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公开(公告)号：CN102844839A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180020284.5
申请日：2011-04-11
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02691 , H01L27/1285
Abstract: 本发明提供一种激光退火方法、装置以及微透镜，能够以不同于非晶硅膜中的晶体管形成预定区域的间距的较大间距来构成微透镜阵列，又能够以小于微透镜阵列的排列间距的间距来形成通过对非晶硅膜进行激光退火而产生的微小多晶硅膜区域。第1组（11）、第2组（12）以及第3组（13）的微透镜在各组内3列以同一间距P排列，在各组间微透镜则以P＋P/3隔离。在第1工序中，从第1组的3列微透镜照射第一次激光，在第2工序中，在使衬底（20）移动了3P的时刻从2×3列微透镜（5）照射第二次激光，以后同样地以P/3间距形成激光退火区域。
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公开(公告)号：CN102414795A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018835.X
申请日：2010-04-28
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社V技术
IPC: H01L21/205 , C23C16/48
CPC classification number: C23C16/481 , C23C14/548 , C23C16/303 , C23C16/52 , C30B25/00 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0062
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的沉积方法，其在使三元以上的化合物半导体在基板上沉积时能够以纳米级调整其发射波长。本发明涉及一种使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其中，在使化合物半导体向基板(13)上沉积的同时，对该基板(13)上照射比该化合物半导体所期望的理想的激发能量小的能量的传播光，使在基板(13)上沉积的化合物半导体的微粒产生基于上述照射的传播光的近场光，基于所产生的近场光，化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该传播光使化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。
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公开(公告)号：CN102246100A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980150397.X
申请日：2009-11-05
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02F1/1335 , G02F1/1339 , G03F1/08
CPC classification number: G02F1/133516 , G02F1/13394 , G02F2001/13396 , G03F7/203 , G03F7/70283
Abstract: 本发明是对涂敷了正性的感光材料的基板进行曝光的光掩模(3)，至少以规定的排列间距在透明基板上形成了如下掩模图案群：第1掩模图案群(16)，其以与基板上的高度不同的两种凸起状图案形成部对应的间隔具有与凸起状图案的横截面积大致相等的面积的第1遮光图案(20)；和第2掩模图案群(17)，其具有与两种凸起状图案形成部中高度较高的凸起状图案形成部对应的规定面积的第2遮光图案(22)、和与高度较低的凸起状图案形成部对应的开口图案(23)。由此，能够将高度不同的多种凸起状图案的顶部形成为大致半球面状。
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公开(公告)号：CN101039758B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200580035378.4
申请日：2005-10-25
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: B05C5/00 , B05C9/08 , G02B5/20 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/201 , G02F1/133516
Abstract: 本发明提供了一种液体材料供给装置和彩色滤光片的缺陷修正装置，该装置包括：液体材料吐出部(7)，该液体材料吐出部(7)具有分别填充有不同液体材料的多个点胶机(26)，并支撑于支撑体；压力施加机构，用于给各点胶机(26)内的液体材料施加气压，使从点胶机(26)的前端吐出微量液体材料；驱动装置，用于向X、Y、Z轴方向相对地移动支撑体和固定彩色滤光片(被吐目标)(W)的工作台，将液体材料吐出部(7)移动到彩色滤光片W的液体材料涂敷位置(P)，其中，液体材料吐出部(7)中设置有点胶机交换机构(27)，用于选择多个点胶机(26)中的一个，并将其前端部移动定位到彩色滤光片(W)上的规定液体材料吐出位置。
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公开(公告)号：CN101039758A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580035378.4
申请日：2005-10-25
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: B05C5/00 , B05C9/08 , G02B5/20 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/201 , G02F1/133516
Abstract: 本发明提供了一种液体材料供给装置，该装置包括：液体材料吐出部(7)，该液体材料吐出部(7)具有分别填充有不同液体材料的多个点胶机(26)，并支撑于支撑体；压力施加机构，用于给各点胶机(26)内的液体材料施加气压，使从点胶机(26)的前端吐出微量液体材料；驱动装置，用于向X、Y、Z轴方向相对地移动支撑体和固定彩色滤光片(被吐目标)(W)的工作台，将液体材料吐出部(7)移动到彩色滤光片W的液体材料涂敷位置(P)，其中，液体材料吐出部(7)中设置有点胶机交换机构(27)，用于选择多个点胶机(26)中的一个，并将其前端部移动定位到彩色滤光片(W)上的规定液体材料吐出位置(液体材料涂敷位置)。
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公开(公告)号：CN115461833B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202180029913.4
申请日：2021-05-31
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01J37/18 , H01J37/16 , H01J37/28 , H01J37/305 , H01J37/317 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 差动排气装置将处理用空间设为高真空度，其中，所述差动排气装置具备：位移驱动部，其能够使头部或被处理基板进行位移来调整被处理面与所述头部的对置面的平行度及距离；间隙测定部，其沿着所述头部的所述对置面的周缘分别配置在至少三个部位以上，能够检测所述对置面与所述被处理面之间的距离；以及间隙控制部，其基于所述间隙测定部检测出的所述对置面与所述被处理面之间的距离信息来控制所述位移驱动部，以使得所述对置面与所述被处理面隔开规定的距离而成为平行。
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公开(公告)号：CN118742851A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380023516.5
申请日：2023-02-22
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
Abstract: 提供反射型掩模坯料的制造方法，所述反射型掩模坯料具有基板和层叠于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜，在所述反射膜形成有剖面凹槽形状的基准标记，其中，所述反射型掩模坯料的制造方法包括：轮廓加工工序，沿着所述基准标记的预定形成区域的轮廓利用小电流聚焦离子束对所述反射膜进行加工；以及整个区域加工工序，利用大电流聚焦离子束对所述预定形成区域的整个区域的所述反射膜进行加工。
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公开(公告)号：CN115668433A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180036774.8
申请日：2021-06-17
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: H01J37/317 , H01J37/06 , H01J37/18 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供一种聚焦离子束装置，其具备聚焦离子束柱状体，所述聚焦离子束柱状体在镜筒中内置有聚焦离子束光学系统而将聚焦离子束从所述镜筒的前端部射出，其中，在从所述聚焦离子束光学系统射出的所述聚焦离子束的去路的附近配置有向被处理基板的表面供给电子的金属针、金属片等电子供给部、具备捕获二次带电粒子的检测部的微通道板等，聚焦离子束装置通过设为这样简单的结构，由此能够实现聚焦离子束装置的低成本化，并且能够有效地防止带电。
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公开(公告)号：CN114846318A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080089473.7
申请日：2020-12-14
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: G01N21/27 , G01N21/956
Abstract: 本发明在分光成像中的分析结果的可视化时，能够进行高准确性的分析。一种表面分析方法，其具有如下工序：使用分光相机来获取试样表面的分光图像数据的工序；提取所获取的分光图像数据中的分散于特定波长范围内的n个波长，并将分光图像数据中的各波长的光谱按每个像素设为n维的空间向量的工序；对每个像素的空间向量进行标准化的工序；使标准化的空间向量在特定数量的分类中进行聚类的工序；及按每个分类识别显示在分类中聚类的像素的工序。
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