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公开(公告)号：CN108098257A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201611048216.0
申请日：2016-11-25
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于聚变反应堆技术领域，具体公开了热核聚变堆增强热负荷第一壁手指部件的加工方法，铜铬锆合金/不锈钢复合板制作HVT冷却通道上盖板，进行超声波无损探伤，机加工CuCrZr合金至形成完整的HVT齿型槽结构，HVT不锈钢水盒基座，装配HVT冷却通道上盖板和HVT不锈钢水盒基座，封闭冷却通道进出口，对HVT冷却通道基座进行水压试验和氦罩检漏，铍瓦的涂层面与HVT冷却通道基座铜铬锆合金面进行组装，有效保障了聚变堆第一壁手指部件异种材料间的可靠结合和铜铬锆合金热沉材料的性能，提升了部件HVT冷却通道的热疲劳性能、耐压性能和真空密封性能，消除了冷却通道的应力腐蚀倾向，部件整体的抗高热负荷疲劳破坏能力满足聚变堆服役条件要求。
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公开(公告)号：CN102094173A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910250282.X
申请日：2009-12-11
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明所提供的原位等离子体涂镀Ti/Cu复合涂层工艺属于低温等离子体材料表面处理技术领域。通过原位等离子体沉积技术在基体表面制备符合技术要求的Ti/Cu复合膜层。本工艺主要包括：待处理工件化学清洗；工件烘烤除气；辉光清洗；复合涂层制备等处理步骤。通过本发明，在工件表面沉积的复合涂层纯度高，表面光洁度好(Ra＜1.6μm)，涂层均匀致密，界面处无孔隙，膜/基结合牢固，符合相关工艺要求。本发明可用于包括聚变堆面对等离子体第一壁材料的复合涂层制备。
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公开(公告)号：CN120065076A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510254038.X
申请日：2025-03-05
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了高空间分辨率高频率响应的薄膜探针组件、装置及方法，该薄膜探针组件包括：陶瓷壳体，其侧面设置有磁探针阵列；磁探针阵列，包括若干磁探针；每个磁探针为通过镀膜方式制作的纳米薄膜探针，并通过陶瓷胶粘接在陶瓷壳体各个侧面上。该测量装置包括：薄膜探针组件，用于测量轴向和角向磁场参数；陶瓷壳体的底部设置有竖向导管；支撑装置，用于安装薄膜探针组件；支撑装置内设置有SMA接口，薄膜探针组件中每个磁探针的引出线两端穿过竖向导管与SMA接口连接；升降装置，用于调整支撑装置的高度，使磁探针沿径向移动。本发明不仅可以测量磁场参数以及波数，还提高了其在等离子体诊断中的空间分辨率和频率响应。
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公开(公告)号：CN117684140A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311713739.2
申请日：2023-12-13
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种多元纳米复合涂层制备设备，涉及低温等离子体技术领域，包括真空室；所述真空室内带有旋转工件架，所述真空室底部带有用于带动所述旋转工件架旋转的旋转电机；所述真空室顶部带有真空室盖，沿所述真空室盖的环向，所述真空室盖上带有若干磁控溅射靶和若干射频等离子体源，所述磁控溅射靶伸入所述真空室内，并向所述旋转工件架上的样品溅射金属粒子；所述射频等离子体源用于向所述旋转工件架上的样品发射活性粒子。采用本方案，可选择性的采用一个或若干个磁控溅射靶提供高纯金属粒子和等离子体源产生的高活性粒子，实现工件涂层沉积和清洗、反应沉积，实现多元不同组分复合涂层或多层梯度涂层制备，避免了高成本复合靶研制成本。
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公开(公告)号：CN117535754A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311488382.2
申请日：2023-11-09
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种实现铝合金筒件内壁涂层原位生长的制备方法及夹具，采用适配于圆筒工件的隔水夹具与电极，将圆筒工件不需要氧化的部分由隔水夹具封装夹持，然后将工件放入电解液中将圆筒工件需要氧化的内腔部分与电解液接触，将阴极棒置于圆筒工件内腔中，进行微弧氧化处理；其中所述电解液包括以下组分：硅酸钠、三聚磷酸钠。本发明通过隔水夹具和内置阴极结构的设计，攻克了电场不均匀导致尖端增厚的难点，实现了圆筒形区域微弧氧化涂层的高均匀度生长，通过对电解液的配比以及微弧氧化处理的电参数改进，严格控制微弧氧化处理工艺如电流密度、脉冲占空比、脉冲频率、反应时间等工艺条件，能够实现100μm以上微弧氧化涂层的生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117535709A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311487204.8
申请日：2023-11-09
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: C25B11/052 , C25B11/081 , C25B11/065 , C25B11/061 , C25B11/077 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种电解制氢催化电极及其制备方法，制备方法包括：获取导电基材且对其进行清洗；将清洗后的导电基材置于真空环境中，采用离子注入方式将催化剂材料离子注入至所述导电基材上；本发明采用离子注入方式将催化剂材料注入于导电基体上，在导电基体内部浅表面形成具有纳米结构催化活性点的复合改性层，是结构功能一体化的催化电极。因此，本发明所获得的电解制氢催化电极不存在结合强度问题，在不影响导电基体的导电性能的情况下，还能够形成具有纳米结构催化活性点，不影响导电基体的机械结构性能。采用离子注入方式所获得的电解制氢催化电极的过电位为100mV～400mV，由此可知，具有良好的催化性能。
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公开(公告)号：CN109831866B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201711180889.6
申请日：2017-11-23
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都理工大学工程技术学院
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种双环电极共面放电等离子体发生装置。本装置由电源和埋藏在介质层内的双环形电极单元紧密排列而成；所述双环形电极单元包括内环电极和外环电极，内环电极和外环电极均埋藏在介质层内一定深度，内环电极接地，外环电极连接高压电源的高频、高电压电极，多个双环形电极单元组合后可以产生大面积均匀等离子体，在所述的内环电极和外环电极之间的介质层表面，在高电压作用下产生共面放电等离子体，等离子体分布均匀。
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公开(公告)号：CN116352096A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310291834.1
申请日：2023-03-23
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉热等离子体应用技术领域，具体公开了一种制备难熔金属球形粉末的等离子体雾化及球化装置，包括：直流电弧等离子体炬，用于产生等离子体射流，所述等离子体射流用于使丝材雾化或使粉末球化制备球形粉末；送料导向管，用于输送丝材或粉末，使丝材或粉末送入等离子体射流中，炬固定座，用于可拆卸式固定直流电弧等离子体炬和送料导向管。本发明采用直流电弧等离子体炬射流作为热源对丝材或粉末进行雾化和球化处理制备成球形粉末，满足金属丝材雾化及粉末球化制备球形粉末的不同应用工况对等离子体射流性能的要求，且运行成本较低、可控性好。
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公开(公告)号：CN116259442A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211721737.3
申请日：2022-12-30
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于二代高温超导材料技术领域，具体涉及一种提高二代高温超导带材强磁场环境下载流能力的方法，包括：步骤1、选用REBa2Cu3O7‑x超导涂层成品带材；步骤2、将上述REBa2Cu3O7‑x超导带材放入离子辐照系统，进行离子辐照处理，在REBa2Cu3O7‑x超导涂层中引入晶格缺陷；步骤3、完成离子辐照后，若为未镀银的REBa2Cu3O7‑x超导涂层带材先进行银层沉积处理后再放入真空热处理炉进行热处理及吸氧处理；若为银封装超导涂层带材，直接进行热处理及吸氧处理。本发明方法工艺简单，能够有效提升超导带材在场载流能力，提高超导带材在场载流能力的工艺控制参数可控性好。
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公开(公告)号：CN114075657B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202111300027.9
申请日：2021-11-04
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于复合材料制备领域，具体为一种提升树脂基复合材料成型构件气密性的方法，包括成型构件预处理、成型构件在真空室内挂装、真空室抽真空、等离子体活化、沉积金属涂层、成型构件取出；通过此种工艺提升气密性，金属选取Al、Ti、Cr、Ni的任意一种，显著降低树脂基复合材料的放气及极大提升树脂基复合材料抗卤素介质的腐蚀。通过树脂基复合材料表面等离子体活化及金属涂层物理气相沉积技术低温沉积实现了大厚度金属涂层与复合材料构件基体层的结合强度大于1MPa，从而能够提升树脂基复合材料特殊工况下使用的可靠形。
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