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公开(公告)号：CN101681980A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880011213.7
申请日：2008-01-29
申请人： 美国超导公司
CPC分类号： H01B12/02 , H01B12/16 , H01L39/16 , H02H7/001 , H02H9/023 , Y02E40/641 , Y02E40/647 , Y02E40/68 , Y02E40/69
摘要： 一种低温冷却HTS导线包括：稳定剂，其总厚度处于200-600微米范围内且在约90K时的电阻率处于0.8-15.0微欧-厘米范围内；以及第一HTS层，其热耦合至所述稳定剂的至少一部分。
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公开(公告)号：CN101036243A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200580033795.5
申请日：2005-09-27
申请人： 西门子公司
CPC分类号： H01L39/16 , H01F6/06 , H01F27/2871 , H01F27/323 , Y10S336/01 , Y10S428/93 , Y10S505/705 , Y10S505/924
摘要： 限流装置的印制导线由带状超导体(2)构成，该超导体的结构(7)包含金属衬带(3)、至少一个氧化缓冲层(4)、AB2Cu3OX类型的超导层(5)、以及敷设于其上的金属覆盖层(6)。利用该超导体(2)构成自稳定的双线线圈(11)，其中，在相邻的线圈匝(12i)之间保持其中设置对冷却介质(K)透明的间隔支承件(14)的间距(a)。
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公开(公告)号：CN101036241A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200580033793.6
申请日：2005-09-27
申请人： 西门子公司
IPC分类号： H01L39/16
CPC分类号： H01L39/16 , Y10S505/78 , Y10T428/24777
摘要： 一种电阻限流装置包含具有导体结构(7)的条形超导体，该导体结构包括：金属衬底条(3)；绝缘的氧化缓冲层(4)；由AB2Cu3Ox类型的氧化高Tc超导材料制成的超导层(5)；被设置在上述两者之间的绝缘层(4)；以及金属保护层(6)。所述导体结构(7)的两个侧边(9a，10a)中的至少一个被如此进行机械变形，使得所述金属保护层(6)与所述衬底条(3)之间处于电连接。
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公开(公告)号：CN107615406B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201680030002.2
申请日：2016-07-01
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H02H9/023 , H01B12/04 , H01B12/16 , H01F6/02 , H01F6/04 , H01L39/16 , H01L39/24 , H02H7/001 , Y02E40/641 , Y02E40/647
摘要： 提供了一种超导线，所述超导线包括：超导线芯，其具有在纵向方向上延伸的第一主表面和位于所述第一主表面的相反侧上并且在所述纵向方向上延伸的第二主表面；第一散热构件，其设置在所述第一主表面上；以及第二散热构件，其设置在所述第二主表面上。所述第一散热构件在沿着所述纵向方向排成行的多个第一连接位置处与所述第一主表面连接。所述第二散热构件在沿着所述纵向方向排成行的多个第二连接位置处与所述第二主表面连接。在自所述超导线的厚度方向的平面图中，所述多个第一连接位置中的每个和所述多个第二连接位置中的对应一个被布置为彼此具有偏移。
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公开(公告)号：CN105191042B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201480014603.5
申请日：2014-03-10
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 卡尔斯·L·史坦利
IPC分类号： H02H9/02
摘要： 本发明涉及一种超导错误电流限制器系统。电流限制器系统包括超导错误电流限制器(SCFCL)，此超导错误电流限制器在超导错误电流限制器处于超导状态的正常操作状态期间经操作以传导负载电流。电流限制器系统亦包括分路电抗器以及保护开关。分路电抗器以电性并联方式连接超导错误电流限制器，且在正常操作状态经配置以传导相较于超导错误电流限制器更少的电流。保护开关连接超导错误电流限制器及分路电抗器，并且经配置以在错误电流超过临限电流值之后的错误条件期间将超导错误电流限制器由负载电流路径断开而持续预定时间。
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公开(公告)号：CN107615406A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680030002.2
申请日：2016-07-01
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H02H9/023 , H01B12/04 , H01B12/16 , H01F6/02 , H01F6/04 , H01L39/16 , H01L39/24 , H02H7/001 , Y02E40/641 , Y02E40/647
摘要： 提供了一种超导线，所述超导线包括：超导线芯，其具有在纵向方向上延伸的第一主表面和位于所述第一主表面的相反侧上并且在所述纵向方向上延伸的第二主表面；第一散热构件，其设置在所述第一主表面上；以及第二散热构件，其设置在所述第二主表面上。所述第一散热构件在沿着所述纵向方向排成行的多个第一连接位置处与所述第一主表面连接。所述第二散热构件在沿着所述纵向方向排成行的多个第二连接位置处与所述第二主表面连接。在自所述超导线的厚度方向的平面图中，所述多个第一连接位置中的每个和所述多个第二连接位置中的对应一个被布置为彼此具有偏移。
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公开(公告)号：CN106058036A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610404295.8
申请日：2016-06-08
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法，该结构包括：第一超导层；位于所述第一超导层之上的第一介电层；位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层；位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层；位于所述第二介电层之上的第二超导层；与所述石墨烯或二维半导体薄膜层接触的金属层。本发明的量子干涉器件结构以石墨烯或MoS2等半导体材料作为器件有效层，利用超导薄膜作为磁场屏蔽，可用于研究石墨烯、半导体等材料的各种量子霍尔效应特性，并可应用于利用该种特性的量子干涉器件及传感器等器件中。
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公开(公告)号：CN105849888A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071549.8
申请日：2014-11-10
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28
CPC分类号： H01B12/06 , H01B13/30 , H01L39/143 , H01L39/16 , H01L39/2458 , H01L39/2461 , H01L39/2464 , H01L39/249 , H02H9/023
摘要： 一种积体超导体装置可包含衬底基底，和安置于所述衬底基底上且包括较佳结晶定向的中间层。所述积体超导体装置可进一步包含安置于所述中间层上的定向超导体层，和安置于所述定向超导体层的一部分上的导电带。所述导电带可在其下方界定所述定向超导体层的超导体区，和邻近于所述超导体区的所述定向超导体层的暴露区。
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