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公开(公告)号:CN101639506B
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN200910041275.9
申请日:2009-07-16
申请人: 旭丽电子(广州)有限公司 , 光宝科技股份有限公司
发明人: 严道成
CPC分类号: G01R31/3004
摘要: 一种电子装置,其包括:一第一电源接点、一第二电源接点及一控制单元。其中,第一电源接点是电性连接一电压源的正极端,第二电源接点是电性连接电压源的负极端,而控制单元是电性连接第一电源接点及第二电源接点,以形成一信号传输路径,并接收电压源的供电。其中,当控制单元执行于一测试模式时,控制单元是依据预设的一指令集中的指令来进行启闭运作,以改变信号传输路径所传输的一电流波形信号。藉此,以达到测试方便且测试效率高的目的。
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公开(公告)号:CN101173972B
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN200710184831.9
申请日:2007-10-30
IPC分类号: G01R31/00 , G01R31/28 , G01R31/317 , G01R31/3173
CPC分类号: G01R31/3004
摘要: 在一个实施例中,一种测试系统测试被测设备(DUT)。DUT包括执行内建自测(BIST)程序的内部测试控制器。内建自测程序包括基于阵列的自动内建自测程序、离散和组合逻辑内建自测程序、以及功能架构验证程序(AVP)。外部制造系统测试控制器管理DUT内的内部测试控制器,并且为向DUT供电的电源输入电压确定最小运行电压电平。逻辑仿真器提供建模能力,以进一步增强DUT的最小电压电源输入运行值的发展。
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公开(公告)号:CN101865941A
公开(公告)日:2010-10-20
申请号:CN201010005302.X
申请日:2010-01-13
申请人: 精工电子有限公司
IPC分类号: G01R19/00
CPC分类号: H03K17/223 , G01R19/16519 , G01R31/3004
摘要: 本发明提供一种电路规模小的电压检测电路。PMOS晶体管(11)具有与最低工作电压相等的阈值电压的绝对值(Vtp)。当电源电压(VDD)高于最低工作电压时PMOS晶体管(11)导通而有电流流过。这样,基于电流,电容(15)发生输出电压(Vout)。
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公开(公告)号:CN101488467B
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN200810185661.0
申请日:2008-12-19
申请人: (株)提尔爱
发明人: 全龙源
CPC分类号: H03K3/35613 , G01R31/3004
摘要: 本发明涉及高电压应力测试电路。一种高电压应力测试电路,包括:内部数据生成单元,其用于生成内部数据和反转内部数据;以及电平移位器,其用于接收内部数据和反转内部数据,并生成数字数据和反转数字数据。在正常模式下,内部数据和反转内部数据具有对应于输入数据的逻辑状态,而数字数据和反转数字数据具有对应于内部数据和反转内部数据的逻辑状态。在高电压应力测试模式下,内部数据和反转内部数据具有预定的逻辑状态,而与输入数据的逻辑状态无关;并且数字数据和反转数字数据具有预定的逻辑状态,而与内部数据的逻辑状态和反转内部数据的逻辑状态无关。
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公开(公告)号:CN101738579A
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200910221735.6
申请日:2009-11-16
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: G01R31/30
CPC分类号: G01R31/3004 , G01R31/31703
摘要: 本发明涉及被测试装置电路、集成电路以及半导体晶圆工艺监视电路。发明公开一种数字工艺监视的电路及方法。公开对应具有工艺相关特性的装置比较电流或电压对电流或电压的电路,转换正比于工艺相关电路特性的电流或电压测量为数字信号以及输出数字信号作为监控。工艺相关电路特性可能选自晶体管临界电压、晶体管饱和电流以及温度相关数量。使用数字技术例如数字滤波以及数字信号处理实施校正。数字工艺监视电路可能成为用于晶圆特性描述的切割道电路或放置于集成电路晶片中作为巨集。工艺监控电路可能使用探测垫或扫描测试电路存取。公开使用数字输出监控工艺特性的方法。
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公开(公告)号:CN100593121C
公开(公告)日:2010-03-03
申请号:CN200580043108.8
申请日:2005-12-16
申请人: 泰拉丁公司
发明人: 欧内斯特·P·沃克 , 罗纳德·A·萨特斯奇夫
CPC分类号: G01R31/2886 , G01R31/2839 , G01R31/2889 , G01R31/3004
摘要: 用于提供电流至被测器件的设备包括被配置成提供电流至器件的第一参数测量单元和被配置成提供电流至器件的第二参数测量单元。来自第二参数测量单元的电流增大了在器件处的来自第一参数测量单元的电流。
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公开(公告)号:CN101512360A
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200780010954.9
申请日:2007-03-29
申请人: 爱特梅尔公司
IPC分类号: G01R31/28
CPC分类号: G01R31/40 , G01R31/3004
摘要: 本发明提供一种用于测试集成电路中的上电复位电路的电路,其包括耦合到所述集成电路的第一I/O焊盘的高压检测器。所述集成电路中的上电复位电路具有耦合到由高压供电的驱动器电路的输出。所述集成电路的第二I/O焊盘耦合到所述驱动器电路的所述输出。所述驱动器电路可由所述集成电路的第三I/O焊盘上提供的信号启用。
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公开(公告)号:CN101241770A
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200810003193.0
申请日:2008-01-15
申请人: 三星电子株式会社
发明人: 李钟弦
CPC分类号: G01R31/318511 , G01R31/3004 , G11C11/41 , G11C29/006 , G11C29/50 , G11C2029/0403
摘要: 本申请涉及用于半导体集成电路设备的缺陷分析方法和缺陷分析系统。一种缺陷分析方法,包括在数据库中存储指示缺陷的数据并且在数据库中存储对应的缺陷位的模拟特性。找到第一晶片中的第一缺陷区域,并且测量第一缺陷区域中的缺陷位的模拟特性。比较测得的模拟特性和数据库中存储的模拟特性,以定位引起第一缺陷区域的缺陷。
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公开(公告)号:CN101173972A
公开(公告)日:2008-05-07
申请号:CN200710184831.9
申请日:2007-10-30
IPC分类号: G01R31/00 , G01R31/28 , G01R31/317 , G01R31/3173
CPC分类号: G01R31/3004
摘要: 本发明涉及用于测试电子设备中最小运行电压的方法和装置在一个实施例中,一种测试系统测试被测设备(DUT)。DUT包括执行内建自测(BIST)程序的内部测试控制器。内建自测程序包括基于阵列的自动内建自测程序、离散和组合逻辑内建自测程序、以及功能架构验证程序(AVP)。外部制造系统测试控制器管理DUT内的内部测试控制器,并且为向DUT供电的电源输入电压确定最小运行电压电平。逻辑仿真器提供建模能力,以进一步增强DUT的最小电压电源输入运行值的发展。
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