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公开(公告)号：CN111952469B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010828284.9
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/155 , H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及一种基于Au等离子机元增强的叠层量子点发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：制备金纳米颗粒；步骤S2：利用金纳米颗粒对空穴传输层材料进行掺杂；步骤S3：采用旋涂成膜工艺和蒸发镀膜技术制备叠层结构Au等离子机元增强的量子点发光二极管。本发明通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子机元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，使叠层量子点发光二极管的性能大大提高。
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公开(公告)号：CN117855148A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410026149.0
申请日：2024-01-08
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开一种梯度应变隔离的可拉伸衬底，涉及集成电路领域，包括：弹性体聚合物薄膜；弹性体聚合物薄膜用于渗入液体有机小分子单体、交联剂、光引发剂混合溶液形成混合膜层，并经第一掩膜版激光曝光形成可拉伸衬底；其中，混合膜层被照射部分的混合溶液中的小分子单体形成交联网络而发生与激光照射强度相对应的固化；第一掩膜版包括高透光率区、过渡区和低透光率区，高透光率区所形成的交联网络密度最高，低透光率区所形成的交联网络密度最低，过渡区所形成的交联网络密度位于二者之间，且在过渡区的掩膜区域透光率呈梯度变化而使曝光后的可拉伸衬底弹性变化平滑。本发明能够有助于减少应力集中和材料破坏的风险，提高材料的可靠性和耐久性。
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公开(公告)号：CN111180582B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010088592.2
申请日：2020-02-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于驻极体的突触晶体管及其制备方法，所述的晶体管自下而上由带有绝缘层的基底、驻极体介电层、有机半导体层以及顶部电极组成；所述的驻极体介电层在绝缘层与半导体之间形成一个界面捕获层，用于捕获电子与空穴，形成额外的电场，对半导体层起到额外的栅极调控作用。该晶体管具有高的开关比，较大的电导调控范围，并且电导增加与调控的脉冲数呈现很好的线性关系，适用于神经形态计算，有效地提高对模式识别的精度，为未来的人工突触提供了一个应用前景。
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公开(公告)号：CN112201658A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010950456.X
申请日：2020-09-10
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11521
Abstract: 本发明涉及一种自组装隧穿层的浮栅型光电晶体管存储器及其制备方法，包括基底、绝缘层、浮栅层、隧穿层、半导体层和顶部源漏电极；将钙钛矿纳米颗粒溶液与TMOS或TEOS共混，制备出浮栅层溶液；具有绝缘层的基底经过清洗及等离子处理后，将浮栅层溶液通过旋涂工艺沉积于基底之上，经退火处理形成浮栅层及隧穿层；将TMOS或TEOS通过旋涂工艺旋涂于得到的隧穿层上并退火，通过重复此步骤调节自组装隧穿层的厚度；在得到的隧穿层上通过旋涂工艺旋涂有机聚合物半导体材料，退火制得半导体层；在得到的半导体层上通过热蒸镀的方法制备源漏电极，得到自组装隧穿层的浮栅型光电晶体管存储器。本发明具有较高的稳定性，实现可重复的多级存储、多波长可达的非易失性存储，工艺流程简单，易于大规模产业化。
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公开(公告)号：CN111952474A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010829285.5
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于有机物聚合的量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管，包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层为量子点与有机物混合旋涂制备。本发明量子点发光二极管制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层中有机物的聚合，有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111048582A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN202010027109.X
申请日：2020-01-10
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种调节金属氧化物突触晶体管突触可塑性的方法，所述金属氧化物突触晶体管为底栅顶接触结构，包括由下至上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极，在制备完成所述金属氧化物突触晶体管的绝缘层后，对其进行激光照射处理，通过调节激光照射参数调节金属氧化物突触晶体管的突触响应特性。该方法有利于快速、便捷、低温地调节突触晶体管的突触可塑性。
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公开(公告)号：CN110943168A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911284770.2
申请日：2019-12-13
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于有机薄膜晶体管的可拉伸突触及其制备方法，其结构由下至上依次包括可拉伸复合共面栅衬底、褶皱形的有机半导体层以及离子凝胶绝缘层。所述可拉伸复合共面栅衬底是由聚二甲基硅氧烷（PDMS）薄膜与设置于其上的图案化的共面电极构成。本发明可以有效的推动柔性可拉伸电子在生物可植入、人机交互界面和可穿戴等方面的发展。
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公开(公告)号：CN110880558A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911200107.X
申请日：2019-11-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种具有电荷产生层的交流驱动钙钛矿LED器件。包括自下而上依次层叠在衬底基板上的阳极层、第一介电层、第一p-n结型电荷产生层、发光层、第二p-n结型电荷产生层、第二介电层和阴极层。本发明所述发光层采用溶液法制备，操作简单，适用于大规模生产，并且能大幅度降低生产成本。并且在限定的电压或功率下，通过调节频率可以对钙钛矿LED的亮度进行调节；还可以通过改变钙钛矿材料的组分，实现器件的多色发光。
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公开(公告)号：CN110854284A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911199971.2
申请日：2019-11-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件，包括从下到上依次层叠在衬底基板上的阳极层、第一介电层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和阴极层；所述所述阴级层和阳极层两端加上交流电源实现交流驱动的钙钛矿LED。本发明不仅可以有效地避免电荷积聚现象，还可以有效地避免有机层与阴、阳极之间的电化学反应，从而保护钙钛矿LED器件不受大气中水分和氧气的影响。
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公开(公告)号：CN110767816A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911201116.0
申请日：2019-11-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种用于交流驱动的钙钛矿LED及其制备方法，包括从下到上依次层叠在衬底基板上的阳极层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和阴极层；所述阴级层和阳极层两端加上交流电源实现交流驱动的钙钛矿LED。本发明空穴传输层、发光层均可用溶液法制备，操作简单，可以在一定程度上降低生产成本；通过改变钙钛矿材料的组分，可实现器件的多种颜色发光；通过调节频率可以对钙钛矿LED的亮度进行调节。
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