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公开(公告)号：CN108842179B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201810769398.3
申请日：2018-07-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅铸锭的制备方法，包括如下步骤：对两种晶向不同的单晶籽晶进行切割，再将切割得到的单晶籽晶相邻间隔、紧密拼接形成籽晶层，铺设在坩埚底部；再将硅料置于籽晶层上，加热控制坩埚温度，使得硅料完全融化而籽晶层部分融化，诱导部分熔化的籽晶层生长，在籽晶拼接处形成了Σ3孪晶界，最后通过定向凝固得到了双晶向的多晶硅铸锭。本发明方法通过在籽晶拼接处人工设置了Σ3孪晶界避免了由于籽晶摆放形成的晶向差而导致的位错，规则的双晶向多晶硅铸锭上部的位错密度低于104/cm2，有效的提高了多晶硅铸锭的质量。
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公开(公告)号：CN110335805A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910482131.0
申请日：2019-06-04
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种用于石墨烯原位生长的硅片表面处理方法，包括步骤：(1)将干净的硅片浸入氢氟酸水溶液中，然后取出硅片，用去离子水冲洗后吹干；(2)将吹干后的硅片浸入苯酚衍生物的醇溶液中，然后取出硅片，用无水醇溶剂漂洗后吹干，得到用于石墨烯原位生长的硅片。本发明通过在洁净硅表面使用苯酚衍生物进行悬挂键钝化，一方面减小了硅片表面的接触角，另一方面给石墨烯的生长提供了成核位点，处理后的硅衬底可原位制备大面积石墨烯。本发明方法过程简单，效果明显。
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公开(公告)号：CN110224066A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910399234.0
申请日：2019-05-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种无辅助层的半透明钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其中，无辅助层的半透明钙钛矿太阳能电池包括：从下往上依次布置的透明导电基板、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和透明电极层，所述的透明电极层的材料为ITO、AZO或IZO，通过磁控溅射或电子束蒸发的方法沉积在空穴传输层上。本发明采用了兼容磁控溅射工艺的无机材料作为空穴传输层，制备了不需要辅助层的半透明钙钛矿太阳能电池，解决了辅助层制备困难、重复性低、稳定性差的难题，工艺简便，价格低廉。同时，本发明采用的无机材料也能够提高器件稳定性，大大降低空穴传输层的成本，有利于钙钛矿叠层太阳能电池的商业化应用。
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公开(公告)号：CN108754614A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810687268.5
申请日：2018-06-28
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: C30B35/002 , C30B29/06
Abstract: 本发明公开了一种使用二氧化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚的底座内表面设有氮化硅涂层和阻挡层，所述阻挡层为表面通过热氧化法生长有SiO2薄膜的太阳能级单晶硅基片。通过本发明提供的使用二氧化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚铸造的准单晶硅铸锭底部红区宽度可限制到约4mm左右，铸锭的少子寿命大于2μs；有效提高了准单晶硅锭的利用率。将本发明提供的准单晶锭切割成硅片，硅片中的杂质浓度较低，硅片的少子寿命较高，制成电池后的效率较高，其平均转换效率为18％～18.5％。
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公开(公告)号：CN102560627B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210073865.1
申请日：2012-03-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用直拉法生长硅单晶体。利用本发明方法制备得到的掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶可以将N型直拉硅单晶的整根晶体的电阻率控制在1.0～2.0Ω.cm范围内，有效提高N型硅晶体在制备太阳能电池过程中的利用率，从而显著降低太阳能电池的制造成本，操作简单，易于在光伏产业推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102747426A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210260235.5
申请日：2012-07-26
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种制备亚微米级绒面结构单晶硅片的织构液及其制备方法，其组分包括无机碱，低级醇，阴离子或非离子型表面活性剂和余量的去离子水；其制法为：先将去离子水加入制绒槽中，在搅拌的条件下依次加入无机碱，低级醇，阴离子或非离子型表面活性剂，继续搅拌10~30分钟，使其充分溶解、混合；该织构液可在硅片表面形成均匀的、亚微米级的金字塔结构，且覆盖率高，织构效果优异，工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN102005506B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010509992.2
申请日：2010-10-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/0288
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种抑制光衰减的掺锗晶体硅太阳电池及其制备方法，其制备方法包括：在多晶硅原料中掺入锗和硼，锗的浓度为1018～1021cm-3，硼的浓度为1015～1017cm-3，然后在保护气氛下，生长掺锗的晶体硅；将生长得到的晶体硅切片后，进行太阳电池的制备，包括：对切片后得到的硅片进行清洗和制绒；制绒后进行磷扩散；进行刻蚀及减反射膜的沉积；最后制备电极并烧结，得到掺锗晶体硅太阳电池。本发明方法简单，成本低廉，实现了整个太阳电池制备与常规工艺的兼容，制备出有效抑制光衰减的掺锗晶体硅太阳电池。
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公开(公告)号：CN101944553B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010283047.5
申请日：2010-09-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅片的铝硼共吸杂的方法，包括如下步骤：制备掺硼铝源，硅片清洗，利用镀膜技术在硅片表面形成硼铝层，一步或多步退火，硅片表层去除。本发明利用了硼相对铝在硅中有较大固溶度的特点，在铝中掺入硼，利用铝和硅的合金化过程将硼掺入到重掺层中，得到掺杂浓度很高的铝硼共吸杂层。本发明的铝硼共吸杂的方法，可以在相同退火温度下，形成更深、均匀、掺杂浓度更高的吸杂层；而且可以在较低的温度下达到其他工艺的吸杂效果，减少了高温对硅片性能的影响。本发明的铝硼共吸杂的方法具有成本低、易操作、吸杂效果好的特点，具有较大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101937946B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010283057.9
申请日：2010-09-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池硅片的表面织构方法，包括如下步骤：利用低成本的化学法制备均匀的纳米级银颗粒溶液；去除硅片表面损伤层，并对硅片进行预织构；将纳米级银颗粒溶液均匀涂覆在经预织构处理的硅片上，干燥；将得到的硅片浸泡在由双氧水、氢氟酸和无水乙酸组成的混合溶液中30s～10min；再浸泡在质量百分比浓度为40％～60％的硝酸中1～10min，并用去离子水清洗，得到了表面反射率很低的硅片。本发明工艺流程简单可行，成本低能耗低，重复性好、可移植性好并且产出高，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102142359A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010584771.1
申请日：2010-12-13
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/322
Abstract: 本发明公开了一种硅片外吸杂方法，包括以下步骤：将铟源涂布在硅片表面，在氧气气氛下，将硅片放入常规热处理炉或快速热处理炉中保温一段时间，冷却至室温，在氢氟酸中浸泡以去除表面玻璃层；其中，所述的保温温度为700℃-1000℃，在所述的常规热处理炉保温的时间为30-120分钟，在所述的快速热处理炉保温的时间为1-10分钟。本发明方法操作简单、成本低廉，且吸杂效果非常好。
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