公开(公告)号：CN109410999B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201810325034.6

申请日：2018-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全秀昶 ,  高贵汉 ,  郭东勋 ,  金真怜

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/30 ,  G11C16/08

Abstract: 提供了一种由非易失性存储器器件进行的方法，该方法可以包含：发起对应于多个编程循环当中的第一编程循环的第一编程操作；在第一编程操作期间接收紧急读取操作的暂停命令；基于暂停命令，从与接收暂停命令同时的第一时刻和在完成第一编程操作之后的第二时刻两者之一确定复原时刻；以及通过将复原电压施加到所选择的字线，在所确定的复原时刻发起复原。

公开(公告)号：CN115938441A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211224415.8

申请日：2022-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张孝正 ,  金真怜 ,  朴世桓 ,  李知尚

IPC: G11C16/26

Abstract: 公开了在包括具有多个状态的多个存储器单元的非易失性存储器装置中读数据的方法和非易失性存储器装置，该多个状态包括第一状态和第二状态。在该方法中，执行针对第一状态的第一读取操作，执行针对第二状态的第二读取操作。为了执行第一读取操作，通过执行针对第一状态的谷单元计数操作获得针对第一状态的谷的单元计数，基于单元计数和针对第一状态的至少一个第一参考参数确定针对第一状态的第一读取电压电平，通过使用第一读取电压电平来执行针对第一状态的第一感测操作。为了执行第二读取操作，基于单元计数和第二状态的至少一个第二参考参数确定针对第二状态的第二读取电压电平，通过使用针对第二读取电压电平执行针对第二状态的第二感测操作。

公开(公告)号：CN114664354A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111581392.1

申请日：2021-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真怜 ,  朴世桓 ,  朴一汉 ,  徐荣德 ,  申东旻

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24

Abstract: 存储器件可以包括存储块和控制电路。存储块可以包括第一子块和第二子块，第一子块和第二子块连接在公共源极线与多条位线之间并且可以竖直堆叠。控制电路可以被配置为基于第一子块和第二子块的位置，选择公共源极线和多条位线中的一者作为擦除电压的传输路径，并以子块为单位对第一子块和第二子块执行擦除操作。

公开(公告)号：CN113889169A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110742339.9

申请日：2021-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真怜 ,  朴世桓 ,  朴一汉 ,  南尚完

IPC: G11C16/26 ,  G11C7/10

Abstract: 一种控制器包括：控制引脚，用于向非易失性存储器提供控制信号；缓冲存储器，被配置为存储第一至第三表格；以及纠错码(ECC)电路，被配置为纠正根据第一读取命令从非易失性存储器中读取的第一数据中的错误，其中，第一表格存储第一偏移信息、第二表格存储第二偏移信息，并且第三表格存储第三偏移信息，其中，第三偏移信息与历史读取电平相对应并且通过第一和第二偏移信息来确定，并且当第一数据的错误不可纠正时，由非易失性存储器根据第二读取命令来执行片上谷搜索操作，根据特定命令来接收片上谷搜索操作的检测信息，并且生成与检测信息相对应的第二偏移信息。

公开(公告)号：CN112349324A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010729765.4

申请日：2020-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳载德 ,  金真怜

IPC: G11C13/00 ,  G06F3/06 ,  G11C16/04

Abstract: 一种存储设备，包括：第一存储器设备，包括多个存储器块和被包括在多个存储器块中的每一个中的多个页面；第二存储器设备，被配置为存储第一存储器设备的第一退化信息；以及控制器，被配置为使用第一读取电压在第一存储器设备上执行第一读取操作以获取第一退化信息，并且使用第二读取电压在第一存储器设备上执行第二读取操作。第二读取电压是使用第一存储器设备的第二退化信息计算的，第二退化信息使用第一退化信息估计。第一退化信息和第二退化信息中的每一个包括多个页面中的每一个的误比特数。

公开(公告)号：CN109410999A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810325034.6

申请日：2018-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全秀昶 ,  高贵汉 ,  郭东勋 ,  金真怜

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/30 ,  G11C16/08

CPC classification number: G11C16/10 ,  G06F13/00 ,  G06F13/1642 ,  G11C5/148 ,  G11C7/1045 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/32 ,  G11C16/3459 ,  H01L27/11582 ,  G11C16/08

Abstract: 提供了一种由非易失性存储器器件进行的方法，该方法可以包含：发起对应于多个编程循环当中的第一编程循环的第一编程操作；在第一编程操作期间接收紧急读取操作的暂停命令；基于暂停命令，从与接收暂停命令同时的第一时刻和在完成第一编程操作之后的第二时刻两者之一确定复原时刻；以及通过将复原电压施加到所选择的字线，在所确定的复原时刻发起复原。

公开(公告)号：CN101231882A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710307761.1

申请日：2007-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴德夏 ,  宋基焕 ,  金真怜

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/4063 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4091

Abstract: 提供了一种半导体集成电路及其操作方法。一个实施例包括多条字线、多条源极线、与所述多条字线交叉的多条位线，以及在多条字线和多条位线的交叉点形成的多个存储器单元。所述多个存储器单元的每一个为浮置体单元。每个浮置体单元的栅极连接到字线之一，每个浮置体单元的漏极连接到位线之一，并且每个浮置体单元的源极连接到源极线之一。至少一个位线和源极线选择电路被配置成选择性地将多条位线中的每一条连接到第一输出位线，并且选择性地将源极线连接到源极电压。至少一个读出放大器被配置成基于第一输出位线上的电压读出数据。

公开(公告)号：CN101150132A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710087961.0

申请日：2007-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真怜 ,  宋基焕

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/105 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/092 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：NMOS垂直沟道晶体管，位于衬底上，并包括围绕垂直p沟道区的p+多晶硅栅电极；和PMOS垂直沟道晶体管，位于衬底上，并包括围绕垂直n沟道区的n+多晶硅栅电极。该NMOS和PMOS垂直沟道晶体管任选地在CMOS操作模式下可工作。