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公开(公告)号：CN112687773A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011489457.5
申请日：2020-12-16
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述外延片包括：衬底和顺次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、第一未掺杂AlGaN层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层包括顺次层叠在所述第一未掺杂AlGaN层上的高掺杂N型层和低掺杂N型层，所述低掺杂N型层包括层叠在所述高掺杂N型层上的第一低掺杂层，所述高掺杂N型层和所述第一低掺杂层均包括交替分布的多个AlGaN层和多个SiN层，所述高掺杂N型层中Si掺杂浓度高于所述低掺杂N型层中Si掺杂浓度。本公开能够提高紫外发光二极管的电性。
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公开(公告)号：CN109616401B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201811211085.2
申请日：2018-10-17
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlN模板及其制备方法、发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供蓝宝石衬底；采用物理气相沉积方法在蓝宝石衬底上沉积AlN薄膜，AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在第一AlN层上的若干复合层，复合层包括Al层和覆盖在Al层上的第二AlN层，靠近第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在第一AlN层上。本发明能够在蓝宝石衬底上形成厚度均匀的AlN薄膜，改善发光二极管外延片的波长均匀性。
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公开(公告)号：CN112397621A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011189257.8
申请日：2020-10-30
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述外延片包括：衬底和沉积在所述衬底上的外延层，所述外延层包括顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型AlGaN层，所述外延层还包括位于所述电子阻挡层和所述P型AlGaN层之间的反射层，所述反射层由若干交错排列的凸块组成，所述凸块的凸出方向与所述外延层的沉积方向相同且所述凸块的横截面的面积沿所述外延层的沉积方向逐渐减小。本公开能够大幅提高出光效率。
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公开(公告)号：CN112331749A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011194641.7
申请日：2020-10-30
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述外延片包括：衬底和顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂AlGaN层、n型层、有源层、电子阻挡层和p型层，所述有源层包括多个量子垒层和多个量子阱层，所述量子垒层和所述量子阱层交替分布，沿所述多个量子垒层的沉积顺序，所述量子垒层中最后一个沉积的量子垒层为p型掺杂量子垒层，所述最后一个沉积的量子垒层与所述电子阻挡层接触。本公开能够提高紫外发光二极管的内量子效率。
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公开(公告)号：CN112038461A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010693608.2
申请日：2020-07-17
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管外延片、芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和插入半导体层，缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层、P型半导体层依次层叠在衬底上，插入半导体层位于缓冲层和未掺杂氮化镓层之间；插入半导体层内具有多个空腔，每个空腔贯穿插入半导体层；多个空腔间隔分布在第一表面上，第一表面为缓冲层远离衬底的表面；每个空腔的横截面的面积沿远离第一表面的方向先减小后增大，横截面为空腔平行于第一表面的截面。本公开有利于将射向芯片非正面的光线反射到芯片正面射出，提高LED的正面出光效率。
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公开(公告)号：CN110957409B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201911193467.1
申请日：2019-11-28
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管外延片、发光二极管模块及其制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：分别在电路板上设置红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片，红光芯片和蓝光芯片分别与绿光芯片相对设置，红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片均包括依次层叠在电路板上的P型电极、透明导电层、空穴产生层、有源层、电子产生层和透明基板；采用激光剥离的方式去除红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片中的透明基板；在红光芯片和蓝光芯片中的电子产生层远离绿光芯片的区域上形成半透明薄膜；在红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片中的电子产生层上设置N型电极。本公开可改善LED模块整体发出光线的均匀性。
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公开(公告)号：CN110047979B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910124859.6
申请日：2019-02-20
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种紫外发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述紫外发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述多量子阱层由多个周期的超晶格结构组成，每个超晶格结构均包括依次层叠的GaN阱层和BAlN垒层。与现有的GaN/AlGaN异质结相比，GaN/BAlN异质结的价带偏移更小，导带偏移更大，能够更好的将电子限制在GaN阱层内，并能提高空穴的迁移，且GaN/BAlN异质结界面具有高浓度的二维电子气，能够提高载流子的横向迁移能力，最终提升电子、空穴的辐射复合效率，从而提高紫外LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN110265514B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910350596.0
申请日：2019-04-28
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L21/02 , C23C14/35 , C23C14/06 , C23C16/34 , C30B23/02 , C30B25/18
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长N型半导体层；在所述N型半导体层上生长应力释放层，所述应力释放层包括第一叠层结构，所述第一叠层结构由交替层叠的多个高温子层和多个低温子层组成，所述高温子层和所述低温子层均为N型掺杂的GaN层，每个所述高温子层的生长温度高于各个所述低温子层的生长温度，所述多个高温子层的生长温度保持不变，所述多个低温子层的生长温度沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层降低；在所述应力释放层上生长有源层；在所述有源层上生长P型半导体层。本发明可以提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN111430515B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010530055.9
申请日：2020-06-11
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：将蓝宝石衬底放入反应室内；向所述反应室内通入反应气体，在所述蓝宝石衬底的部分区域内形成包含In原子的GaN晶核；在所述GaN晶核上生长至少一个复合层，所述GaN晶核长大形成缓冲层，每个所述复合层包括InGaN子层和生长在所述InGaN子层上的GaN子层；在所述缓冲层上依次生长N型GaN层、有源层和P型GaN层形成外延片，所述有源层包括交替层叠的InGaN量子阱和GaN量子垒。本公开通过形成体积大且稳定的GaN晶核，有效抵消蓝宝石衬底与GaN基材料之间晶格失配产生的应力。
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公开(公告)号：CN110061104B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201910153452.6
申请日：2019-02-28
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法包括：生长高温P型层，所述高温P型层由多个周期的超晶格结构组成，每个周期的超晶格结构均包括InGaN层和BGaN层，所述InGaN层的生长温度小于所述BGaN层的生长温度，所述InGaN层的生长压力大于所述BGaN层的生长压力。本发明提供的制造方法既能保证外延层的表面良率，又能保证高温P型层中In组分和B组分的有效并入，使得InGaN/BGaN超晶格结构能够产生较强的极化电场，提高高温P型层中的空穴浓度和空穴迁移率，最终提高LED的发光效率。
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