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公开(公告)号：CN114611456A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210417667.6
申请日：2022-04-20
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G06F30/398 , G06F111/10 , G06F115/02 , G06F119/02
摘要： 本发明属于半导体器件单粒子效应仿真领域，尤其涉及一种模拟粒子入射下纳米器件单粒子瞬态响应的方法。克服基于传统数值仿真模拟不能准确得到纳米器件对不同粒子的单粒子瞬态响应的难题。本发明利用Geant4仿真计算出的电荷密度分布作为重离子参数导入到纳米器件模型中进行器件单粒子效应仿真，得到入射粒子在器件中产生的单粒子瞬态响应。相比与传统TCAD仿真中只能比较LET值对器件单粒子瞬态的影响，本发明可以直接比较能量和粒子种类变化对器件单粒子瞬态的影响。同时本方法通过仿真发现，对于纳米器件，不同粒子在LET值相同，由于其径向分布不同，其单粒子瞬态响应差别较大。所以利用本方法可以更加准确的评估器件在不同辐射环境下的辐射效应。
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公开(公告)号：CN108181524B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201711375663.1
申请日：2017-12-19
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01R31/00 , G06F30/398
摘要： 本发明提供了一种辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法，充分考虑到电子系统与底层器件失效判据不同的实际状况，通过逐一辐照电子系统中底层器件并进行概率合成以评价整个电子系统单粒子效应敏感性，解决了现有系统级单粒子效应敏感性评价方法未考虑底层器件与电子系统明显失效判据不同以及单粒子防护措施多样性的技术问题。
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公开(公告)号：CN108508351B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810278455.8
申请日：2018-03-30
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及一种基于双‑双指数电流源的单粒子故障注入仿真方法，包括1)单管辐射模型建立与参数提取；2)对CMOS工艺反相器电路执行器件与电路混合仿真，选取的入射离子LET值，获取单粒子瞬态脉冲电流；3)在目标电路故障注入节点插入如下形式的双‑双指数电流源的步骤，考虑电路实际的负载情况，通过增加一个双指数电流源来增加仿真精度，在保证注入脉冲波形正确的前提下提高注入电荷总量的准确度，解决了传统故障注入方法在瞬态电流注入时参数提取复杂、高估注入电荷总量、非常耗时的技术问题。
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公开(公告)号：CN106813637B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201611245767.6
申请日：2016-12-29
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01B21/00 , G01R31/26 , G01R31/265
摘要： 本发明提供一种脉冲激光单粒子效应背辐照定位方法，通过测量管芯和待测区域顶点坐标，利用绘图软件做出管芯正面平面图，经过对正面平面图两次旋转操作、一次镜像操作和一次平移操作得到背面辐照时待测区域的位置坐标。本发明发明可以在没有红外成像系统的情况下，从芯片背面对从正面指定的待测区域定位并进行辐照实验；节省了脉冲激光装置背辐照光路系统的购置和改造费用，降低了实验成本。
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公开(公告)号：CN108508351A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810278455.8
申请日：2018-03-30
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及一种基于双-双指数电流源的单粒子故障注入仿真方法，包括1)单管辐射模型建立与参数提取；2)对CMOS工艺反相器电路执行器件与电路混合仿真，选取的入射离子LET值，获取单粒子瞬态脉冲电流；3)在目标电路故障注入节点插入如下形式的双-双指数电流源的步骤，考虑电路实际的负载情况，通过增加一个双指数电流源来增加仿真精度，在保证注入脉冲波形正确的前提下提高注入电荷总量的准确度，解决了传统故障注入方法在瞬态电流注入时参数提取复杂、高估注入电荷总量、非常耗时的技术问题。
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公开(公告)号：CN108181524A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711375663.1
申请日：2017-12-19
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明提供了一种辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法，充分考虑到电子系统与底层器件失效判据不同的实际状况，通过逐一辐照电子系统中底层器件并进行概率合成以评价整个电子系统单粒子效应敏感性，解决了现有系统级单粒子效应敏感性评价方法未考虑底层器件与电子系统明显失效判据不同以及单粒子防护措施多样性的技术问题。
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公开(公告)号：CN106847330A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611247460.X
申请日：2016-12-29
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G11C11/22
摘要： 本发明提供一种铁电存储器抗单粒子翻转加固方法，包括选取样品芯片并按照辐照剂量分组；辐照样品并经与未辐照样品对比，去除性能严重退化的样品芯片；将得到的性能正常的样品芯片在重离子加速器上进行单粒子翻转测试；同时将未经辐照的相同批次的样品芯片作为对照组，在相同的实验环境下进行测试；得到不同累积剂量下该样品芯片的单粒子翻转截面；分析e中的截面数据，得到能够满足加固需求的最佳累积剂量，并将其作为该款铁电存储器的抗单粒子翻转加固的标准剂量。本发明是一种外部加固方法，不改变芯片的版图、生产工艺，也不改变芯片的封装尺寸以及工作时序，因此经过加固的芯片可直接用于替换未加固的芯片，无需重新设计电路。
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公开(公告)号：CN106443202A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610790514.0
申请日：2016-08-31
IPC分类号： G01R29/02
CPC分类号： G01R29/023
摘要： 本发明涉及一种片上自触发单粒子瞬态脉冲宽度测量方法及系统。包括组合逻辑电路；所述组合逻辑电路包括目标电路模块、选通电路模块、单粒子瞬态脉冲宽度测量模块和延时单元延迟时间标定模块。本发明提供了一种自触发信号产生电路结构简单，不需要特殊的延迟设计的一种片上自触发单粒子瞬态脉冲宽度测量方法及系统。
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公开(公告)号：CN106405385A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610793863.8
申请日：2016-08-31
IPC分类号： G01R31/317
CPC分类号： G01R31/31718
摘要： 本发明涉及一种基于触发器链的逻辑电路单粒子效应测试方法。包括一下步骤：1】基于某个工艺节点设计多级数触发器链；2】对触发器链进行版图设计，再进行版图寄生参数提取；3】利用某个重离子LET值的辐射源进行单粒子效应实验；4】通过时钟信号得到触发器主从锁存器的单粒子翻转截面比值∈；5】通过下列公式计算不同频率下的触发器单粒子翻转的时间敏感因子TVF；6】通过步骤3】和步骤5】得到多级触发器链中组合逻辑单元单粒子瞬态引起的软错误截面；然后对实验结果进行线性拟合。本发明提供了一种准确评估基于触发器链的逻辑电路的单粒子效应的测试方法。
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公开(公告)号：CN105022859A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510233269.9
申请日：2015-05-08
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了器件的重离子单粒子多位翻转效应的定量分析方法，所述方法包括：选择重离子种类，依据相应的原则设定合适的注量率对开盖器件进行辐照，测试系统记录器件发生单粒子翻转的存储单元逻辑地址及数据，达到预计的单粒子翻转数或最大离子注量时停止辐照。建立器件逻辑地址到物理地址的映射关系，依据物理位图，统计单粒子翻转数、单粒子单位翻转和多位翻转事件数。结合离子注量，计算单粒子单位翻转和多位翻转事件概率、多位翻转均值、多位翻转截面等参数。本发明能够为器件抗单粒子翻转加固设计提供技术支撑和信息，并验证评价加固技术的有效性。
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