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公开(公告)号：CN117387830B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311684052.0
申请日：2023-12-11
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明公开了适用于MEMS压力传感器的封装结构及其封装方法，属于封装技术领域，本发明是在载有压敏芯片的玻璃基座底端增设传感结构，一方面在进行封装定位时，便于利用传感结构将压敏芯片悬放于外壳体内部，待封装完成后，传感结构用于受压介质的传感，压敏芯片与封装壳体相隔离，且将上传感柱与下传感柱设置成紧密滑动式结构，在初始状态下，下传感柱嵌设于限位环内部，不影响传感结构外部封装，当封装完毕后，向下拉动下传感柱直至其上端部脱离限位环，下传感柱与上传感柱由接触状态转变成非接触状态，进一步避免外壳体上的形变压力通过传感结构向上传递给压敏芯片，有效保障了压敏芯片对高频动态信号的测量精度及频率响应范围。
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公开(公告)号：CN117129114B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311371856.5
申请日：2023-10-23
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种带温补开环电桥平衡结构的高精度压力传感器，其通过采用了串联电阻模式，使得所需调节的电阻的阻值范围小，易于实现，温度补偿效果更好。其包括由第一压敏电阻R1、第二压敏电阻R2、第三压敏电阻R3、第四压敏电阻R4构成的惠斯通电桥，第二压敏电阻R2与第三压敏电阻R3之间设有调零电阻R5、且其两端分别连接地GND；当调零电压大于0时，则将第三压敏电阻R3与调零电阻R5相连的节点与地GND之间的线路切断，使得调零电阻R5与第三压敏电阻R3串联；当调零电压小于0时，则将第二压敏电阻R2与调零电阻R5相连的节点与地GND之间的线路切断，使得调零电阻R5与第二压敏电阻R2串联。
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公开(公告)号：CN117405286A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311440249.X
申请日：2023-11-01
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种可实现自动标定传感器的装置，包括框架，框架下部安装有平台，平台的顶面安装有标定工装，该标定工装包括工装上盖和工装底座；工装底座的顶面安装有密封框，位于该密封框内侧的工装底座表面安装有针板，该针板的顶面布设有若干探针，该探针的上端用于支撑传感器；密封框和工装底座通过密封圈凹槽安装有密封圈；在工装上盖上还开设有进气口，该进气口用于和压力控制器相连通。本发明通过对工装上盖施力，让工装上盖与工装底座之间的密封圈压缩，从而使密封框与工装上盖和工装底座组合成一个密封的压力腔体，给传感器提供一个稳定的压力点。
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公开(公告)号：CN117222293A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311471216.1
申请日：2023-11-07
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种多堆叠双排布高响应流量芯片的制作方法。该方法包括在衬底上制作一层氮化硅支撑层后，在其表面制作多晶硅层，通过光刻图形化形成上下游测温热电堆下层热电偶和中心热源层热电偶；制作第二多晶硅层，通过光刻图形化形成位于上下游测温热电堆下层热电偶上方的中层热电偶；制作第二隔离层进行电绝缘隔离，通过光刻并沉积导电层形成连接热电偶的第一导线、第二导线，制作第三隔离层进行电绝缘隔离；制作第三多晶硅层，通过光刻图形化形成位于上下游测温热电堆中层热电偶上方的上层热电偶。在第三多晶硅层上制作第四隔离层，通过光刻并沉积导电层形成连接热电偶的第三导线和第四导线。本发明增加了测温元件的输出和灵敏度。
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公开(公告)号：CN116412941A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310689320.1
申请日：2023-06-12
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明涉及压力传感器技术领域，具体公开了一种MEMS压电式压力传感器及其制备方法，MEMS压电式压力传感器包括第二衬底层、压力敏感薄膜和热电发电机，压力敏感薄膜设置在第二衬底层的上表面，热电发电机设置在压力敏感薄膜的上表面，热电发电机包括第三衬底层、P型热电腿、N型热电腿、热电电极、绝缘层和散热层，第三衬底层位于压力敏感薄膜的上表面，P型热电腿和N型热电腿交错排列在第三衬底层的内部上端，热电电极位于第三衬底层的上表面，并且热电电极分别连接P型热电腿和N型热电腿，绝缘层位于热电电极的上表面，散热层位于绝缘层的上表面。本发明提供的MEMS压电式压力传感器，能够实现更高效的压力检测。
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公开(公告)号：CN115235681B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211151572.0
申请日：2022-09-21
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本申请公开了一种MEMS压力传感器的封装结构及方法，所述MEMS压力传感器的封装结构包括：膜片，与底座形成密封腔体，所述密封腔体内部设有传感介质及压力传感芯片，当外界压力增大时，所述膜片向所述密封腔体的内侧弯曲，以使所述密封腔体收缩并通过传感介质向压力传感芯片传递压力；封盖，设于所述底座上并悬置于所述膜片的远离所述密封腔体的一侧；连接于所述膜片的第一电极和连接于所述封盖的第二电极，当所述封盖和所述膜片通过对应电极接入电压时，所述封盖与所述膜片之间产生用于平衡过载压力的静电引力。本申请的封装结构可以避免密封腔体因压力过载而过渡收缩导致传感芯片损坏，从而实现过载保护。
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公开(公告)号：CN115078290B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210855664.0
申请日：2022-07-21
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： G01N21/3504 , G01N21/01 , C23C28/04 , C30B28/12 , C30B29/06 , C30B33/00 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C16/34 , C23C16/40
摘要： 本发明提供了一种适于NDIR原理气体传感器芯片及其制备方法，其将微凸透镜与NDIR红外气体传感器芯片在芯片制造过程中就进行集成，使得微凸透镜能够很好的汇聚聚集红外光的能量在红外检测芯片的敏感区域，提升了芯片输出，进而提升了整个传感器的气体探测灵敏度，其特征在于：其包括芯片本体和微凸透镜，所述芯片本体和微凸透镜通过光学胶粘剂固定在一起，所述微凸透镜的圆弧面位于芯片本体的黑色吸光层上方。
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公开(公告)号：CN115235681A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202211151572.0
申请日：2022-09-21
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本申请公开了一种MEMS压力传感器的封装结构及方法，所述MEMS压力传感器的封装结构包括：膜片，与底座形成密封腔体，所述密封腔体内部设有传感介质及压力传感芯片，当外界压力增大时，所述膜片向所述密封腔体的内侧弯曲，以使所述密封腔体收缩并通过传感介质向压力传感芯片传递压力；封盖，设于所述底座上并悬置于所述膜片的远离所述密封腔体的一侧；连接于所述膜片的第一电极和连接于所述封盖的第二电极，当所述封盖和所述膜片通过对应电极接入电压时，所述封盖与所述膜片之间产生用于平衡过载压力的静电引力。本申请的封装结构可以避免密封腔体因压力过载而过渡收缩导致传感芯片损坏，从而实现过载保护。
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公开(公告)号：CN115127630A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202211068252.9
申请日：2022-09-02
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种双轴多向MEMS热式流量传感器的制备方法，其使用多孔结构的固态隔热技术，该结构可靠稳定，防止了芯片损坏，并且设置三组热电堆进行X轴向、Y轴向和45°轴向的排布，使得芯片适用于监测多轴向流入的气体流量，其包括以下步骤：步骤1、得到减薄后的硅片结构；步骤2、得到固态多孔隔热结构；步骤3、沉积氧化硅支撑层和氮化硅支撑层；步骤4、形成镂空圆形中心热源结构；步骤5、制作热电堆和芯片本体电极；步骤6、形成一层微阵列微针圆锥结构；步骤7、沉积碳化硅保护层；步骤8、将芯片本体封装于凹槽内。
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公开(公告)号：CN113511511A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110927391.1
申请日：2021-08-10
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： B65G47/91
摘要： 本发明涉及一种用于测试机的料管搬运系统，包括支撑机构、搬运机构、料管固定机构；支撑机构包括用于支撑搬运机构的电缸立柱；搬运机构包括固定在电缸立柱上的搬运气缸，在搬运气缸上设置用于固定料管固定机构的移载安装板，所述移载安装板沿搬运气缸滑动；所述料管固定机构包括固定在移载安装板上的吸盘安装板，在吸盘安装板上设置用于吸附料管的真空吸盘，吸盘安装板上设置驱动真空吸盘的吸盘气缸。本方案可以灵活变换吸盘安装板的长宽，以及真空吸嘴型号或是增减吸嘴数量来自动搬运目标，减少了人员的参与时间，并且有光感传感器，能够及时识别是否有需要搬送的料管。
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