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公开(公告)号：CN102656520B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201080056557.7
申请日：2010-11-29
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G03F7/22 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70725 , G03F7/7035 , G03F7/70358 , G03F7/70433 , G03F7/70533
Abstract: 本发明涉及一种曝光方法，将被曝光体沿着一方向以恒定速度搬运，并同时在沿着该被曝光体的搬运方向以规定间隔配置的第一及第二曝光区域的每一个上形成不同的曝光图案，该曝光方法具有：将与各曝光图案对应的第一及第二掩模图案组沿着被曝光体的搬运方向以规定间隔排列而形成光掩模，在基于光掩模的第一掩模图案组的对被曝光体的第一曝光区域的曝光结束时，使光掩模移动规定距离而从第一掩模图案组切换成第二掩模图案组的阶段；通过第二掩模图案组执行对被曝光体的第二曝光区域的曝光的阶段，其中，控制光掩模的移动速度，以使第一及第二掩模图案组的切换时的被曝光体的移动距离比光掩模的移动距离长。
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公开(公告)号：CN103703410A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280032194.2
申请日：2012-08-02
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G02F1/0136 , H01S3/0057
Abstract: 本发明公开了一种脉冲宽度扩展装置，其构成为具备：将入射的脉冲激光进行分光的偏振分光镜（1）；根据所施加的电压而将入射的脉冲激光进行偏振的电光元件（2a、2b）；通过向所述电光元件施加电压并对该电压进行控制，从而对入射到所述电光元件上的脉冲激光的偏振进行控制的偏振控制装置（3）；以及具有将通过了所述电光元件的脉冲激光反射并使其入射到所述偏振分光镜的多个反光镜（4a、4b、4c），并形成使脉冲激光再一次入射到所述电光元件的光路的光路形成装置（4），通过使由所述偏振分光镜分光的脉冲激光围绕所述光路旋转从而使相位错开，并将该相位错开的脉冲激光进行重合从而扩展其脉冲宽度。
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公开(公告)号：CN103415810A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280011253.8
申请日：2012-02-02
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02B13/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70191 , G02B3/0056 , G03F7/70275 , G03F7/70358
Abstract: 在曝光装置中，设置有射入透过了光源和掩模的曝光用光，并以具有规定的规则性配置的使正立等倍像在基板上成像的多个微透镜的微透镜阵列。进而，在基板到达了规定位置时，从光源脉冲地照射激光，将基板依次曝光，在基板的曝光对象区域的全域被曝光之后，将微透镜阵列与掩模的相对位置关系，仅以微透镜的行间距，在列方向依次切换，进行下一个顺序的曝光。由此，能以短曝光行程进行高精度且高分辨率的曝光。
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公开(公告)号：CN102656520A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080056557.7
申请日：2010-11-29
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G03F7/22 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70725 , G03F7/7035 , G03F7/70358 , G03F7/70433 , G03F7/70533
Abstract: 本发明涉及一种曝光方法，将被曝光体沿着一方向以恒定速度搬运，并同时在沿着该被曝光体的搬运方向以规定间隔配置的第一及第二曝光区域的每一个上形成不同的曝光图案，该曝光方法具有：将与各曝光图案对应的第一及第二掩模图案组沿着被曝光体的搬运方向以规定间隔排列而形成光掩模，在基于光掩模的第一掩模图案组的对被曝光体的第一曝光区域的曝光结束时，使光掩模移动规定距离而从第一掩模图案组切换成第二掩模图案组的阶段；通过第二掩模图案组执行对被曝光体的第二曝光区域的曝光的阶段，其中，控制光掩模的移动速度，以使第一及第二掩模图案组的切换时的被曝光体的移动距离比光掩模的移动距离长。
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公开(公告)号：CN101258448B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200680032376.4
申请日：2006-09-25
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G03F9/7038 , G03F9/7088
Abstract: 本发明提供一种曝光装置，利用拍摄装置3在同一视场内分别捕捉并拍摄形成在滤色基板6上的基板侧对准标记和形成在光掩膜7上的掩膜侧对准标记，基于该拍摄到的基板侧和掩膜侧对准标记的各图像，相对移动载物台1和掩膜载物台2，对滤色基板6与光掩膜7进行对位后进行曝光，并且具有光学距离修正装置4，该光学距离修正装置4使拍摄装置3的线阵CCD22与滤色基板6之间的光学距离和拍摄装置3的线阵CCD22与光掩膜7之间的光学距离大致一致。由此，缩短基板和光掩膜的对位的处理时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102414795A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018835.X
申请日：2010-04-28
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社V技术
IPC: H01L21/205 , C23C16/48
CPC classification number: C23C16/481 , C23C14/548 , C23C16/303 , C23C16/52 , C30B25/00 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0062
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的沉积方法，其在使三元以上的化合物半导体在基板上沉积时能够以纳米级调整其发射波长。本发明涉及一种使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其中，在使化合物半导体向基板(13)上沉积的同时，对该基板(13)上照射比该化合物半导体所期望的理想的激发能量小的能量的传播光，使在基板(13)上沉积的化合物半导体的微粒产生基于上述照射的传播光的近场光，基于所产生的近场光，化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该传播光使化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。
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公开(公告)号：CN101273302B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200680035418.X
申请日：2006-09-25
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G03F7/0007 , G03F1/44
Abstract: 本发明是由透明基体材料2和形成在该透明基体材料2的一个面上的遮光膜3构成的光掩模1，该光掩模1设置了多个掩模图案4和观察孔5，所述多个掩模图案4单向排列形成在上述遮光膜3上，并使曝光用光透过，所述观察孔5形成在上述遮光膜3上，并且形成在上述多个掩模图案4的排列方向的一侧，可观察对置的滤色基板的表面。这样，提高曝光图案相对于涂敷了感光性树脂的基板的基准图案的重合精度。
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公开(公告)号：CN102308364A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201080006400.3
申请日：2010-02-02
IPC: H01L21/027 , G02B26/10 , G02B27/09 , G03F7/20
CPC classification number: G02B27/0927 , G02B19/0014 , G02B19/0052 , G02B27/0961 , G03F7/70083 , G03F7/70191 , G03F7/70583
Abstract: 本发明提供一种激光曝光装置，其具备：第一蝇眼透镜(2)，其扩大激光的截面形状；第一光程差调整构件(3)，其配置于第一蝇眼透镜(2)的激光的入射侧且使向第一蝇眼透镜(2)的各聚光透镜(2a)分别入射的激光产生相位差；会聚透镜(4)，其将从第一蝇眼透镜(3)射出的激光转变为平行光；第二蝇眼透镜(6)，其将激光带来的光掩模的照明区域内的光强度分布均匀化；第二光程差调整构件(7)，其配置于第二蝇眼透镜(6)的激光的入射侧，使向第二蝇眼透镜(6)的各聚光透镜(6a)分别入射的激光产生相位差。由此，将由蝇眼透镜产生的激光的干涉条纹平均化，同时降低激光的照度不均。
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公开(公告)号：CN102246100A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980150397.X
申请日：2009-11-05
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02F1/1335 , G02F1/1339 , G03F1/08
CPC classification number: G02F1/133516 , G02F1/13394 , G02F2001/13396 , G03F7/203 , G03F7/70283
Abstract: 本发明是对涂敷了正性的感光材料的基板进行曝光的光掩模(3)，至少以规定的排列间距在透明基板上形成了如下掩模图案群：第1掩模图案群(16)，其以与基板上的高度不同的两种凸起状图案形成部对应的间隔具有与凸起状图案的横截面积大致相等的面积的第1遮光图案(20)；和第2掩模图案群(17)，其具有与两种凸起状图案形成部中高度较高的凸起状图案形成部对应的规定面积的第2遮光图案(22)、和与高度较低的凸起状图案形成部对应的开口图案(23)。由此，能够将高度不同的多种凸起状图案的顶部形成为大致半球面状。
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公开(公告)号：CN101238416B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200680028831.3
申请日：2006-07-24
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G03F7/7085 , G03F7/70258 , G03F9/7003 , G03F9/7088
Abstract: 本发明提供一种曝光装置及被曝光体，承载在设定于表面的图案区域的一个边缘的规定位置形成有对准标记的彩色滤光基板6，并通过输送装置1，以形成有对准标记的一侧为最前侧，输送该彩色滤光基板6，通过拍摄装置3拍摄对准标记和像素，通过控制装置4，根据拍摄装置3所取得的对准标记的检测输出，计算出彩色滤光基板6上的基准位置和预先设定在曝光光学系统2的光掩模17上的基准位置的偏差，并使拍摄装置3和曝光光学系统2一体地在与彩色滤光基板的承载面平行的面内移动，从而修正该偏差，将从曝光光源12发射的曝光用的光经由光掩模17照射到彩色滤光基板6上。
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