公开(公告)号：CN1437223A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN03104241.4

申请日：2003-02-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  前川幸弘 ,  铃木宏之 ,  中山一郎

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23F4/00 ,  Y02E50/30

Abstract: 本发明公开一种等离子体处理方法及装置。一边向真空室内供给气体一边排气、使其控制在规定的压力，在与载置在所述真空室内的基片电极上的基片对向、设置在所述真空室内的天线上供给频率为30MHz～3GHz的高频电功率的同时，通过向所述天线供给所述频率为另外的频率100kHz～20MHz的高频电功率，使所述真空室内产生等离子体，处理形成在所述基片上的高熔点金属膜。

公开(公告)号：CN1154569A

公开(公告)日：1997-07-16

申请号：CN96122849.0

申请日：1996-10-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  中冈弘明 ,  高濑道彦 ,  中山一郎

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L29/66106 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32678 ,  H01L21/2236

Abstract: 向真空槽内导入惰性或反应性气体，以良好的效率产生杂质，以在固体样品的表面部分上形成高浓度的杂质层。在真空槽内保持杂质固体和固体样品。向真空槽内导入Ar气以形成等离子体。给杂质固体加上使其对于等离子体变成阴极的电压，用等离子体中对杂质固体溅射以使其中的硼混入等离子体中，给固体样品加上使其对于等离子体变成为阴极的电压，把已混入等离子体中的硼导入固体样品的表面部分中去。

公开(公告)号：CN1121303A

公开(公告)日：1996-04-24

申请号：CN95104699.3

申请日：1995-05-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎

IPC: H05H1/46

Abstract: 一种螺旋波等离子处理方法和装置，它在真空容器内设置装载基板的电极，在与真空容器的基板对置的壁面上配置多个放电管，各放电管的周围设有螺旋天线及产生静磁场用线圈。另外还设有使直流电流流入产生磁场用各线圈的天线用高频电源，使得多个产生静磁场用线圈中至少一个线圈产生的静磁场的方向与其它线圈产生的静磁场方向相反，上述方法和装置能在较高真空下产生高密度等离子体，具有成品率高、小型化，适合于大型基板处理等优点。

公开(公告)号：CN1121260A

公开(公告)日：1996-04-24

申请号：CN95106027.9

申请日：1995-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  冈田健治 ,  中山一郎

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L21/02238 ,  C23C16/48 ,  C23C16/482 ,  C23C16/484 ,  C23C16/485 ,  C23C16/486 ,  C23C16/487 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02227 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31608

Abstract: 通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片1照射电离射线或光线一边导入适当的功能性气体，在半导体基片上依次形成P型杂质层、硅单晶层、硅氧化膜和硅膜。在低于250℃的温度下，以硅膜上形成的光刻胶为掩模进行刻蚀形成由硅氧化膜构成的栅电极B和栅极绝缘膜。之后以栅电极为掩模进行刻蚀，形成由P型杂质层构成的沟道区域。通过在低于250℃的温度下边照射电离射线或光线边导入适当的气体，在栅极侧面上形成源、漏电极。

公开(公告)号：CN1110832A

公开(公告)日：1995-10-25

申请号：CN95100622.3

申请日：1995-02-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 渡边彰三 ,  铃木正树 ,  中山一郎 ,  奥村智洋

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/30 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32568

Abstract: 一种真空等离子处理装置。该装置在与基座13相对的真空处理容器11的绝缘体壁面上按栅格状排列凸球形的分电极15a、15b、15c，且分电极15a、15b、15c接有产生等离子区用的高频电源16a、16b、16c，施加分别相差120°相位的高频电压，从而可在被处理基板的上方产生均匀的高密度等离子区。

公开(公告)号：CN102782817A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180012319.0

申请日：2011-05-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  斋藤光央

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H05H1/30

CPC classification number: H05H1/30 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/32825 ,  H01L21/324

Abstract: 在基材载置台(1)的基材载置面(1a)上载置有基材(2)。感应耦合型等离子体喷枪单元(3)包括：筒状腔室(7)，其包括设有长方形的狭缝状的等离子体喷出口(4)且由绝缘体材料构成的圆筒(5)、及闭塞圆筒(5)的两端的盖(6)；气体喷出口(8)，其向筒状腔室(7)内供给气体；螺线管(9)，其使筒状腔室(7)内产生高频电磁场。通过从高频电源(41)向螺线管(9)供给高频电力，由此使筒状腔室(7)内产生等离子体(P)并将其从等离子体喷出口(4)向基材(2)照射。能够使等离子体喷枪单元(3)和基材载置台(1)相对地移动并同时对基材表面进行热处理。

公开(公告)号：CN102751159A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210238455.8

申请日：2006-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  伊藤裕之 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  水野文二 ,  中山一郎 ,  置田尚吾 ,  永井久雄

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备引入真空容器时，该真空容器通过排气孔藉由作为排气装置的涡轮分子泵被排气，且通过压力调节阀在真空容器内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源供应到置为与样品电极对立的介电质窗口附近的线圈，由此在真空容器内产生感应耦合等离子体。介电质窗口是由多个介电质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介电质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介电质板内的气体排出口被允许连通介电质窗口内的槽。从气体排出口引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。

公开(公告)号：CN102387653A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110235970.6

申请日：2011-08-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  川浦广 ,  幸本彻哉

IPC: H05H1/30

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H05H1/28 ,  H05H1/34 ,  H05H1/3405

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，在等离子枪组件(T)中，整体形成线圈的铜棒(3)配置在石英块(4)上所设的铜棒插入孔(12)内，石英块(4)被在铜棒插入孔(12)及冷却水配管(15)内流过的水冷却。在枪组件(T)的最下部设置等离子体喷出口(8)，向长条腔室内部的空间(7)供给气体的同时，向铜棒(3)供给高频电力，而使长条腔室内部的空间(7)产生等离子体向基材(2)照射。据此，能够对基材(2)所期望的整个被处理区域在短时间内进行处理。

公开(公告)号：CN101053066B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200580037487.X

申请日：2005-10-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  金成国 ,  前嶋聪 ,  伊藤裕之 ,  中山一郎 ,  水野文二

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/67069

Abstract: 一种能够提高晶态到非晶态转变的均匀性的等离子体处理方法和设备。当将预定的气体通过进气孔(11)从气体供应设备(2)引入到真空容器(1)中时，通过排气孔(12)由作为排气设备的涡轮分子泵(3)排出，且该真空容器(1)中的压力由压力调节阀(4)保持在预定值。将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)提供到接近电介质窗(7)设置的线圈(8)上，该电介质窗(7)与样品电极(6)相对，且感应耦合等离子体在真空容器(1)中生成。向样品电极(6)提供高频功率的高频电源(10)被提供，并作为控制样品电极(6)的电势的电压源。通过涉及样品电极(6)的结构，硅晶片(9)的表面中晶体层被均匀地转变为非晶态。

公开(公告)号：CN101276748B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200710127005.0

申请日：2003-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一朗

IPC: H01L21/223 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂装置，具备真空容器、用于将气体输入上述真空容器内的供气装置、用于从上述真空容器内排出气体的排气装置、用于将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀、用于在上述真空容器内放置试样的试样电极、等离子体发生装置、装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路、以及通过上述等离子体发生装置用匹配电路将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源。