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公开(公告)号：CN103746052A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310736780.1
申请日：2013-12-27
申请人： 太原理工大学
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/325
摘要： 本发明涉及一种InGaN基多量子阱结构，通过在所述GaN垒层上面依次生长所述In组分渐增量子阱层与Si掺杂的GaN垒层呈交替排布的多层结构，之后沿生长方向进一步包括所述In组分固定的量子阱层、In组分递减垒层和GaN垒层呈周期性排布的多层结构，从而本发明所述的InGaN基多量子阱结构能够有效缓解少垒和阱界面处的应力，缓解能带的弯曲，控制电子和空穴的辐射复合区域，提高电子和空穴的注入效率和辐射复合效率，从而有利于进一步获得晶体质量好、内量子效率高、发光效率高的GaN基LED结构，并且其发光峰的半高宽较小，发出光波长较均一。
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公开(公告)号：CN103500781A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310455429.5
申请日：2013-09-30
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 , 太原理工大学
CPC分类号： H01L33/04 , H01L33/0062 , H01L33/10 , H01L33/12
摘要： 本发明涉及AlGaInP发光二极管，具体是一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法。本发明解决了现有AlGaInP发光二极管的外延片工艺复杂、成本高、以及出光效率较低的问题。一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片，包括n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层、n-AlxGa1-xAs渐变层、复合式DBR、n-InAlP限制层、有源层、p-InAlP限制层、P型超晶格层、p-GaP窗口层；其中，n-GaAs缓冲层生长于n-GaAs衬底的上表面；n-AlxGa1-xAs渐变层生长于n-GaAs缓冲层的上表面。本发明适用于AlGaInP发光二极管的制造。
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公开(公告)号：CN102503169A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110311015.6
申请日：2011-10-14
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： C03C17/34
摘要： 本发明提供了一种氧化锌/氧化亚铜异质结的制备方法,该方法首先将ZnO晶种附着在基片上，实现了n型ZnO材料和基片的牢固结合；再将附着有ZnO材料的基片放入锌氨络离子溶液中，利用水热法依靠ZnO晶种生长成形为ZnO纳米棒阵列；之后，通过选择适宜的溶剂，使得ZnO纳米棒阵列表面可以适宜溶解，从而更容易实现p型Cu2O材料在ZnO纳米棒阵列上的结合生长，保证了n-ZnO/p-Cu2O异质结的稳定性。
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公开(公告)号：CN101372760B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200810079375.6
申请日：2008-09-10
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： C30B29/42 , C30B23/00 , H01L21/203
摘要： 本发明涉及一种发红光的掺氧砷化镓多晶薄膜的制备方法，它是以砷化镓、氧化镓、氧化铟为原料，以砷化镓基片为薄膜生长载体，以盐酸、无水乙醇、双氧水、去离子水为清洗剂，以氩气为载气和保护气体，以次氯酸纳、氢氧化钠、磷酸、去离子水为废气回收剂，制备是在管式高温炉中进行的，在石英管内高温区段置放L形石英舟，在L形石英舟左部放置原料粉末，右部斜置砷化镓基片，在800±5℃状态下，在氩气气氛中，原料粉末进行形态转换、气相沉积、薄膜生长，在基片上生成灰黑色掺氧砷化镓多晶薄膜，薄膜为胶粘式颗粒联结而成波浪状，发红光，制备中的有毒气体进行回收，不污染环境，此制备方法工艺流程短、薄膜成形快、产物纯度高，可达99％。
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公开(公告)号：CN102093559A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010561806.X
申请日：2010-11-21
申请人： 太原理工大学 , 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 , 山西光宇半导体照明有限公司
摘要： 一种聚酰亚胺电子封装材料及其合成方法。其方法首先是将2，3，3’，4’-联苯四酸二酐与2，2’-双(三氟甲基)-4，4’-二胺基二苯基硫等摩尔配比溶于非质子极性溶剂中，在10℃～20℃下反应制备聚酰胺酸；其次是将制备好的聚酰胺酸置于烘箱中按如下程序进行亚胺化：80℃/3h；150℃/1h；180℃/1h；250℃/1h；300℃/1h；350℃/15min，自然冷却后得到电子封装聚酰亚胺材料。本发明所合成的材料具有高透光率、低吸水率、优异的力学性能及耐高温等性能，可用于电子封装材料，尤其可用于大功率LED封装材料。
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公开(公告)号：CN110034213B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201910235667.2
申请日：2019-03-27
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明一种高性能GaN基发光二极管结构及其制备方法，属于半导体材料技术领域；提供了一种GaN基发光二极管结构，增加了量子阱区对载流子的束缚能力，减少了载流子的泄漏，提高了GaN基发光二极管的内量子效率；一种高性能GaN基发光二极管结构，包括在衬底上依次生长的GaN成核层、u‑GaN层、N型掺杂的GaN层、纳米微型坑层、InGaN/GaN量子阱层、P型掺杂的AlGaN电子阻挡层、P型掺杂的GaN层和电极接触层,纳米微型坑层包括自下而上交替层叠的纳米微型坑形成层和纳米微型坑层处理层，三甲基镓掺硅层上生长有多个纳米岛，纳米微型坑层处理层用于对纳米岛的表面进行光滑处理。
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公开(公告)号：CN109066287B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201811170679.3
申请日：2018-09-26
申请人： 山西飞虹激光科技有限公司 , 太原理工大学
摘要： 本发明提供一种半导体激光器腔面的钝化方法及半导体激光器，属于半导体激光器领域。通过氮等离子体轰击并注入半导体激光器的前腔面和后腔面，能使腔面的悬挂键与N原子充分键合，不仅能够起到钝化效果，且因为N原子的键能大，因而形成的Ga‑N键更稳定；通过使用碳等离子体轰击并注入前腔面和后腔面，使得C原子与腔面因氮离子轰击产生的新的断裂键充分结合，补偿了表面损伤的腔面，达到了保证解理腔面的悬挂键的饱和与稳定的效果。因此，本发明不仅简化了腔面钝化的工艺步骤，减少了工艺流程时间，降低了生产成本，且提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和在高光功率密度条件下的稳定输出的可靠性，实现了半导体激光器的高功率、长寿命的目的。
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公开(公告)号：CN109273566B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810860996.1
申请日：2018-08-01
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明涉及三族氮化物半导体光电子材料领域，提出了一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构，包括底垒层、顶垒层、位于底垒层和顶垒层之间的多个InGaN量子点层和设置在各个InGaN量子点层之间的中间垒层，其特征在于，还包括紧邻所述InGaN量子点层并设置在其上方第一应变减少层，所述第一应变减少层为In组分低于10%的InGaN层，所述中间垒层包括应变补偿层，所述应变补偿层为晶格常数小于GaN的垒层。本发明为提升GaN基LED及激光器性能、并拓宽其发光波长范围提供了一种新型的有源区结构。
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公开(公告)号：CN110034213A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910235667.2
申请日：2019-03-27
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明一种高性能GaN基发光二极管结构及其制备方法，属于半导体材料技术领域；提供了一种GaN基发光二极管结构，增加了量子阱区对载流子的束缚能力，减少了载流子的泄漏，提高了GaN基发光二极管的内量子效率；一种高性能GaN基发光二极管结构，包括在衬底上依次生长的GaN成核层、u-GaN层、N型掺杂的GaN层、纳米微型坑层、InGaN/GaN量子阱层、P型掺杂的AlGaN电子阻挡层、P型掺杂的GaN层和电极接触层,纳米微型坑层包括自下而上交替层叠的纳米微型坑形成层和纳米微型坑层处理层，三甲基镓掺硅层上生长有多个纳米岛，纳米微型坑层处理层用于对纳米岛的表面进行光滑处理。
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公开(公告)号：CN109802021A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910235749.7
申请日：2019-03-27
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 , 太原理工大学
摘要： 本发明提供一种InGaN量子点发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。包括蓝宝石衬底；设于蓝宝石衬底上面的GaN形核层；设于GaN形核层上面的未掺杂的GaN层；设于未掺杂的GaN层上面的n型GaN层；设于n型GaN层上面的第一GaN势垒层；设于第一GaN势垒层上面的量子阱区，量子阱区包括5～15周期的量子阱层，每个量子阱层从下至上依次包括InGaN量子点层、非线性变速生长的量子点盖层和第二GaN势垒层；设于量子阱区上面的p型AlGaN电子阻挡层；设于p型AlGaN电子阻挡层上面的p型GaN层；设于p型GaN层上面的p++型GaN电极接触层。本发明能有效抑制量子点处In组分的偏析，减少界面位错的攀移，从而减少阱垒界面的位错密度，使量子点分布趋于均匀，实现高密度高性能InGaN量子点的制备。
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