公开(公告)号：CN109671686A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201910084700.6

申请日：2019-01-29

申请人： 华北电力大学

发明人： 邓二平 ,  任斌 ,  李安琦 ,  张一鸣 ,  赵志斌 ,  黄永章

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373

摘要： 本发明公开了一种压接型IGBT的封装结构。该装置包括第一支撑片、散热装置、弹性元件、铜片和IGBT芯片结构；第一支撑片设置在散热装置上，用于支撑安装于压接型IGBT的封装结构上的电子器件；散热装置设置在第一支撑片与铜片之间，用于对IGBT芯片结构散热；弹性元件贯穿设置在散热装置内部，弹性元件一端与第一支撑片连接，另一端与铜片连接；弹性元件用于补偿IGBT芯片结构因发热产生的压力差；铜片设置在散热装置与IGBT芯片结构之间，铜片用于将IGBT芯片结构产生的热量传递至散热装置，还用于将弹性元件的弹力传递至IGBT芯片结构。本发明的装置，在实现IGBT芯片表面压力均匀分布的同时能有效的降低芯片表面温度，具有提高IGBT芯片寿命的优点。

公开(公告)号：CN109406961A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811255092.2

申请日：2018-10-26

申请人： 华北电力大学

发明人： 文腾 ,  付鹏宇 ,  马浩 ,  赵志斌 ,  李学宝 ,  崔翔

IPC分类号： G01R31/12 ,  G01R1/04

摘要： 本发明公开一种电力电子器件绝缘试验装置，所述电力电子器件包括单芯片、子模组和集成模块，所述试验装置包括：腔体密封外壳、控制器底座和内部夹具；所述腔体密封外壳为所述电力电子器件提供一个密封的工作环境；所述内部夹具夹置所述电力电子器件，所述内部夹具设置在所述腔体密封外壳内部，所述内部夹具用于为所述电力电子器件提供电压、温度、压力；所述控制器底座分别与所述腔体密封外壳和所述内部夹具连接，所述控制器底座用于控制所述腔体密封外壳内的工作环境和所述内部夹具为所述电力电子器件提供的电压、温度、压力。能够测量在高温高压的工作环境下的电力电子器件的光信号、电信号。

公开(公告)号：CN108828272A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810369674.7

申请日：2018-04-24

申请人： 华北电力大学

发明人： 徐鹏 ,  柯俊吉 ,  邹琦 ,  谢宗奎 ,  孙鹏 ,  黄华震 ,  蔡雨萌 ,  赵志斌 ,  崔翔

IPC分类号： G01R1/04

摘要： 本发明公开了一种用于高低温试验箱的多器件并行测试夹具。该并行测试夹具包括：内部固定接线装置、外部旋转夹具、推力轴承、蜗杆传动装置和底座；内部固定接线装置为一中空圆柱体，设置于外部旋转夹具内部，并且与外部旋转夹具同轴；外部旋转夹具设置于底座上；蜗杆传动装置包括齿轮和蜗杆，蜗杆固定于底座上，齿轮固定于外部旋转夹具的外侧表面底部；内部接线装置包括上部分接线装置和下部分带六边形凸台盖板；外部旋转夹具包括主体结构、器件测试插座以及弹簧探针。该发明能实现在不打开高低温试验箱的情况下通过外部控制对多个封装器件进行测试，降低了实验难度，提升了实验效率。

公开(公告)号：CN108646163A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810651955.1

申请日：2018-06-22

申请人： 华北电力大学

发明人： 邓二平 ,  陈杰 ,  郭楠伟 ,  赵志斌 ,  黄永章

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/2601

摘要： 本发明公开一种半导体器件的功率循环测试系统。功率循环测试系统包括：控制器、驱动器、至少一条测试支路、直流电源和水冷器，每条所述测试支路包括一个测试支路开关、与测试支路开关串联的若干待测半导体器件，且各个待测半导体器件串联连接。本发明提供的功率循环测试系统可通过有效地利用一条被测支路的降温时间来对其他被测支路的器件进行加热，待测半导体器件的数量较多，能够极大地提高功率循环测试系统的测试效率。同时，由于本发明提供的功率循环测试系统设置有多条并联的测试支路，因此，用户可以根据实际需求进行多种测试功能的切换，可对不同厂家或型号的器件在同一测试条件下进行对比测试。

公开(公告)号：CN108254661A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810103197.X

申请日：2018-02-01

申请人： 南方电网科学研究院有限责任公司 ,  华北电力大学

发明人： 刘磊 ,  赵志斌 ,  李斌 ,  厉天威 ,  项阳 ,  李敏 ,  唐力 ,  赵贤根 ,  黄开天

IPC分类号： G01R31/12

摘要： 本发明涉及一种金具放电电压试验系统和方法，其中系统包括：冲击电压发生器、高度角度调整装置和分析控制终端，高度角度调整装置与分析控制终端通信连接，用于接收分析控制终端的控制信号，并控制待测金具的高度和角度，冲击电压发生器与分析控制终端通信连接，用于接收分析控制终端的电压信号，并向待测金具施加冲击电压，返回电压测试数据至分析控制终端，分析控制终端用于发送控制信号至高度角度调整装置，并发送电压信号至冲击电压发生器，接收并记录高度角度调整装置和冲击电压发生器的测试数据进行放电电压试验分析。上述金具放电电压试验系统，可实现对金具电压试验参数的机械自动化调整，提升了金具放电电压试验的效率和准确性。

公开(公告)号：CN105353254B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201510847290.8

申请日：2015-11-27

申请人： 南方电网科学研究院有限责任公司 ,  华北电力大学 ,  中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心

发明人： 项阳 ,  黄莹 ,  刘磊 ,  李敏 ,  赵志斌 ,  辛清明

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R27/02

摘要： 一种大型电力设备传输参数的获取方法及系统，通过网络参数测试装置分别获取，包括连接电缆及大型电力设备的综合散射参数，和包括连接电缆但不包括大型电力设备的电缆散射参数；分别根据综合散射参数和电缆散射参数分别确定，包括连接电缆及大型电力设备的综合阻抗参数矩阵，和连接电缆的电缆阻抗参数矩阵；根据综合阻抗参数矩阵和电缆阻抗参数矩阵分别确定，包括连接电缆及大型电力设备的综合传输参数矩阵，和连接电缆的电缆传输参数矩阵；根据综合传输参数矩阵和电缆传输参数矩阵确定大型电力设备的传输参数矩阵，而不是直接利用连接电缆的波阻抗进行数值消除而确定传输参数矩阵，其结果准确性高。

公开(公告)号：CN108051737A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201711260643.X

申请日：2017-12-04

申请人： 华北电力大学

发明人： 孙鹏 ,  柯俊吉 ,  邹琦 ,  黄华震 ,  赵志斌 ,  崔翔

IPC分类号： G01R31/327

摘要： 本发明公开了一种开关器件筛选系统及方法。该系统包括驱动电路、开关电路、并联电路、测量电路以及示波器；驱动电路，与并联电路连接，用于产生驱动电压，驱动待筛选的开关器件；开关电路，与并联电路连接，用于为待筛选的开关器件提供直流偏置电压，产生导通状态下的稳态电流和开关过程中的暂态电流；并联电路，用于并联待筛选的开关器件，使待筛选的开关器件的驱动电压和直流偏置电压均相同；测量电路，与并联电路连接，用于测量所述待筛选的开关器件中流过的暂态电流和稳态电流；示波器，与测量电路连接，用于显示电流波形。本系统和本方法能够快速精确的对开关器件进行筛选，保证开关器件的均一性，避免开关器件的损坏。

公开(公告)号：CN107957541A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201711166334.6

申请日：2017-11-21

申请人： 华北电力大学

发明人： 柯俊吉 ,  黄华震 ,  孙鹏 ,  邹琦 ,  赵志斌 ,  崔翔

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/28

摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块内部并联芯片筛选方法及系统。所述方法包括：获取多个芯片的转移特性曲线；将每一转移特性曲线离散化，获取转移特性曲线的多个离散点，构成芯片离散点集；获取多个芯片中任意两个芯片的芯片离散点集；计算两芯片的若干个相对相差值，相对相差值为漏极电流相对相差值或栅源极电压相对相差值；计算两芯片的平均相对相差值，平均相对相差值为两芯片的若干个相对相差值的平均值；比较多个芯片中所有平均相对相差值，确定最小平均相对相差值；确定最小平均相对相差值对应的两个芯片作为目标筛选芯片。本发明能够得到阈值电压的分散性和跨导系数的分散性都很小的两并联芯片，进而使得并联芯片的瞬态均流效果更佳。

公开(公告)号：CN107369666A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710671883.2

申请日：2017-08-08

申请人： 华北电力大学

发明人： 柯俊吉 ,  谢宗奎 ,  孙鹏 ,  魏昌俊 ,  赵志斌 ,  崔翔

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L25/07 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/492 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/85

摘要： 本发明公开一种半桥模块和封装方法。所述半桥模块是以两个芯片为子单元的并联分组布设，所述半桥模块包括上半桥模块和下半桥模块；上半桥模块包括多个两芯片直接并联的上半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率端子和一个源极功率端子，下半桥模块包括多个两芯片直接并联的下半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率信号端子和一个源极功率信号端子，下半桥的漏极功率端子与上半桥的源极功率端子电气上是互连的。功率信号端子以及驱动信号端子的结构均为二叉树状结构。采用本发明的半桥模块或封装方法，可以降低电路杂散电感的分布差异，实现较好的碳化硅芯片的均流特性。

公开(公告)号：CN107305886A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201610262592.3

申请日：2016-04-25

申请人： 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

发明人： 唐新灵 ,  莫申杨 ,  崔翔 ,  赵志斌 ,  张朋 ,  李金元 ,  温家良

IPC分类号： H01L25/11 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L2224/0603 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L25/115 ,  H01L23/528

摘要： 本发明提供了一种便于串联使用的大功率IGBT模块，包括功率子单元、金属电极板和外部管壳；金属电极板设置在外部管壳的底部；外部管壳包括两列方形框架；两列方形框架之间留有空间形成一个条状框架；功率子单元设置在方形框架内且与金属电极板紧密接触，其包括金属端盖、栅极PCB板、辅助栅极PCB板和多个功率半导体芯片；辅助栅极PCB板设置在条状框架内；金属端盖、金属电极板和栅极PCB板分别与功率半导体芯片的集电极、发射极和栅极电气连接。与现有技术相比，本发明提供的一种便于串联使用的大功率IGBT模块，既有利于功率半导体器件的串联，同时不需要太大的钳位压力，降低了功率半导体器件在实际应用过程中对机械结构的要求。