三维基准
    51.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103512567B

    公开(公告)日:2016-02-17

    申请号:CN201310255880.2

    申请日:2013-06-25

    申请人: FEI公司

    IPC分类号: G01C15/02

    摘要: 一种用于在样品上形成基准并且使用该基准来定位该样品上的所感兴趣的区域的方法和系统,该方法包括通过以下步骤来形成一个基准:在样品上接近于该样品上的所感兴趣的区域处来沉积一种材料块,该材料块从该样品的表面延伸至该样品表面上方的可检测范围;并且使用一个带电粒子束在该材料块的至少两个暴露面中铣削一个预定图案;在形成该基准之后,通过检测该基准的位置来检测该所感兴趣的区域的位置;并且在检测到该所感兴趣的区域的位置之后,用一个带电粒子束来对该所感兴趣的区域进行成像或铣削。