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公开(公告)号：CN101533890B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910048825.X
申请日：2009-04-03
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种氧化锌基同质结构的透明电阻式随机存储器(RRAM)元器件及制作方法。所述的存储元器件是在石英玻璃衬底上由依次制备的“电极层/阻变氧化物层/电极层”三明治结构构成。其中，电极层材料为ZnO基掺杂的透明导电薄膜，阻变氧化物层材料为ZnO或ZnO基掺杂阻变薄膜。在保持材料透明性的前提下，通过对ZnO基薄膜组分的调控，对薄膜材料的导电性及电阻转变性能进行控制，从而达到稳定存储的目的。本发明的存储单元结构的最大优点是基于低成本的氧化锌基同质结构薄膜材料，通过掺杂控制获得一种性能稳定且具有良好透明性的同质RRAM存储单元结构，有利于RRAM存储器件向低成本、高性能透明器件方向发展。
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公开(公告)号：CN102153289A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010570895.4
申请日：2010-12-02
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C03C17/23
摘要： 本发明涉及一种片状二氧化钛阵列薄膜及制备方法。该片状二氧化钛薄膜由六角形薄片以c轴方向平行于衬底排列而成，薄片直径为5-20微米，厚度为10-100纳米。六角形薄片由5～20nm金红石相二氧化钛晶粒定向排列而成。本发明的方法在较低温度下和不添加任何表面活性剂及模板的条件下，利用液相法在FTO导电玻璃上制备二氧化钛微米片阵列薄膜，其操作简便、成本低廉、性能稳定、纯度高。本发明制备的片状二氧化钛阵列在可广泛应用于太阳能电池、光催化、气体传感器等领域。
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公开(公告)号：CN102136487A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010619223.8
申请日：2010-12-31
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明公开了一种基于氧化锌材料的新型电阻式RAM(随机存储器)存储单元及制备方法。所述的存储单元包括开关元件和存储元件，特征在于开关元件以透明导电薄膜为底电极，以ZnO薄膜为中间层，以Pt、Au、Ir等功函数较高金属(M)为顶电极，形成FTO(ITO)/ZnO/M的结构。存储元件的中间层采用与开关元件相同的ZnO薄膜，以M为底电极和顶电极，形成M/ZnO/M的结构。两个中间层ZnO采用相同的氧等离子体辅助激光脉冲沉积制备工艺，制备出电学性能良好的ZnO薄膜。最大优点是获得了性能稳定的开关元件，并且开关元件和存储元件采用相同的制备工艺和薄膜材料，大大简化了工艺流程，获得了可实现稳定可逆电阻转变的并可避免误读操作的存储单元。
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公开(公告)号：CN101252170B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810034352.3
申请日：2008-03-07
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种新型存储器用硅基全外延多层薄膜、方法及应用。本发明的目的是通过在硅衬底上依次外延生长TiN，MgO或SrTiO3作为结构调节层，贵金属和导电氧化物为电极导电层，掺杂稀土锰氧化物为电阻转变层，从而实现硅基的具有电阻转变功能的多层薄膜的制备。这种外延薄膜在以Ag、Al、Ti或Mo等为对电极材料时，在电脉冲作用下，可以实现可逆电阻转变。在该工艺方法中，TiN层具有重要作用，是后续掺杂稀土氧化物层外延生长的重要前提。生长掺杂稀土锰氧化物时，采用了低氧压沉积方法，这不仅保证了多层膜外延生长过程的延续，而且有效地控制了掺杂稀土锰氧化物层的初始电阻值和高低电阻变化性能。
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公开(公告)号：CN100582012C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200610116509.8
申请日：2006-09-26
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C01G9/02
摘要： 一种高度c轴取向的纳米多孔氧化锌薄膜及其制备方法，属于半导体光电材料、纳米能源材料、催化材料领域。薄膜沉积过程由若干个循环组成，每个循环包含四步：(1)前驱体溶液吸附；(2)衬底静置；(3)衬底超声辐照；(4)热水反应及衬底干燥。前驱体为金属锌与氨或其他物质的配合物溶液，可采用金属锌的无机盐或有机醋酸盐与氨水(或其他络合剂)配制；衬底为普通玻璃、石英玻璃、ITO导电玻璃或其他材料。本发明特点是：所得ZnO膜层具有独特的纳米多孔结构，最小晶粒尺寸为3-10nm，因此具有比其他方法制备的ZnO膜层大得多的比表面积；本方法成本低廉，简便易行，无须使用有机物和高温加热设备，适合于规模化薄膜材料制备，同时在大面积薄膜生长、以及不规则衬底材料上的薄膜生长方面，也具有突出的优势。
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公开(公告)号：CN101429644A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810034931.8
申请日：2008-03-21
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/30 , C23C14/28 , C23C14/22 , C23C14/54 , C23C14/58
摘要： 本发明涉及一种金属或金属氧化物纳米颗粒的制备方法，其特征在于采用还原气氛热处理方法，包括衬底表面处理、金属或金属氧化物薄膜的制备和热处理三大步骤。本发明旨在通过对金属或金属氧化物薄膜进行还原气氛热处理，在衬底上得到各种纳米颗粒。该方法的优点在于可以通过调节镀膜时间、功率和还原气氛热处理温度及时间对颗粒形貌、分布和大小进行控制，可与半导体工艺相结合，得到的纳米颗粒具有特殊的催化、光电特性。方法适合于Fe、Co、Ni、Cu、Si、Ag、Al、Ti、Zn、Al、Mg、Ta、Mo、Sn或Pt金属及其氧化物纳米颗粒的制备。制备的纳米颗粒粒径为5～200mm，常见为球形。
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公开(公告)号：CN101335326A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810040958.8
申请日：2008-07-24
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种用于电阻式存储器的本征及掺杂钛酸锶薄膜电诱发电阻材料及其制备方法。提供了具有电诱发电阻转变特性的本征及掺杂钛酸锶SrAxTi1－xO3及制备工艺，其中A是In、Ga、Mn、Sb或Ta，原子百分比x的值从1％到40％。制备方法分为金属或导电半导体底电极(Pt、Ir、TiN、SrRuO3等)、本征及掺杂钛酸锶电阻转变薄膜和金属上电极的制备三部分。在不同的实验条件下，获得了类单晶、多晶及不完全结晶状态的钛酸锶薄膜，而且这些薄膜材料在以Pt、Ir、Ag、Al、Ti或Mo等为上电极材料时，在连续电压扫描激励下，表现出优异的、稳定的高低阻态转变和记忆特性。
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公开(公告)号：CN1843935A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610080725.1
申请日：2006-05-15
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种四脚状氧化锌纳米棒及其制备方法和制备装置。本发明通过对现有气相传输设备的设计，经过混合粉料制备，衬底催化层的制备，氧化锌四脚状结构的生长等步骤在850～950℃的条件下实现氧化锌纳米棒的合成和自组装，形成具有110°三维立体的四脚氧化锌纳米结构。在该方法中，锌来源于廉价锌盐的分解和碳还原，衬底为氧化锌纳米籽晶层或廉价金属氧化物纳米粒子层。该制备方法具有原料价格低廉，工作温度较低，催化剂获得方法简单，混合装置构造简单、便于工业化生产的特点。
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公开(公告)号：CN1783433A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200410089074.3
申请日：2004-12-03
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种氮铝共掺杂空穴型氧化锌薄膜及其制备工艺，采用超声喷雾热解法，以Zn的有机或无机盐溶液，N的有机或无机盐溶液和Al的无机盐溶液的混合溶液为前驱体，通过调节Zn2+∶NH4+∶Al3+＝1∶(1－3)∶(0.01－0.2)并控制衬底温度在600－900℃可实现对p型ZnO薄膜电性能的控制。本发明制备的p型ZnO薄膜的电阻率在10－1－10－2Ωcm，迁移率最高可达103cm2V－1s－1，并且薄膜的晶粒大小均匀、排列致密，同时薄膜具有强的(101)取向的结晶特性和常温紫外发光特性。
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公开(公告)号：CN1547264A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310109139.1
申请日：2003-12-05
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/103 , H01S5/327
摘要： 本发明涉及一种用喷雾热解法，通过氮和铟的共掺杂，制备p－型氧化锌薄膜材料，通过掺杂铟制备低阻n－型氧化锌薄膜材料，从而制得ZnO同质结p－n结的方法。在该方法中，通过向先驱体溶液中添加适量的含氮和含铟掺杂剂，经超声雾化热解反应制备p－型氧化锌薄膜，通过向先驱体溶液中添加适量的铟掺杂剂，经超声雾化热解反应制备低阻n－型氧化锌薄膜。在不同的材料表面上，先后生长p－型(或n－型)和n－型(或p－型)ZnO薄膜即可制得ZnO同质结p－n结。通过控制先驱体溶液浓度及配比、衬底温度、成膜气氛及雾化气量可实现对制得ZnO同质结p－n结电学性能的控制，以满足制备氧化锌基发光二极管(LEDs)，激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。该法工艺简单易行，成本低廉。
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