一种具有缓冲层的ZnO薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN108560051A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201810560607.3

    申请日:2018-06-04

    IPC分类号: C30B29/16 C30B25/06 C30B25/18

    CPC分类号: C30B29/16 C30B25/06 C30B25/18

    摘要: 本发明公开一种具有缓冲层的ZnO薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、清洗单晶硅衬底,去除单晶硅衬底表面的油污和杂质;S2、采用磁控溅射设备,以Al靶为靶材,将单晶硅衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内,通入溅射气体Ar以及反应气体N2,在单晶硅衬底表面溅镀AlN缓冲层;S3、以Al靶与ZnO靶为靶材,在AlN缓冲层表面溅镀由AlN与ZnO构成的复合缓冲层;S4、以ZnO靶为靶材,在复合缓冲层表面溅镀ZnO膜层,得到具有缓冲层的ZnO薄膜;避免了ZnO膜层直接与单晶硅衬底进行接触,提高了镀制的ZnO膜层的结晶质量;整个过程就是简单的磁控溅射镀膜,过程简单,可控性、重复性较高。

    一种具有微结构的多层膜透明导电玻璃制备方法

    公开(公告)号:CN107611188A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710796298.5

    申请日:2017-09-06

    IPC分类号: H01L31/0236 H01L31/0216

    CPC分类号: Y02E10/50

    摘要: 本发明公开一种具有微结构的多层膜透明导电玻璃制备方法,包括以下步骤:S1、在玻璃衬底表面室温下溅射生长下ZnO基薄膜;S2、采用线棒刮涂法,在下ZnO基薄膜表面制备单层离散分布的聚苯乙烯小球掩膜层;S3、采用射频磁控溅射工艺,利用聚苯乙烯小球掩膜层作为掩膜,在下ZnO基薄膜表面室温下溅射生长上ZnO基薄膜;上ZnO基薄膜的厚度小于聚苯乙烯小球的直径;S4、通过乙醇浸泡处理,去除聚苯乙烯小球掩膜层以及聚苯乙烯小球掩膜层上方的ZnO基薄膜,使上ZnO基薄膜表面形成一组离散分布的球坑,得到表面呈凹凸织构化结构的多层膜透明导电玻璃;本方法能够得到高透过率、低电阻的透明导电玻璃,并且其表面微结构可控。

    一种用于隔热的磷酸铝基粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN114477117A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202111548647.4

    申请日:2021-12-17

    IPC分类号: C01B25/36

    摘要: 本发明涉及一种用于隔热的磷酸铝基粉体及其制备方法,其特征在于:(1)室温下,将水、异丙醇与聚乙二醇按摩尔比450‑550:380‑420:0.5~5混合;(2)加异丙醇铝、磷酸,控制异丙醇铝:磷酸:异丙醇摩尔比为1:200~500:380‑420,在磁力搅拌器中混匀;(3)继续加三乙胺,控制异丙醇铝:三乙胺摩尔比为1:10~50,搅拌;密封放置得湿凝胶;(4)向湿凝胶中分批加入乙醇,搅匀后置于马弗炉,先升至500℃后升至500~1000℃,保温、冷却,得白色磷酸铝粉体。本发明优点:工艺简单,微观结构可控,制得的磷酸铝粉末比表面积大、化学性质稳定,抗氧化、耐高温,具有特殊的光谱特性;相比水热法,溶胶‑凝胶法耗能更低;有机物模板的加入实现了内部造孔,使其在隔热方面具有良好的应用前景。

    一种用于BIPV的铜铟镓硒太阳能电池

    公开(公告)号:CN113937169A

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202111124682.3

    申请日:2021-09-25

    摘要: 本发明提供了一种用于BIPV的铜铟镓硒太阳能电池,包括背板玻璃,自所述背板玻璃表面向外依次为铜铟镓硒电池功能层/胶膜层/紫外电池功能层/盖板玻璃/减反射膜层。与现有电池相比,本发明具有以下优点和效果:采用化学溶液法制备p型氧化锌膜层与n型氧化锌膜层,以此在盖板玻璃内表面形成紫外电池功能层,这样,通过紫外电池功能层吸收紫外光,并可利用紫外光发电,提高太阳光谱的利用率,且能有效降低紫外线的伤害,延长铜铟镓硒电池使用寿命;同时通过控制p型与n型氧化锌膜层材料折射率和膜层厚度,使反射光产生干涉的波长不同,并同黑色电池功能层相结合,从而获得具有与环境、建筑外观匹配的多种颜色的铜铟镓硒太阳能电池。