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公开(公告)号：CN109714001A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811614859.6
申请日：2018-12-27
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC分类号： H02S50/10
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池切割损伤的检测方法，所述检测方法包括：通过测试太阳能电池切片前和切片后的开路电压，从而检测太阳能电池切割损伤，所述测试用仪器的光照强度为0.01-0.1sun；检测方法简单、稳定性高、灵敏度好，能够用于检测影响太阳能电池光转化效率的损伤。
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公开(公告)号：CN108054158A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711323292.2
申请日：2017-12-12
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L31/18 , G01R31/26
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池片及其制备方法和网版以及方阻和/或接触电阻率的测量方法，涉及太阳能电池技术领域，该用于测量接触电阻率的太阳能电池片，包括n条尺寸相同且平行设置的矩形电极；沿所述矩形电极的长度方向，所述矩形电极与电池片的边缘相交；其中，n≥3，用该太阳能电池片进行电极与硅片的接触电阻率测试能够缓解现有技术的测试结果不准确的技术问题，达到提高测试准确度的技术效果。
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公开(公告)号：CN107895699A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201711340622.9
申请日：2017-12-14
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
CPC分类号： H01L22/12 , H01L31/1876
摘要： 本发明涉及电池片生产技术领域，尤其是涉及一种花篮检测装置以及电池片生产系统。该花篮检测装置包括：检查机构；所述检查机构包括：升降装置和安装于所述升降装置的至少一个检查装置，所述检查装置的一端能够插入至所述花篮的装片槽，且在所述升降装置的带动下进行升降移动。该花篮检测装置用于检测花篮放置面是否形变、移位，将原有人为判断方式变为利用机械结构的方式进行判断，减少人为误差，从而保障机台上下料及硅片中转减少污染、碎片风险。
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公开(公告)号：CN107768264A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710898518.5
申请日：2017-09-28
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/14
摘要： 本发明公开了一种漏电检验装置，涉及太阳能电池检验装置技术领域。该漏电检验装置包括检验正板、检验背板及底座。检验背板固定设置在底座上；检验正板可拆卸设置在底座上。检验正板上设置有感温单元；感温单元的显示颜色可随温度的变化而变化。本发明的漏电检验装置，将电池片置于检验正板与检验背板之间，而后对电池片通电，若电池片存在漏电区域，漏电区域由于短路而发热，使得感温单元对应区域变色，由此确定漏电位置所在，感温单元对于漏电位置检验准确，成本低，解决了太阳能电池检验装置成本高的问题，具有进行推广应用的价值。
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公开(公告)号：CN107046073A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611260108.X
申请日：2016-12-30
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0288 , H01L31/035272 , H01L31/0682 , H01L31/1804
摘要： 本发明提供了一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池，所述制备方法为：将晶体硅片依次进行预处理、背面沉积钝化层、正面沉积减反射层、背面局部开口和背面沉积银浆料处理；在晶体硅片的背面局部开口处沉积掺杂介质，所述掺杂介质中包括铝元素以及在硅中固溶度大于铝元素的至少一种第三主族元素；将沉积掺杂介质后的晶体硅片依次经背面沉积第一电极浆料、正面沉积第二电极浆料和烧结处理，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池。本发明通过将至少两种第三主族元素以浆料的形式与硅进行掺杂，可显著增加电池背表面场强度，减少局部区域复合速率，进而大幅度提高开路电压和填充因子，最终大幅度提升电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN107871792B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201711323432.6
申请日：2017-12-12
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , G01R31/26 , H02S50/10
摘要： 本发明提供了一种光伏电池片及相应的网版与方阻和/或接触电阻率的测量方法，涉及光伏电池技术领域，该用于测量金属‑半导体接触电阻率的光伏电池片，光伏电池片表面包括M个由内至外设置的测试区域，每个测试区域内至少设置一组由N条矩形电极以平行间隔方式排布的测试电极；其中，M≥2；N≥3。利用该光伏电池片测试方阻和接触电阻率能够现有技术中利用TLM测试样品测试电池的方阻和接触电阻率不够准确的技术问题，达到提高测试准确度的效果。
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公开(公告)号：CN113075172B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201911304205.8
申请日：2019-12-17
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种双面对称钝化硅片表面复合电流密度分布的测试方法。所述测试方法包括如下步骤：制备双面对称钝化硅片，测试厚度和平均反射率；在一系列不同强度的光照条件下，测试双面对称钝化硅片的待测区域的过剩载流子浓度Δn和平均发光强度PL，根据Δn计算得出iVoC值；建立iVoc与ln(PL)之间的线性关系式iVoc＝a·ln(PL)+b；光照双面对称钝化硅片，测试任一区域的发光强度PLij，根据关系式iVOCij＝a·ln(PLij)+b和PLij值计算得到双面对称钝化硅片表面的复合电流密度分布J0ij。本发明提供的测试方法具有远高于少子寿命测试仪的分辨率，可以获取双面对称钝化硅片整面上的复合电流密度分布。
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公开(公告)号：CN112928180B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201911236922.1
申请日：2019-12-05
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/223
摘要： 本发明公开了一种适用于激光掺杂技术的扩散方法，其特征在于，在降温氧化过程中控制气氛为纯O2气氛，使扩散层表面生长的二氧化硅与表面掺杂的磷源反应生成40～50nm厚的磷硅玻璃，所述降温氧化之后还进行后氧化步骤，且在后氧化过程中控制气氛为纯O2气氛。一方面降低表面活性掺杂浓度降低少子复合，进而提升Voc和Isc，另一方面，降低重掺区方阻，进而改善/金属接触，从而在进一步提升Voc和Isc增益的基础上，降低电池的Rs和FF损失，最大化提升电池的Eff。
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公开(公告)号：CN113078232A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201911305032.1
申请日：2019-12-17
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种N型电池结构及其制备方法。包括N型硅体材料及形成于所述N型硅体材料表面的金属栅线电极，其特征在于，所述N型硅体材料的背面设有绒面部分及抛光面部分，所述金属栅线电极与N型硅体材料接触的位置位于所述绒面部分内。背面金属栅线电极采用绒面结构，增大了金属栅线与硅的接触面积，改善接触电阻；抛光区域的平坦表面，能够改善背面钝化效果，降低表面复合速率，同时增强对长波的内反射，提高正面电流。
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公开(公告)号：CN113075172A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201911304205.8
申请日：2019-12-17
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种双面对称钝化硅片表面复合电流密度分布的测试方法。所述测试方法包括如下步骤：制备双面对称钝化硅片，测试厚度和平均反射率；在一系列不同强度的光照条件下，测试双面对称钝化硅片的待测区域的过剩载流子浓度Δn和平均发光强度PL，根据Δn计算得出iVoC值；建立iVoc与ln(PL)之间的线性关系式iVoc＝a·ln(PL)+b；光照双面对称钝化硅片，测试任一区域的发光强度PLij，根据关系式iVOCij＝a·ln(PLij)+b和PLij值计算得到双面对称钝化硅片表面的复合电流密度分布J0ij。本发明提供的测试方法具有远高于少子寿命测试仪的分辨率，可以获取双面对称钝化硅片整面上的复合电流密度分布。
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