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公开(公告)号：CN116425546B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310422731.4
申请日：2023-04-19
Applicant: 吉林大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法，属于超硬材料合成技术领域，该方法包括：214μm～250μm金刚石、硅粉和碳化硅酸碱处理后，在氩气保护下等离子净化处理；金刚石75％wt～90％wt、碳化硅7％wt～20％wt和硅3％wt～5％wt混匀后加液态石蜡，得到混合粉末，过筛，内组装，冷压预压成型，高温预处理脱蜡，外组装，烘干，高温高压合成，然后降温降压，得到聚晶烧结体，磨床去杯，除杂清洗后得到金刚石/碳化硅聚晶烧结体，本发明利用预处理后的大尺寸且高占比的金刚石、硅和碳化硅采用高温高压法制备高导热性且极低孔隙率的金刚石/碳化硅复合材料。
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公开(公告)号：CN117920178A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311746596.5
申请日：2023-12-18
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J21/18 , B01D53/86 , B01D53/56 , B01J23/72 , B01J23/10 , B01J23/22 , B01J23/89 , B01J23/83 , B01J23/28 , B01J23/887
Abstract: 本发明涉及一种降解氮氧化合物的复合催化剂及其制备方法，以金刚石微粉为载体并起到还原和催化作用，同时以一种或多种金属或金属氧化物为催化活性组分。所述金属氧化物为V2O5、Co3O4、CuO、ZrO2、NiO、Fe2O3、Al2O3、TiO2、WO3、MoO3、CeO2、Rh2O3或Sm2O3中的1～2种的混合；或者三元金属氧化物V2O5‑MoO3‑TiO2、CeO2‑ZrO2‑WO3中的一种。本发明催化剂具有良好的降解NOx活性,在200‑700℃温度内降解效率可达到80％以上，适合不同温度范围内降解的要求。该复合型催化剂活性高、抗氧阻抑能力强，有利于长期使用。本发明提供的制备方法，工艺合理，适用于工业应用。
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公开(公告)号：CN117587381A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311594037.7
申请日：2023-11-27
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/56 , C23C16/52 , C23C16/503 , C23C16/511 , C23C16/50 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/26 , C01B32/28 , G01N27/30
Abstract: 本发明制备了一种通过空气中高温退火刻蚀掉纳米草金刚石/非金刚石碳复合结构中的非金刚石碳部分，形成纳米草金刚石，属于功能纳米结构及其制备的技术领域。在制备硼氮共掺杂金刚石/非金刚石复合结构薄膜时，氮气是至关重要的，氮的掺杂导致金刚石形成柱状生长，同时高的甲烷浓度和氮的加入会加剧金刚石二次成核，形成的金刚石晶粒非常小，同时含有大量非金刚石碳，这正是我们想要的结果。去除非金刚石，该金刚石传感器的高密度纳米草结构大大提高了电极的表面积，为检测痕量分子提供更多反应位点。以镉离子为例，在1—100μgL‑1的溶液中具有良好的线性度，可以实现0.28μgL‑1的低检测限。纳米草金刚石传感器具有较好稳定性和可重复使用性，并且制备方法工艺简单，便于大规模制备。
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公开(公告)号：CN115714143A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211478574.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/40 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体功率器件技术领域，该肖特基二极管包括重掺杂P型材料的衬底，在衬底的上表面生长的轻掺杂P型材料的漂移层，对漂移层进行刻蚀处理后得到的第一凹槽结构，在第一凹槽结构中沉积形成的N型结构，沉积在漂移层和N型结构上的场板，在衬底的下表面沉积的第一电极，在场板和漂移层上表面沉积的第二电极。本发明通过改变场板和结终端扩展结构的相对空间位置，实现了导通电阻和耐压性能的平衡并获得高的巴利加优值。
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公开(公告)号：CN111739945A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010551169.1
申请日：2020-06-17
IPC: H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/267 , H01L21/04
Abstract: 本发明的一种金刚石倾斜台面异质结二极管及其制备方法，属于半导体功率器件的技术领域。其结构为，在低阻p型金刚石衬底(1)的正面依次有p型金刚石过渡层(2)、金刚石漂移层(3)、倾斜台面(4)、凹槽结构(5)、n型氧化镓层(6)、肖特基接触电极(8)，在低阻p型金刚石单晶衬底(1)的背面有欧姆接触电极(7)。本发明利用n型氧化镓填充凹槽避免选择区域形成n型掺杂金刚石面临的难题，同时在优化倾斜角度的台面上生长氧化镓形成异质PN结型混合终端结构，终端处的PN结在正向偏置时导通提高器件电流及抗浪涌能力，反向偏置时形成耗尽区缓解边缘电场集中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111362264A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010198511.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种用于抗菌治疗的含氧纳米金刚石及其制备方法，属于医疗抗菌材料技术领域。所述的含氧纳米金刚石直径为5～10nm，表面基团为羧基、羰基和羟基，表面含氧量为15～20％，制备方法包括：将纳米金刚石分散于H2SO4和HNO3的混合物中加热、将所得样品加入氢氧化钠溶液中冷却透析、产物分散于盐酸中加热后再次透析等步骤。本发明制备过程简便、易操作、成本低，制备的含氧纳米金刚石具有良好的过氧化物酶样活性，针对牙周致病菌形成的菌斑生物膜具有良好的破坏作用。
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公开(公告)号：CN102021649B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010603983.X
申请日：2010-12-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的利用添加N2O气体化学气相沉积金刚石单晶的方法属金刚石单晶材料及其制备方法的技术领域。采用微波等离子体化学气相沉积系统，将单晶金刚石基底经抛光超声清洗处理后置于样品托放在沉积室内，向沉积室内充入氢气、甲烷和笑气，流量比为H2∶CH4∶N2O＝750∶75～90∶2～10，在微波功率2～2.5kw、基底温度900～1100℃，气压13～40kPa下生长金刚石单晶。本发明具有方法简单，生长速度快，质量好，成本低，污染小等优点，在N2O浓度的增加对全球气候增温效应越来越显著情况下，既利用废气节能减排，又促进了金刚石的生产。
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公开(公告)号：CN101608533B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910067292.X
申请日：2009-07-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的孕镶金刚石膜的钻头及其制作方法属于机械加工领域。钻头是由钢体(1)和工作层(2)构成，工作层(2)包含化学气相沉积的金刚石膜(4)和硬质胎体材料(3)。金刚石膜(4)按要求形态分布于工作层(2)中。钻头成型方式包括一次成型和镶块式二次成型。一次成型是指烧结型热压金刚石钻头，镶块式二次成型是先烧结出金刚石孕镶块，然后把孕镶块镶焊在铣好的钢体上形成钻头。本发明的钻头增强了耐磨性，减小了切割粘附性，保证钻头底唇面的粗糙度和有效出刃，并可有效地保径，提高了切削效率和工具的寿命。与普通金刚石钻头比较，具有寿命长、钻进效率高、工作距离长、能耗低、防粘岩粉能力强等特点。
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公开(公告)号：CN101311339A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810050651.6
申请日：2008-04-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的鉴别高速生长的化学气相沉积金刚石单晶的方法属金刚石材料技术领域。通过以甲烷、氢气、氮气为反应气体获得的CVD金刚石单晶的生长表面及沿生长方向侧面不同位置的光致荧光光谱的测试，光谱强度规律变化的金刚石单晶是掺氮高速化学气相沉积金刚石单晶。进而根据和氮含量相关的光致荧光峰的强度的规律变化，区分CVD金刚石单晶和其他金刚石单晶。本发明的方法简单、适用、快速；不对所生长的CVD单晶金刚石造成破坏。
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公开(公告)号：CN114937667B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210297544.3
申请日：2022-03-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法属于半导体单片集成电路技术领域，其结构由下往上依次包括衬底(1)、金刚石外延层(2)、氢终端二维空穴气(3)、绝缘介质层(4)、半导体层和欧姆接触电极；制备方法包括在衬底上生长金刚石外延层、刻蚀形成凹槽结构、形成氢终端二维空穴气等步骤。本发明工艺简单，利用氢终端金刚石表面的二维空穴气作为栅电极可以有效缩短晶体管栅极长度，并且利用p、n型半导体形成CMOS结构，有利于后续单片集成。
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