公开(公告)号：CN115498424A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211299743.4

申请日：2022-10-24

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 刘嘉国 ,  张成 ,  李庆洪 ,  唐洪 ,  谭满红 ,  杜双江 ,  田野 ,  李骦

IPC分类号： H01Q21/06 ,  H01Q1/00 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/24 ,  H01Q1/50 ,  H01Q1/52 ,  H01Q3/34 ,  H01Q21/00 ,  H01Q21/28 ,  H01Q23/00

摘要： 本发明涉及相控阵天线技术，尤其涉及一种周期阵和稀布阵相结合的双频共口径天线，包括周期阵单元和稀布阵单元，周期阵单元和稀布阵单元采用相同的接插件，接插件通过回流焊接方式安装于金属底座上，接插件的探针与，周期阵单元和稀布阵单元的馈电层中的带状线相连；稀布阵单元排布在周期阵单元周围，且两个相邻稀布阵单元之间的平均间距为1.1倍中心频段波长；本发明一方面提高了稀布阵天线的增益，且稀布阵采用非周期性间距排布，使得大角度扫描无栅瓣；另一方面周期阵天线和稀布阵天线性均能独立正常工作、隔离度高，馈电端口分布规则，便于有源收发组件的输入输出端口设计。

公开(公告)号：CN115467015A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202211270272.4

申请日：2022-10-18

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 李金 ,  武欢 ,  陈川贵 ,  佘建军 ,  李俊 ,  陈运茂

IPC分类号： C30B19/06 ,  C30B19/08 ,  C30B29/28

摘要： 本发明属于半导体基础材料领域，特别涉及一种液相外延YIG晶体生长自动控制设备，该设备包括：支架、物料放置台、炉体以及籽晶杆结构；支架位于设备的底端，用于支撑整个设备；物料放置台的一端设置在支架内部，另一端设置在炉体的内部；炉体的底部设置在支架顶部，籽晶杆结构设置在炉体的顶部，构成液相外延YIG晶体生长自动控制设备；本发明的设备炉膛采用金属夹层水冷结构，炉膛顶部及底部设计有匹配温场的进出孔径，并设计有T台结构用于进行温场密封，炉体沿母线180度开合，便于温场装卸。

公开(公告)号：CN115404538A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210854214.X

申请日：2022-07-20

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 李海林 ,  李金 ,  佘建军 ,  武欢

IPC分类号： C30B15/00

摘要： 本发明公开了一种可实现晶体连续生长的装置，包括炉体、坩埚平移机构、坩埚升降旋转机构、晶体提拉旋转机构、坩埚；炉体安装在支架顶部，炉体内部从下到上依次放置预热区发热体、第一闸门挡板机构、生长区发热体、第二闸门挡板机构、后保温区发热体，晶体提拉旋转机构安装在炉体顶部，坩埚平移机构安装在支架底部横梁上，至少两套坩埚升降旋转机构安装在坩埚平移机构的移动连接板上，坩埚放置在坩埚升降旋转机构的坩埚托上。本发明能够在不改变温场结构和坩埚尺寸的情况下，通过两套坩埚升降旋转机构交替提供晶体生长所需的熔体，实现晶体连续生长，获得大尺寸晶体，同时还可减小因熔料组分变化而对晶体质量产生的影响。

公开(公告)号：CN115323478A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210854228.1

申请日：2022-07-20

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 李海林 ,  佘建军 ,  李金 ,  武欢

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B15/10 ,  C30B15/30

摘要： 本发明公开了一种可实现晶体连续生长的方法，至少两套坩埚，正在生长坩埚中的原料生长结束前，备用坩埚中至少有一套坩埚中的原料处于可以生长的预备状态。当生长坩埚生长结束时，处于预备状态的备用坩埚能够第一时间替换之前正在生长的坩埚并作为新的生长坩埚，已经生长出的晶体作为籽晶继续在新的生长坩埚中生长晶体；之前的生长坩埚退下来后作为备用坩埚并完成加料、预热、熔料过程，再替换刚生长结束的坩埚；如此往复，直到晶体生长到需要的尺寸。本发明在不改变温场结构和坩埚尺寸的情况下，通过两套坩埚交替提供晶体生长所需的熔体，实现晶体连续生长，获得大尺寸晶体，同时还可减小因熔料组分变化而对晶体质量产生的影响。

公开(公告)号：CN115296751A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210998441.X

申请日：2022-08-19

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 聂广琳 ,  沈文渊 ,  陈富彬 ,  陈洪洲

IPC分类号： H04B14/02 ,  H04B14/00 ,  H03K7/06

摘要： 本发明提供了一种脉冲调制装置及脉冲调制方法，所述脉冲调制装置包括：调制开关，其输入端接初始载波，其控制端接调制脉冲，其输出端输出调制后的目标载波；电感，其一端接调制开关的输出端，其另一端接地；其中，目标载波的频率大于调制脉冲的频率。在本发明中，结合调制开关与电感设计调制装置，在通过调制开关进行脉冲调制的基础上，利用电感的通低频阻高频原理，通过设置在调制开关输出端的电感将泄漏到调制开关输出端的频率较低的调制脉冲导入地，而电感对频率较高的目标载波几乎无影响，频率较高的目标载波还是通过输出端对外输出，从而在实现脉冲调制的同时，简单高效地抑制了视频泄露。

公开(公告)号：CN113536729B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202110860347.3

申请日：2021-07-27

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 张磊 ,  余怀强 ,  邓立科 ,  王玺 ,  蒋明眼

IPC分类号： G06F30/392 ,  G06F30/394 ,  G06F30/398 ,  G06F115/04

摘要： 本申请提供一种薄膜体声波谐振滤波器装配使用方法及电子设备，包括：根据薄膜体声波谐振滤波器芯片电路模型和接地电路构建出滤波器装配之后的等效电路模型；利用三维电磁仿真软件对滤波器的接地电路进行建模、仿真、计算，分别提取出接地电路中接地焊盘以及接地键合线所对应的寄生参数，寄生参数包括接地键合线的寄生电感以及接地焊盘的寄生电容和寄生电感；将寄生参数带回等效电路中，利用仿真软件得到该种接地装配方式下滤波器的带外抑制和通带带宽。通过改变接地键合线的材质、直径、数量及键合弧度等参数调节接地键合线的寄生电感，将不同装配方式下的寄生电感分别带入滤波器的等效电路中，能够快速得到性能最佳的滤波器装配方式，从而缩短滤波器的调试时间。

公开(公告)号：CN115242204A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210884189.X

申请日：2022-07-25

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 刘娅 ,  马晋毅 ,  张祖伟 ,  杨冬 ,  徐阳 ,  杨靖 ,  许若娴 ,  许东辉

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/10

摘要： 本专利涉及一种薄膜体声波滤波器气密性晶圆级封装结构和封装方法，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括功能晶圆和玻璃晶圆，所述功能晶圆与所述玻璃晶圆通过阳极键合连接；所述功能晶圆包括硅衬底，所述硅衬底上开设有空腔，在所述硅衬底上设置有掩埋所述空腔的膜层结构，在所述膜层结构的两肩处形成有向上凸起的焊盘电极；所述玻璃晶圆上开设有凹槽并形成封盖，所述封盖覆盖所述焊盘电极和所述膜层结构，且通过盖沿与功能晶圆连接；在所述封盖的顶盖处开设有盲孔，在所述盲孔内填充有电镀的金属材料，将所述焊盘电极从盲孔引出；本专利采用硅和玻璃进行阳极键合，降低工艺难度，同时节约成本。

公开(公告)号：CN115231512A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210557606.X

申请日：2022-05-19

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 卢昱瑾 ,  贺韵祺 ,  杨峰 ,  梅松 ,  卜继军 ,  林丙涛 ,  陈伟

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/02

摘要： 本发明公开了一种微半球陀螺曲面电极的装配系统及装配方法，所述装配系统包括装配台、六自由度真空吸附位移装置、成像相机和控制单元；装配台水平设置且采用透明材料制成；成像相机设于装配台下方，用于采集微半球谐振子和微半球曲面电极的图像；六自由度真空吸附位移装置和成像相机分别与所述控制单元连接，控制单元通过获取微半球谐振子和微半球曲面电极的图像判断微半球谐振子和微半球曲面电极的水平姿态和水平位置，以控制六自由度真空吸附位移装置调节微半球谐振子和微半球曲面电极的水平姿态和水平位置，以完成微半球谐振子和微半球曲面电极的装配。该装配系统能有效保证微半球谐振子与微半球曲面电极装配的同轴度以及电极间隙的均匀性。

公开(公告)号：CN115198351A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210998971.4

申请日：2022-08-19

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 陈川贵 ,  何晔 ,  张晟 ,  白涛 ,  李金 ,  于光波

IPC分类号： C30B15/20

摘要： 本发明公开了一种自动生长低温敏感人工晶体材料加热功率控制方法，先采集晶体生长速度，计算每个采样时刻晶体生长加速度；如果晶体生长加速度出现拐点，则判断是否同时满足以下两个条件：a、距离上一次加热功率调控时间达到加热功率调控的最短时间；b、晶体生长速度大于设定值；如是，则将加热功率调控信号输出给晶体生长加热单元，晶体生长加热单元执行新的加热功率。本方法不但能够实现对温度敏感又滞后晶体的自动生长，而且生长出来的晶体形状可控，晶体内部品质一致性较好。

公开(公告)号：CN112697123B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202110009141.X

申请日：2021-01-05

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所 ,  中国人民解放军火箭军工程大学

发明人： 王灵草 ,  汪立新 ,  方海斌 ,  卜继军 ,  张挺 ,  罗华

IPC分类号： G01C19/5691

摘要： 本发明涉及半球谐振陀螺控制技术领域，具体是一种半球谐振陀螺的工作模式切换控制方法及系统；所述控制方法包括计算出当前半球谐振陀螺的角加速度并进行滤波；若角加速度＞0且角速度绝对值＜第一判断阈值，或者角加速度≤0且角速度绝对值＜第二判断阈值，则进入力平衡模式；按照力平衡PID控制器施加控制力Cp，使谐振子的驻波位置不动，计算和输出角速度；若角加速度≤0且角速度绝对值≥第二判断阈值，或者角加速度＞0且角速度绝对值≥第一判断阈值，则进入全角模式；按照力平衡PID控制器切断力平衡回路所施加的控制力使得Cp＝0，计算和输出角速度增量；本发明依据载体输入角速度的大小实现了力平衡模式和全角模式的混合控制。