公开(公告)号：CN1237791A

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN99103387.6

申请日：1999-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0218 ,  H05K3/3436

Abstract: 利用应力缓冲膜把半导体芯片叠置在绝缘基板上，同时(a)在由于热膨胀产生的应力密度最高区域的芯片周围部分连接应力缓冲膜，在绝缘基板的周围部分设置遮蔽用电极，则减少了芯片和信号用电极的分担应力；(b)在芯片周围连接遮蔽层应力缓冲膜。或对于绝缘基板上的每个信号用电极，设置同轴状筒形遮蔽层阵列。(c)制造装配散热片的封壳。(d)绝缘基板，密封材料，封壳等构件任何一个构件，由包含重氢的树脂构成。

公开(公告)号：CN1221213A

公开(公告)日：1999-06-30

申请号：CN98118562.2

申请日：1998-09-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76235 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10844 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7845 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是提高隔离槽的元件分离特性。在半导体衬底1中用箭头30、31示出的有源半导体区上形成用隔离槽(STI2)分离的元件。将SiOF充填到STI2中。