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公开(公告)号：CN114075657B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202111300027.9
申请日：2021-11-04
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于复合材料制备领域，具体为一种提升树脂基复合材料成型构件气密性的方法，包括成型构件预处理、成型构件在真空室内挂装、真空室抽真空、等离子体活化、沉积金属涂层、成型构件取出；通过此种工艺提升气密性，金属选取Al、Ti、Cr、Ni的任意一种，显著降低树脂基复合材料的放气及极大提升树脂基复合材料抗卤素介质的腐蚀。通过树脂基复合材料表面等离子体活化及金属涂层物理气相沉积技术低温沉积实现了大厚度金属涂层与复合材料构件基体层的结合强度大于1MPa，从而能够提升树脂基复合材料特殊工况下使用的可靠形。
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公开(公告)号：CN115537749A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211100238.2
申请日：2022-09-08
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于离子注入工艺装备技术领域，具体涉及一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，包括：放卷传动装置、离子注入传动装置、收卷传动装置、沉积YBCO超导层金属带材、离子注入真空室、离子源、真空抽气口、放卷室真空室和收卷室真空室；所述离子注入真空室的两侧分别连通放卷室真空室和收卷室真空室；本发明设能够实现动态粒子辐照百米级二代高温超导带材，且可控制注入的离子种类、能量、剂量和注入角度，进而达到可控磁通钉扎浓度、深度、分布及均匀性等；同时注入气体离子和金属离子，还可达到掺杂和缺陷引入的双重效果，具有独特的优势，满足工业化生产的需要。
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公开(公告)号：CN114752910A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210439957.0
申请日：2022-04-25
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 为解决现有的高熵合金涂层制备方法制备的高熵合金涂层存在缺陷的技术问题，本发明实施例提供一种制备高熵合金涂层的方法，包括：将含有用于制备高熵合金涂层所需金属元素的金属材料作为离子注入MEVVA源的阴极材料；通过离子注入的方式在金属基体表面上注入金属材料含有的金属的金属离子，以在基体表面形成合金相涂层。本发明实施例解决了现有的高熵合金涂层制备方法制备的高熵合金涂层存在的金属基体和高熵合金涂层结合力较差的缺陷，制备出了与基体附着力牢固的高熵合金涂层。
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公开(公告)号：CN114369733A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111505874.9
申请日：2021-12-10
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中核陕西铀浓缩有限公司
Abstract: 本发明属于铀资源技术领域，具体公开一种贫化六氟化铀直接还原转化为金属铀的装置及方法，该装置包括：真空室、放电极板、放电电源、送气口、真空泵、抽气管道和过滤系统，两个放电极板分别通过真空室的电极连接端子安装于真空室内，放电电源通过真空室的电极连接端子安装于真空室外，两个放电极板与放电电源连接，真空室顶端开设有送气口，真空室外分别连接有真空泵和抽气管道，抽气管道上安装有过滤系统。本发明方法直接一步将六氟化铀还原成金属铀，简化了传统六氟化铀转化成金属铀的流程，大大减少了相关含铀废物的产生。
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公开(公告)号：CN113913770A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111151441.8
申请日：2021-09-29
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中核同创(成都)科技有限公司
IPC: C23C14/48
Abstract: 本发明属于材料制备技术，具体涉及一种使聚四氟乙烯表面具备超疏水性的制备方法，清洗聚四氟乙烯材料表面，材料表面吹干，材料浸入无水乙醇超声清洗，聚四氟乙烯材料表面注入Ti离子。其接触角显著提升，并且防止长时间之后接触角不发生明显变化，表明疏水性能较好，性能稳定。不改变有机材料自身的性能，也没有改变弹性模量、屈服强度、耐疲劳强度等力学性能、电导率、电阻率、介电性能等电学性能，在这个过程中不产生废水废气，因此极大的简化了超疏水性材料表面的制备工艺，操作简便，同时能够解决目前制备超疏水性材料表面的其它方法的不足之处，诸如水热法污染环境的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111205501A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201811394554.9
申请日：2018-11-22
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司
IPC: C08J7/12 , C08L101/00 , C08L27/18 , C23F4/00
Abstract: 本发明属于材料技术领域，具体为一种改善有机高分子材料或复合材料表面活性的方法，首先进行基材前处理，基材定位安装，将基材利用夹具安装定位，露出需要活化的区域，并将基材装入真空室中，使得材料能在真空室中实现公转同时自转，将真空室抽至本底，通入工作气体，使用非对称双极性脉冲偏压电源对基材进行清洁活化处理，调节相关参数，改善材料表面活性。利用非对称双极性脉冲偏压，改善有机高分子材料和复合材料表面惰性。改性后的有机高分子材料和复合材料表面活性显著提高，且材料本体不受影响。
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公开(公告)号：CN109831866A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201711180889.6
申请日：2017-11-23
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都理工大学工程技术学院
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种双环电极共面放电等离子体发生装置。本装置由电源和埋藏在介质层内的双环形电极单元紧密排列而成；所述双环形电极单元包括内环电极和外环电极，内环电极和外环电极均埋藏在介质层内一定深度，内环电极接地，外环电极连接高压电源的高频、高电压电极，多个双环形电极单元组合后可以产生大面积均匀等离子体，在所述的内环电极和外环电极之间的介质层表面，在高电压作用下产生共面放电等离子体，等离子体分布均匀。
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公开(公告)号：CN103903931B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201210575282.9
申请日：2012-12-26
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于一种辉光放电电极，具体公开一种嵌入式辉光放电电极，该电极包括真空法兰、真空电引线、设置在真空电引线真空侧一端的电极头和屏蔽罩，电极头位于屏蔽罩内；屏蔽罩的一侧套在真空电引线的真空侧，屏蔽罩的另一侧敞口。本发明的嵌入辉光放电电极可避免氘氚等离子体直接辐照，具有较低的漏水风险，满足热核聚变实验堆的安全性和可靠性。
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公开(公告)号：CN103903930A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210574543.5
申请日：2012-12-26
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: H01J1/02
Abstract: 本发明一种辉光放电电极，具体公开一种具有缝隙电绝缘结构的辉光放电电极，该电极包括真空引线、设置在真空引线一端的电极、套在真空引线和电极外的和屏蔽罩其中，所述的屏蔽罩与真空引线之间设有绝缘子，电极、真空引线与屏蔽罩之间均形成缝隙；所述的缝隙的间距为5～20mm，绝缘子远离电极的头部，绝缘子为纯度大于等于的Al2O3陶瓷材料。本发明的电极结构简单；具有良好的电绝缘性能和耐中子辐照性能；同时能够避免对周围系统产生寄生放电和射频干扰；无需定期维修，或延长定期维修间隔时间，满足聚变实验堆对回光放电电极的安全性和可靠性要求；该电极既适用于聚变实验堆，也适用于有特殊要求的超高真空装置的辉光放电电极。
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公开(公告)号：CN207531152U
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201721581779.6
申请日：2017-11-23
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都理工大学工程技术学院
IPC: H05H1/24
Abstract: 本实用新型属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种双环电极共面放电等离子体发生装置。本装置由电源和埋藏在介质层内的双环形电极单元紧密排列而成；所述双环形电极单元包括内环电极和外环电极，内环电极和外环电极均埋藏在介质层内一定深度，内环电极接地，外环电极连接高压电源的高频、高电压电极，多个双环形电极单元组合后可以产生大面积均匀等离子体，在所述的内环电极和外环电极之间的介质层表面，在高电压作用下产生共面放电等离子体，等离子体分布均匀。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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