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公开(公告)号：CN106209001A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610489078.3
申请日：2016-06-29
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02039 , H03H2003/023
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，具体涉及一种基于单晶铌酸锂薄片压电材料的薄膜体声波谐振器，以及该谐振器的制备方法。本发明用于克服现有薄膜体声波谐振器机电耦合系数过低的缺陷，该薄膜体声波谐振器包括Si衬底，于Si衬底上形成的图形化键合胶支撑层，于键合胶支撑层上设置的单晶铌酸锂薄片，于键合胶间隙中设置的下电极层附着于铌酸锂薄片下表面，于铌酸锂薄片上表面形成上电极层，所述上电极层、下电极层对应设置。该薄膜体声波谐振器既能满足高频率，也能保持极大的机电耦合系数，能够达到43％，从而极大的提高了器件传输频率带宽；且该谐振腔结构简单、加工重复性好，能够获得一致性良好的大规模线列和阵列器件。
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公开(公告)号：CN105977370A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610439019.5
申请日：2016-06-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属微电子器件集成与散热技术领域,尤其涉及一种基于压电微泵的嵌入式制冷器件及其制备方法。该制冷器件包括微流道和压电微泵两部分；微流道为单独对应单个芯片，设置于芯片下方；压电微泵置于微流道下方。本发明中，微流道是为每个芯片散热，尺寸更加微小，散热能力更好；本发明将压电微泵置于每个芯片的下方，不仅缩小了整体封装的体积，而且可以根据芯片的具体功率实现将不同能力的压电微泵与微流道集成形成具有不同制冷能力的器件，实现按需散热，提高系统温度分布均匀性。本发明结构简单、体积小，易于集成，芯片散热均匀；可应用于高密度集成微系统、功率半导体器件及设备等方面。
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公开(公告)号：CN118197997A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410335262.7
申请日：2024-03-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/78 , H01L21/428
Abstract: 本发明涉及薄膜器件制造加工领域，具体为一种用于单晶衬底的层分离方法。本发明采用质量小、穿透力强的荷能粒子，将荷能粒子在目标单晶衬底预设的剥离界面进行聚焦从而形成损伤层，该工艺剥离深度范围大且可控，且仅在聚焦点处形成相对较小的损伤、而不影响其它地方晶体；因此经过损伤层分离处理后的衬底仍然具有高的晶体质量，经过热退火、表面平坦化等处理过后可以重复利用。本发明有效解决了现有技术因单晶衬底无法回收利用导致成本较高的问题，为制备特定的薄层单晶衬底提供了一种新的路径。
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公开(公告)号：CN118095383A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410235527.6
申请日：2024-03-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明属于忆阻器神经网络计算领域，具体涉及一种基于忆阻器的神经元自适应阈值调节方法。本发明引入忆阻器和传感器协同调控人工神经元的阈值，通过传感器接受外界刺激，传感器接受到外界刺激时自适应的向忆阻器施加电刺激，忆阻器接受到电刺激后发生电阻变化，忆阻器上的分压也发生变化，从而实现神经元阈值依据外界环境变化的自适应调控；本发明彻底解决了当前人工神经元阈值难以依据外界变化而进行自适应调控的问题，使得神经形态计算芯片中的人工神经元具备灵活性和环境适应性，进而使之能够适应更为复杂多变的场景。
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公开(公告)号：CN116129961A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310127702.5
申请日：2023-02-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C13/00 , G06F18/241
Abstract: 本发明属于电子信息技术领域，具体涉及一种对忆阻交叉阵列器件电阻状态的设置方法。本发明通过依次采用电导分类法和逐次逼近法对大规模忆阻交叉阵列的各目标忆阻单元的电阻状态进行设置；其中电导分类法通过先设置小电导后设置大电导可以减小对周围忆阻单元的影响；逐次逼近法通过施加至少两轮电压幅值依次减小的写脉冲信号，可将忆阻单元较为准确地设置于目标阻值附近，同时在设置过程中充分利用SET方向的良好线性度，避免了RESET过程存在突变时带来的不利影响。本发明以逐次逼近的方式更精确地设置到目标阻态Rtarget，并减小了阻态设置过程中对其他忆阻单元的影响；尤其适用于在基于忆阻交叉阵列的神经网络运算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111403596B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010203692.5
申请日：2020-03-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L41/253 , H01L41/332 , H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/67 , B08B7/00
Abstract: 本发明属于单晶薄膜的工艺领域，具体涉及一种离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法。本发明的离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法，针对离子注入剥离技术制备的单晶薄膜，选择氩离子刻蚀精准去除表面的损伤层；此外，针对去除损伤层后薄膜的氧空位缺陷及表面改性的问题，通过分别控制氧等离子清洗过程中的氧气通量、工作功率以及清洗时间的工作参数，通过接触角测试对清洗效果进行验证，最终使得单晶薄膜达到完全浸润，便于后续制备图形化的器件结构。本发明使单晶薄膜的单晶质量大幅度提高，引入的二次损伤最小，简化了工艺的复杂度。
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公开(公告)号：CN110233605B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201910393155.9
申请日：2019-05-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H3/04 , H03H3/02 , H03H9/00 , H03H9/02 , G06F30/373
Abstract: 本发明涉及单晶薄膜型体声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法及谐振器；本发明的目的在于提供一种单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法及谐振器，通过单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法制得的谐振器的设计以解决现有的压电层的频率温度系数通常不为零，声波谐振器的不同的温度点下工作时，其谐振频率点会发生改变的技术问题。
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公开(公告)号：CN110011631B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201910187160.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及体声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器及其制备方法；步骤为：在具有损伤层的压电单晶晶圆上制备下电极和图形化的牺牲层；在图形化的牺牲层上制备应力缓冲层；在应力缓冲层上制备键合层；将衬底叠放于键合层上，进行键合处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，制备上电极；在单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器；通过在单晶薄膜层与键合层间设置应力缓冲层的设计以解决现有的在键合过程中，界面应力过大导致的单晶薄膜产生裂纹、翘起、凹陷、甚至脱落等问题，提高空腔型体声波谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN109981069B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201910187206.2
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器；步骤：从单晶晶圆下表面注入高能量离子，高能量离子进入单晶晶圆内部形成损伤层，将单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的单晶晶圆；在单晶薄膜层下表面依次制备图形化的下电极、图形化的牺牲层、隔离层和键合层；将衬底与键合层叠放，做晶圆劈裂处理，剥离单晶薄膜层上端的上压电层，在单晶薄膜层的上表面制备上电极；在单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到高质量的单晶薄膜体的空腔型体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN109818590B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201910187180.1
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有应力缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器；本发明的目的在于提供一种具有应力缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器，通过在单晶薄膜层和键合层间设计应力缓冲层的设计以解决现有技术存在的由于键合层材料与晶圆在不采用相同类型材料时，在升温和降温过程中会由于两种材料热膨胀系数的不同而在单晶晶圆与键合层之间产生热失配应力，如果衬底材料种类也与晶圆材料不同，则会在薄膜上再次叠加应力，极易造成薄膜材料开裂技术问题。
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