公开(公告)号：CN104766915A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201410004973.2

申请日：2014-01-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  张荣

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L33/48 ,  H01L25/075

Abstract: 本发明公开了一种集成传感单元的LED器件，在芯片上包含LED发光区域，以及传感单元；该传感单元为发光区域以外独立PN结的二极管；通过检测传感单元一定正向电流下的电压大小来监测该LED器件的结温，或通过检测传感单元一定反向电压下的电流大小来实时监测整个LED器件的亮度。本发明还涉及一种集成传感单元的LED芯片制造方法。本发明的LED提供了集成在芯片上的传感单元，可以通过对传感单元的电压和电流等参数简单测量，准确地实时反映出LED器件的结温、亮度信息，从而实现对LED的工作状态的实时监控和调整，以及根据其全生命周期历史工作状态预报其剩余寿命，实现LED器件的智能化。

公开(公告)号：CN104538523A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510012923.3

申请日：2015-01-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  修向前 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  刘斌 ,  张荣

IPC: H01L33/14

Abstract: 本发明公开了一种改善电流扩展的半导体器件，其包括衬底以及形成于所述衬底上的电流扩展层和外延层，所述电流扩展层的材质为导电材料，且所述导电材料与形成所述外延层的半导体材料不相同，其电导率比外延层材料高，因而电流扩展的距离也要高。本发明的器件可以做到较大尺寸和功率，并不需要采用额外的用于电流扩展的电极延长或多个电极并联，从而改善电流扩展，提高了器件的均匀性、功率和效率。

公开(公告)号：CN1140930C

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN02113005.1

申请日：2002-05-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 沈波 ,  郑有炓 ,  李卫平 ,  周玉刚 ,  毕朝霞 ,  张荣 ,  刘治国 ,  江若琏 ,  施毅 ,  顾书林 ,  胡立群 ,  朱顺明 ,  韩平

IPC: H01L27/12 ,  G11C11/22

Abstract: 基于AlxGa1-xN/GaN异质结的铁电体/半导体存贮器结构及其制法，在蓝宝石衬底上首先用MOCVD技术生长AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构，然后在AlxGa1-xN上用PLD技术生长PZT铁电薄膜，最后用电子束蒸发技术分别在AlxGa1-xN层上淀积Ti/Al欧姆接触电极和在PZT层上淀积Al电极。这种结构利用了PZT/AlxGa1-xN界面的高温稳定性，避免了普通的铁电体/Si MFS结构的界面互扩散和界面反应问题。同时，这种结构以AlxGa1-xN/GaN异质界面高浓度、高迁移率的二维电子气为沟道载流子，有利于提高存贮器结构的响应速度等性质。

公开(公告)号：CN1381897A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02113005.1

申请日：2002-05-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 沈波 ,  郑有炓 ,  李卫平 ,  周玉刚 ,  毕朝霞 ,  张荣 ,  刘治国 ,  江若琏 ,  施毅 ,  顾书林 ,  胡立群 ,  朱顺明 ,  韩平

IPC: H01L27/12 ,  G11C11/22

Abstract: 基于AlxGa1－xN/GaN异质结的铁电体/半导体存贮器结构及其制法,在蓝宝石衬底上首先用MOCVD技术生长AlxGa1－xN/GaN调制掺杂异质结构,然后在AlxGa1－xN上用PLD技术生长PZT铁电薄膜,最后用电子束蒸发技术分别在AlxGa1－xN层上淀积Ti/Al欧姆接触电极和在PZT层上淀积Al电极。这种结构利用了PZT/AlxGa1－xN界面的高温稳定性,避免了普通的铁电体/SiMFS结构的界面互扩散和界面反应问题。同时,这种结构以AlxGa1－xN/GaN异质界面高浓度、高迁移率的二维电子气为沟道载流子,有利于提高存贮器结构的响应速度等性质。

公开(公告)号：CN205104491U

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201520792707.0

申请日：2015-10-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  王小莉 ,  张荣

IPC: H01L27/15 ,  G09F9/33

Abstract: 本实用新型公开了一种超高密度LED显示器件，包括基板以及封装于基板上的LED芯片阵列，芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片。本实用新型采用扇出型晶圆级封装工艺(Fan-Out Wafer-Level Package，FOWLP)，减小了封装面积，提高了LED显示屏的分辨率；各LED芯片为结构和发光波段相同的同种LED芯片，通过在LED芯片上利用芯片自身发光固化的方式分别涂敷红光、绿光和蓝光荧光粉，使其分别发红光、绿光以及蓝光，从而保证各LED芯片在使用过程中的光衰减一致，改善显示屏的显色性能；本实用新型可以实现像素点间距小于1mm乃至小于0.1mm，实现LED显示器件的高集成度、高分辨率、光色一致性更好等性能，在室内高密度显示屏、投影、可穿戴式显示器件方面有重要的应用。

公开(公告)号：CN204857768U

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201520278901.7

申请日：2015-04-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  余显正 ,  张荣

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开了一种紫外半导体发光器件，其包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极，所述p型层上还依次设有石墨烯-Ag纳米复合层和导电反射层，所述石墨烯-Ag纳米复合层与p型层形成欧姆接触。进一步的，所述石墨烯-Ag纳米复合层包括：形成于p型层上的Ag纳米材料层，所述Ag纳米材料层包含Ag纳米点和/或Ag纳米线以及覆盖在所述Ag纳米材料层上的石墨烯薄膜；或者，石墨烯量子点负载Ag纳米粒子复合体层。本实用新型的半导体发光器件具有外部量子效率高、出光效率高、开启电压低、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单可控，成本低廉，适于工业化生产。