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公开(公告)号：CN104109159A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201310134894.9
申请日：2013-04-17
申请人： 杭州普晒医药科技有限公司
IPC分类号： C07D417/04 , A61K31/506 , A61P35/00
CPC分类号： C07D417/04 , C07B2200/13 , C30B7/06 , C30B7/14 , C30B29/54
摘要： 本发明涉及苯磺酰胺噻唑化合物的新晶型及其制备方法。具体而言，本发明涉及化合物N-[3-[5-(2-氨基-4-嘧啶基)-2-(叔丁基)-4-噻唑基]-2-氟苯基]-2,6-二氟苯磺酰胺的多种新晶型。本发明所述新晶型具有在室温条件或在含水体系中更稳定的优点，因此相对于现有的晶型，具有更好的稳定性。
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公开(公告)号：CN104086555A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410279515.X
申请日：2014-06-20
申请人： 昆明学院
摘要： 本发明涉及一种新晶体结构酞菁钴纳米线及其制备方法领域。提供了一种酞菁钴纳米线，具有J-酞菁钴结构，直径为150nm以下。还提供了一种制备所述的酞菁钴纳米线的方法，包括下列步骤：a)引入酞菁钴源料至管式炉中的加热区域；b)在载气存在下，加热该酞菁钴源料至最高600℃；c)通过该载气，引导该升华的酞菁钴离开该加热区域，至生长区域；d)在该生长区域，得到酞菁钴纳米线。本发明提出利用气相沉积法，生长得到的纳米量级的酞菁钴晶体，提升和改善了酞菁钴的物理和化学性质，如光谱吸收能力和载流子迁移率等，能更好地应用于染料、光电导材料、液晶、电致变色、催化、太阳能电池等领域。
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公开(公告)号：CN103755633A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410036268.0
申请日：2014-01-21
申请人： 安庆师范学院
IPC分类号： C07D215/40 , C30B29/54 , C09K11/06
CPC分类号： C07F3/003 , C09K11/06 , C09K2211/188 , C30B7/14 , C30B29/54
摘要： 本发明公开了8-氨基喹啉高氯酸锌金属配合物及其制备方法与应用。将Zn(ClO4)2和8-氨基喹啉分别溶于甲醇溶剂中。上述两种溶液混合，搅拌下回流，过滤，滤液在非极性溶剂中萃取，两星期后得到分子式为C18H16C12N4O8Zn的配合物单晶。该配合物通过氢键和π…π芳香环堆积构成三维超分子结构。荧光分光光度计测试表明该物质具有优良的荧光性能，可作为发光材料应用。
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公开(公告)号：CN101270128B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710073648.1
申请日：2007-03-23
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： C07D215/30 , C30B7/00 , C30B29/54 , Y10S977/788 , Y10S977/896
摘要： 本发明提供一种8-羟基喹啉铝纳米晶的制备方法，其包括以下步骤：将8-羟基喹啉铝粉末溶解于有机溶剂中，得到溶液A；将表面活性剂溶解于水中，得到溶液B；将溶液A与溶液B通过剧烈搅拌或强力超声均匀混合后，得到均一的乳液C；在40℃至90℃的温度下，将乳液C搅拌蒸发或减压蒸馏2至8小时以去除有机溶剂，离心分离后即得到8-羟基喹啉铝纳米晶。该制备方法操作简单、能耗低、适于工业化生产，且该方法制备所得的8-羟基喹啉铝纳米晶易于通过简单的旋涂法形成均一、致密的膜。
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公开(公告)号：CN101108783B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200710140774.4
申请日：2002-08-07
申请人： 旭化成株式会社
发明人： 南方尚
IPC分类号： C07C15/20 , C30B29/54 , C30B7/06 , H01L29/786 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0055 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/54 , H01L51/0003 , H01L51/0052 , H01L51/0545
摘要： 本发明涉及一种适合于电子学、光学、生物电子学等的有机半导体薄膜及其制造方法。此外，涉及成为该有机半导体薄膜原料的有机半导体溶液。另外，涉及采用该有机半导体薄膜的有机半导体元件。本发明的晶体管，是通过在玻璃基板(5)上依次叠层栅电极(2)、绝缘体层(3)、源电极及漏电极(4，4)，进而，在其上面涂布戊省的邻二氯苯溶液(0.05质量％)，干燥，形成有机半导体薄膜(1)得到的。可低成本且容易地形成该有机半导体薄膜(1)，由于几乎无缺陷，所以本发明能够提供电子特性优良的晶体管。
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公开(公告)号：CN101503415A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910105953.3
申请日：2009-03-10
申请人： 深圳市危险废物处理站有限公司
IPC分类号： C07F1/08 , C07C229/76 , A23K1/16
CPC分类号： C30B29/54 , A23K20/142 , C07C229/76 , C30B7/00
摘要： 一种氨基酸螯合羟基氯化铜结晶的制备方法及用途，制备方法包括：a.将粉晶碱式氯化铜、氨基酸及水按1∶0～4∶1～10的摩尔比在搅拌或挤压条件下混合均匀，在10～90℃的温度反应2～72小时，得到氨基酸螯合羟基氯化铜结晶。b.将混合反应得到的氨基酸螯合羟基氯化铜结晶产物直接干燥或经过重结晶工艺得到产品。该方法制备的氨基酸螯合羟基氯化铜用作动物饲料的营养元素添加剂。本发明的方法生产成本低，无废液污染，产物纯度高，生物吸收利用率高，易于实现工业化。
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公开(公告)号：CN100334263C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN02815611.0
申请日：2002-08-07
申请人： 旭化成株式会社
发明人： 南方尚
IPC分类号： C30B29/54 , C30B7/06 , H01L29/786 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0055 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/54 , H01L51/0003 , H01L51/0052 , H01L51/0545
摘要： 本发明涉及一种适合于电子学、光学、生物电子学等的有机半导体薄膜及其制造方法。此外，涉及成为该有机半导体薄膜原料的有机半导体溶液。另外，涉及采用该有机半导体薄膜的有机半导体元件。本发明的晶体管，是通过在玻璃基板(5)上依次叠层栅电极(2)、绝缘体层(3)、源电极及漏电极(4，4)，进而，在其上面涂布戊省的邻二氯苯溶液(0.05质量%)，干燥，形成有机半导体薄膜(1)得到的。可低成本且容易地形成该有机半导体薄膜(1)，由于几乎无缺陷，所以本发明能够提供电子特性优良的晶体管。
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公开(公告)号：CN1845881A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480025601.2
申请日：2004-08-04
申请人： 圣戈班欧洲设计研究中心
CPC分类号： B28B7/348 , B28B1/261 , B28B7/12 , C03B19/06 , C03B19/066 , C03B20/00 , C04B35/14 , C04B35/6263 , C04B35/62665 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6027 , C04B2235/608 , C04B2235/61 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9615 , C30B7/14 , C30B29/54 , C30B35/00 , Y10T428/131
摘要： 本发明涉及一种用于制造烧结的二氧化硅部件的方法，其包括以下步骤：a)在模具(10)的内部(14)和外部(12)之间浇注基于无定形二氧化硅粉末和液体的淤浆，以限定所述部件(40)的壁(38)的范围，b)至少部分地排出所述液体，以获得预成形件，c)使所述预成形件脱模，以获得坯件，d)进一步干燥所述坯件，e)烧结所述坯件。这种方法的优异之处在于，在步骤b)中，在至少一个用于限定所述壁(38)的可用部分的范围的区域中，所述液体经由所述模具(10)的所述内部(14)和所述外部(12)中的仅仅一个部分排出，所述不可渗透部分具有可变形的里衬(30)。
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公开(公告)号：CN1263063C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN03116285.1
申请日：2003-04-10
申请人： 复旦大学
CPC分类号： B82Y10/00 , C30B23/007 , C30B29/54 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2209/0223
摘要： 本发明涉及一种可用于平面显示的场致发射纳米材料，具体为Ag和TCNQ按1∶1化学计量比生成的Ag(TCNQ)纳米线。该材料可采用真空条件下的饱和蒸气反应法制备获得，生成的Ag(TCNQ)纳米线(晶须)基本上垂直于基板。为了降低场发射阈值，可在晶须上用常规真空镀膜法，再覆盖一层纳米厚度的金属或氟化锂薄层。
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公开(公告)号：CN1541288A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN02815611.0
申请日：2002-08-07
申请人： 旭化成株式会社
发明人： 南方尚
IPC分类号： C30B29/54 , C30B7/06 , H01L29/786 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0055 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/54 , H01L51/0003 , H01L51/0052 , H01L51/0545
摘要： 本发明涉及一种适合于电子学、光学、生物电子学等的有机半导体薄膜及其制造方法。此外，涉及成为该有机半导体薄膜原料的有机半导体溶液。另外，涉及采用该有机半导体薄膜的有机半导体元件。本发明的晶体管，是通过在玻璃基板(5)上依次叠层栅电极(2)、绝缘体层(3)、源电极及漏电极(4，4)，进而，在其上面涂布戊省的邻二氯苯溶液(0.05质量％)，干燥，形成有机半导体薄膜(1)得到的。可低成本且容易地形成该有机半导体薄膜(1)，由于几乎无缺陷，所以本发明能够提供电子特性优良的晶体管。
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