公开(公告)号：CN108231662A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710342032.3

申请日：2017-05-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨育佳 ,  蔡腾群 ,  奥野泰利

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L2221/1063 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816

摘要： 本揭露描述一种形成取代接触窗的方法。举例而言，取代接触窗可包含具有一或多个第一侧壁表面及顶表面的金属。形成第一介电质，其中第一介电质是邻接金属的一或多个第一侧壁表面。形成第二介电质在第一介电质及金属的顶表面上。形成开口在第二介电质内。金属氧化物结构可选择性地成长在金属的顶表面上，其中金属氧化物结构具有一或多个第二侧壁表面。形成一或多个间隙壁，其中前述间隙壁是邻接金属氧化物结构的一或多个第二侧壁表面。再者，移除金属氧化物结构。

公开(公告)号：CN105280610B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201510099992.2

申请日：2015-03-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡纾婷 ,  林政贤 ,  杨敦年

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/765 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/585 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/402 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种互连器件和形成互连器件的方法。两个集成电路接合在一起。形成穿过衬底中的一个的第一开口。沿着第一开口的侧壁形成一个或多个介电膜。在使用一些焊盘作为硬掩模的同时，形成从第一开口延伸至集成电路中的焊盘的第二开口。用导电材料填充第一开口和第二开口以形成导电插塞。本发明涉及3DIC互连器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN105047651B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201410848062.8

申请日：2014-12-31

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  陈明发 ,  吕文森 ,  邱文智 ,  蔡文景

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/525 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/36 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/89 ,  H01L24/92 ,  H01L25/00 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/37 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/8203

摘要： 本文公开的封装件包括具有在第一衬底的第一侧上设置的第一再分布层(RDL)的第一管芯和具有在第二衬底的第一侧上设置的第二RDL的第二管芯，第一RDL接合至第二RDL。第三管芯具有在第三衬底的第一侧上设置的第三RDL。第三管芯在第二管芯上方安装，第二管芯设置在第一管芯和第三管芯之间。第一通孔延伸穿过第二衬底并且与第二衬底电隔离，每个第一通孔均接触第一RDL或第二RDL中的导电元件。第二通孔延伸穿过第三衬底并且与第三衬底电隔离，每个第二通孔均接触第三RDL中的导电元件或其中一个第一通孔。本发明还涉及3D堆叠芯片封装件。

公开(公告)号：CN104733486B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201410795045.2

申请日：2014-12-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈愉婷 ,  蔡纾婷 ,  陈思莹 ,  林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L27/14645 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/00 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/281 ,  H01L31/1876 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

摘要： 本发明公开了图像传感器器件及其制造方法以及半导体器件制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括将第一半导体晶圆接合至第二半导体晶圆，第一半导体晶圆包括衬底和连接至衬底的互连结构。该方法包括从第一半导体晶圆去除衬底的部分以暴露互连结构的部分。

公开(公告)号：CN104733435B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201410086767.0

申请日：2014-03-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡纾婷 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  陈愉婷 ,  周世培

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/91 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/8203

摘要： 本发明提供了一种互连装置及形成该互连装置的方法。两个集成电路接合在一起。形成穿过其中一个衬底的第一开口。沿着第一开口的侧壁形成多层介电膜。一个或多个蚀刻工艺沿着第一开口的侧壁形成一个或多个间隔件型结构。形成从第一开口延伸至集成电路中的焊盘的第二开口。形成介电内衬，且用导电材料填充开口以形成导电插塞。

公开(公告)号：CN104576420B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201410569403.8

申请日：2014-10-22

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： M·蔡 ,  L·赵

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭露一种在铜金属化中用于自形成阻障工艺的电子迁移增进方法，其提供一种形成阻障在导孔的侧壁及底部上的方法及所产生的装置。实施例包括：形成金属线在基板中；形成硅基绝缘层在该金属线及该基板上方；向下形成导孔在该硅基绝缘层中直到该金属线；形成双层的锰/氮化锰在该导孔的侧壁及底面上；以及以金属填充该导孔。

公开(公告)号：CN107342259A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710197165.6

申请日：2017-03-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 罗元彦 ,  王之妤 ,  陈俊华 ,  谢弘璋

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/823475 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/535 ,  H01L27/088 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877

摘要： 方法包括沉积蚀刻停止层于基板上；图案化蚀刻停止层，使图案化的蚀刻停止层覆盖第一区的基板，且图案化的蚀刻停止层的开口露出第二区的基板；沉积第一介电层于第一区中的蚀刻停止层上以及第二区中的基板上；图案化第一介电层，以形成第一沟槽穿过第一区中的第一介电层，且第一沟槽露出蚀刻停止层；形成金属结构于第一沟槽中；沉积第二介电层于第一区中的金属结构上以及第二区中的第一介电层上；以及进行图案化工艺，以形成第二沟槽穿过第一区中的第二介电层，并形成第三沟槽穿过第二区中的第二介电层与第一介电层。

公开(公告)号：CN104167418B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201410309051.2

申请日：2014-06-30

申请人： 厦门天马微电子有限公司 ,  天马微电子股份有限公司

发明人： 文亮

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/13

CPC分类号： G02F1/136204 ,  G02F1/136227 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

摘要： 本发明描述了一种阵列基板，包含该阵列基板的液晶显示面板以及阵列基板的制造方法。本发明提供的阵列基板包括：基板，依次设置于所述基板一侧表面上的第一膜层、绝缘层、静电分散层和第二膜层；所述绝缘层和静电分散层具有过孔，所述第二膜层通过所述过孔与所述第一膜层电性连接；所述静电分散层与所述第二膜层的轮廓相同。本发明的阵列基板包含静电分散层，可降低阵列基板制程中基板上静电的积累，降低静电对半导体层的损伤，改善TFT器件的稳定性、均一性，避免了TFT器件被静电击打或者击伤以致电性漂移，消除各种静电Mura，提升了产品良率，提高显示品质。

公开(公告)号：CN105742376B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201510769977.4

申请日：2015-11-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑允玮 ,  周俊豪 ,  洪丰基 ,  李国政 ,  许永隆

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14812 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/821

摘要： 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括第一衬底、第二衬底、多个通孔(TV)和多个导电帽。第一衬底具有设置在其上的至少一个电组件。第二衬底堆叠在第一衬底上。TV延伸穿过第二衬底以电连接至第一衬底的至少一个电组件。导电帽分别覆盖TV，以及导电帽彼此电隔离。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN106960844A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201610015488.4

申请日：2016-01-11

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 张智能 ,  洪雅娟 ,  蔡滨祥

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8232

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/535 ,  H01L2221/1063 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8232

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法。首先提供一基底，然后形成一介电层于基底上，并形成一开口于介电层中且该介电层包含一受损层(damaged layer)设于开口旁。接着形成一介电保护层于开口内，形成一金属层于开口内，最后再去除受损层及介电保护层。