  B21D26/047 ,  B21D26/041

Abstract: 本发明为金属薄壁管冲击液压胀形装置及其使用方法，供液螺栓两端的中心盲孔底端经径向孔与外壁连通。供液螺栓穿过金属薄壁管、两端均伸出，密封塞套于供液螺栓两端塞入金属薄壁管管口。定位盖中心阶梯孔的大孔套在金属薄壁管管口，供液螺栓从小孔伸出，螺母旋入供液螺栓两端，定位盖挤压密封塞贴合金属薄壁管和供液螺栓。供液螺栓一端经控制阀接L形管，另一端经另一控制阀密封连接液体容器。模架的上下模板各固定上下模具，金属薄壁管置于上下模具之间。使用方法为左右控制阀打开，液体容器中灌注、使金属薄壁管内充满液体，关闭控制阀，压力机冲压头下行，上下模具闭合，实现液压胀形。本发明简便易行，效率高；结构简单，成本低。

公开(公告)号：CN102351535B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201110197606.5

申请日：2011-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  胡耀斌 ,  江民红 ,  崔业让 ,  杨华斌 ,  马家峰

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电（磁）体Bi(FetMn1-t)O3。其通式用（1-y-z）（K0.5-xNa0.5+x）NbO3-yLiSbO3-zBi(FetMn1-t)O3来表示，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1，0＜t＜1，通过选取适当的x、y、z和t值及工艺参数，用传统制陶工艺制成新的陶瓷产品。本发明提供的压电材料的优点是：致密性好，介电损耗低，压电性能优良，居里温度高，压电性能热稳定性好，制备工艺稳定，采用传统手段获得；烧结温度较低，约1050～1130℃。

公开(公告)号：CN102351535A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110197606.5

申请日：2011-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  胡耀斌 ,  江民红 ,  崔业让 ,  杨华斌 ,  马家峰

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电（磁）体Bi(FetMn1-t)O3。其通式用（1-y-z）（K0.5-xNa0.5+x）NbO3-yLiSbO3-zBi(FetMn1-t)O3来表示，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1，0＜t＜1，通过选取适当的x、y、z和t值及工艺参数，用传统制陶工艺制成新的陶瓷产品。本发明提供的压电材料的优点是：致密性好，介电损耗低，压电性能优良，居里温度高，压电性能热稳定性好，制备工艺稳定，采用传统手段获得；烧结温度较低，约1050～1130℃。

公开(公告)号：CN102351533A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110197549.0

申请日：2011-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  崔业让 ,  江民红 ,  胡耀斌 ,  袁昌来

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法，其特征是：锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷的化学组成通式为：(1-x)(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.9Ti0.1)O3-XMαOβ其中:0＜x＜0.01，MαOβ表示氧化物，α和β分别表示相关氧化物中相应的元素M和氧的原子数；其M为Ce、Sm、Yb、Nd中的一种或几种元素，以(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.9Ti0.1)O3为基体，以MαOβ为助烧剂，经传统制陶工艺烧制而成。本发明(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.9Ti0.1)O3-MαOβ无铅压电陶瓷，具有低烧结温度、优良的压电性能及综合性能。通过选择适当的配方及工艺参数，烧结温度在1300-1350℃适合于工业烧结温度，均可使该体系的陶瓷各项性能良好。

公开(公告)号：CN101402521B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200810073870.6

申请日：2008-10-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘心宇 ,  杨云 ,  杨华斌

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/457

Abstract: 本发明公开了一种NTC热敏导电陶瓷材料及其制备方法，它是以BaCO3、SrCO3、SnO2和Fe2O3为主要原料，混合球磨，烘干，得到Ba1-ySryFexSn1-xO3坯料，不掺杂或单独掺杂或复合掺杂后二次球磨Ba1-ySryFexSn1-xO3坯料；采用普通陶瓷制备工艺制备。本发明制备的NTC热敏导电陶瓷B值可以达到5100K，室温电阻率可降至2800Ω·m。本发明制备工艺简单，成本低，所得产品可应用于测温、控温、自动增益调整、温度补偿等方面。

公开(公告)号：CN101423391B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200810073906.0

申请日：2008-11-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  江民红 ,  陈国华

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，其主要特征是：以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Li2CO3、Sb2O3、Bi2O3和Fe2O3为原料，按照化学式(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiSbO3-yBiFeO3，其中0≤x≤0.1，0≤y≤0.05进行配料，用传统制陶工艺制成的陶瓷新产品。通过选择适当的x、y值及工艺参数，可使该体系的压电常数d33达250pC/N以上，平面机电耦合系数kp可达0.51以上，居里温度在365℃以上，200℃以下介电损耗(tanθ)低于3％，400℃以下介电损耗(tanθ)低于7％，烧结温度在1130℃以下。

公开(公告)号：CN101659545A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910114388.7

申请日：2009-09-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李旭琼 ,  骆颖 ,  刘心宇 ,  周昌荣

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01C7/04

Abstract: 本发明涉及热敏电阻材料，具体涉及以BaBiO 3 为基础相的陶瓷材料及其制备方法。所述铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷，其化学通式为(Ba 1-x A x )(Sb y Bi 1-y )O 3 ，式中A为稀土金属元素，0＜x≤0.01，0＜y＜0.1。该半导体陶瓷可采用传统电子陶瓷制备工艺制备，具体包括配料，焙烧，造粒，压型，烧成和电极制备6个步骤。与现有技术相比，本发明铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷制备工艺简单，导电性能良好，室温电阻率和温度系数可调，克服了现有负温度系数热敏电阻陶瓷材料室温电阻率大的不足，可实现室温电阻率为35Ω·cm，而温度系数B值为3147K的以BaBiO 3 为基础相的负温度系数热敏电阻半导体陶瓷。

公开(公告)号：CN101423391A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810073906.0

申请日：2008-11-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  江民红 ,  陈国华

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种新型铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，其主要特征是：以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Li2CO3、Sb2O3、Bi2O3和Fe2O3为原料，按照化学式(1－x－y)(K0.5Na0.5)NbO3－x LiSbO3－yBiFeO3，其中0≤x≤0.1， 0≤y≤0.05进行配料，用传统制陶工艺制成的陶瓷新产品。通过选择适当的x、y值及工艺参数，可使该体系的压电常数d33达250pC/N以上，平面机电耦合系数kp可达0.51以上，居里温度在365℃以上，200℃以下介电损耗(tanθ)低于3％，400℃以下介电损耗(tanθ)低于7％，烧结温度在1130℃以下。