公开(公告)号：CN101419944B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200810171022.9

申请日：2006-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔泰荣 ,  金俊亨 ,  宋根圭 ,  洪雯杓

IPC: H01L21/84 ,  H01L51/40 ,  H01L27/28 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明公开了一种制造平板显示器的方法，包括如下步骤：制备绝缘基板；在所述绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域；在所述源电极和漏电极上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成具有对应于所述沟道区域的开口的金属层；通过使用所述金属层作为掩模在所述第一钝化层中形成沉积开口来通过所述第一钝化层的沉积开口暴露所述沟道区域；在所述沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层；以及去除所述金属层。

公开(公告)号：CN101086996B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200610148642.1

申请日：2006-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵承奂 ,  金泳敏 ,  宋根圭

IPC: H01L27/28 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/3274 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，与源电极相对；有机半导体，与源电极和漏电极部分接触；栅极绝缘构件，位于栅电极和有机半导体之间；绝缘存储体，具有开口，有机半导体和栅极绝缘构件位于该开口中，该开口形成为十字形，在该十字形中水平部分和垂直部分交叉。

公开(公告)号：CN1495493B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN03147027.0

申请日：2003-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢水贵 ,  宋根圭 ,  崔井乂 ,  卢南锡 ,  朴哲佑 ,  洪雯杓 ,  郑昊勇

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/1336 ,  G02F1/133615 ,  G02F1/134309 ,  G02F2201/52 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2320/0209 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2340/0457

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器，包括象素阵列，该阵列包括以矩阵方式排列的多个象素。所述多个象素包括象素组，该象素组包括一对彼此相邻的中心象素和跨过中心象素彼此斜对的一对第一颜色象素和一对第二颜色象素。每个象素都包括一象素电极和一薄膜晶体管。该液晶显示器还包括多条在行方向上延伸的用于向象素传输选通信号的栅极线，以及多条在列方向上延伸用于向象素传输数据信号的数据线。象素经历极性反转。

公开(公告)号：CN1790144B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200510093755.1

申请日：2005-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁英喆 ,  宋根圭 ,  金保成 ,  洪雯杓

IPC: G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/133502 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1248

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：绝缘基板、在缘基板上形成的栅极线、覆盖栅极线的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上形成的数据线；覆盖数据线的下钝化层、在下钝化层上形成的由有机绝缘材料制成的上钝化层、在上钝化层上形成的像素电极。栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的厚度分别表示为dG，dP，dI；栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的折射率分别表示为nG，nP，nI，并且根据：4(dGnG+dPnP)＝，这是波长的偶数倍；4dInI＝，这是波长的奇数倍，满足条件方程。

公开(公告)号：CN100573903C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610160387.2

申请日：2006-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋根圭 ,  金保成

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/522 ,  H01L51/05 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L27/3274 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：绝缘衬底；形成于所述绝缘衬底上的包括栅电极的多条栅布线；覆盖所述多条栅布线的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上的形成的透明电极层，透明电极层包括在栅电极周围设置的源电极和漏电极，源电极和漏电极彼此分开以界定在其之间设置的沟道区；覆盖透明电极层的预定区域并绝缘地与多条栅布线交叉以界定多个像素的多条数据布线；和形成于每个像素的沟道区上的有机半导体层，有机半导体层的预定部分有效地与源电极、漏电极和栅电极连接，从而形成具有改善的特性和新的结构的晶体管。

公开(公告)号：CN100565918C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610088630.4

申请日：2006-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成镇 ,  李永旭 ,  宋根圭 ,  洪雯杓

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  G02F1/133

Abstract: 本发明公开了一种晶体管，其包括：形成在衬底上的导线，该导线包括半导体芯、包围半导体芯的一部分的第一遮盖、和包围第一遮盖的第二遮盖；形成在导线的第二遮盖上的第一电极；形成在第一电极上并具有暴露部分半导体芯的接触孔的绝缘层，和经接触孔与导线连接的第二电极和第三电极。

公开(公告)号：CN100459143C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200610098771.4

申请日：2006-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔泰荣 ,  金保成 ,  宋根圭 ,  洪雯杓

IPC: H01L27/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/02 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明提供一种平板显示器，包括：绝缘基板；数据线，形成在绝缘基板上；层间绝缘膜，其形成在数据线上，具有露出数据线的第一接触孔；连接件，形成在第一接触孔的一部分中；层间绝缘膜，环绕第一接触孔；栅极绝缘膜，其形成在连接件上，具有露出连接件的第二接触孔；以及有机半导体层，形成在栅极绝缘膜上。

公开(公告)号：CN100388506C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN02812690.4

申请日：2002-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林承泽 ,  洪雯杓 ,  卢南锡 ,  宋泳周 ,  郭相基 ,  崔权永 ,  宋根圭

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1345

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列衬底的方法中，在衬底(10)上形成含铬基下层(111，601)和铝合金基上层(112，602)并水平延伸的栅极线组件(11)。栅极线组件具有栅极线(22)、栅极电极(26)和栅极垫(24)。在绝缘衬底(10)上沉积覆盖栅极线组件的栅极绝缘层(30)。在栅极绝缘层(30)上顺序形成半导体层(40)和欧姆接触层(55，56)。在欧姆接触层上形成含铬基下层(601)和铝合金基上层(602)的数据线组件(62)。数据线组件具有交叉在栅极线(22)上方的数据线(62)、源极电极(65)和漏极电极(66)、及数据垫(68)。在衬底上沉积保护层(70)并对其构图，形成暴露漏极电极(66)、栅极垫(24)和数据垫(68)的接触孔(13，74，76，78)。栅极线组件和数据线组件的下层(601)的侧壁经接触孔(13，74，76，78)暴露。在衬底上沉积IZO基层(14)并对其构图，形成像素电极(82)、辅助栅极垫(86)及辅助数据垫(88)。像素电极(82)连接漏极电极(66)的侧壁，辅助栅极及数据垫(86，88)连接栅极及数据垫(24，68)的侧壁。

公开(公告)号：CN101009297A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610168697.9

申请日：2006-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔泰荣 ,  宋根圭 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L27/12 ,  H01L51/05 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L51/40 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  G02F2202/02 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262

Abstract: 一种显示装置，包括：绝缘基板；数据导体，其形成于所述绝缘基板上并包括导电膜；薄膜晶体管，其具有与所述导电膜电连接的至少一个源电极和沿所述源电极的周围形成的并与之隔开的漏电极；以及与所述导电膜电连接的像素电极。

公开(公告)号：CN1996610A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610166914.0

申请日：2006-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋根圭 ,  崔泰荣 ,  黄泰亨 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L51/40 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该面板包括：基板；在基板上彼此相交的多条第一和第二信号线；连接到第一信号线的源电极；连接到第二信号线的漏电极；连接到漏电极的像素电极；形成在源电极和漏电极上并具有第一开口的第一分隔物，其中第一开口的下部宽度比第一开口的上部宽度更宽；形成在第一开口中并且至少与部分源电极和漏电极交迭的有机半导体；以及，连接到第二信号线并且至少与部分有机半导体交迭的栅电极。