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公开(公告)号：CN114686955B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202011599782.7
申请日：2020-12-29
申请人： 矽磐微电子(重庆)有限公司
发明人： 郭忠军
摘要： 本申请公开了一种阳极组件、电镀装置和阳极组件的制作方法。其中，阳极组件包括不溶性阳极网和绝缘阻挡件；不溶性阳极网包括正面，正面用于朝向待镀件；绝缘阻挡件的至少一部分设置于不溶性阳极网的正面。在上述设置中，利用绝缘阻挡件对不溶性阳极网的正面的至少一部分进行遮挡，实现减弱对应位置的电场强度，从而使得待镀件的对应位置不会得到过量的金属，进而使得待镀件的对应位置的厚度可以得到一定的控制，有利于实现电镀均一性，有利于保证半导体封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN117552073A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210925167.3
申请日：2022-08-03
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种电镀搅拌装置及电镀设备，其中，电镀搅拌装置包括电镀槽、驱动装置、以及水平设置于电镀槽内的第一匀流板；驱动装置能够驱动第一匀流板在电镀槽内旋转。本发明提供的电镀搅拌装置及电镀设备，第一匀流板能够在驱动装置的驱动下在电镀槽内旋转，这样的结构设计能够有效消除电镀液表面产生的波动，避免晶圆片的待镀表面产生气泡；同时，第一匀流板的旋转也能够促进电镀液内的离子运动，增加电镀液与晶圆片盲孔内的药液交换，形成离子交互。此外，本发明还可在第一匀流板的基础上加设第二匀流板，以进一步提升以上所述技术效果。
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公开(公告)号：CN114959854B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202110900442.1
申请日：2021-08-06
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
发明人： 铃木健之
IPC分类号： C25D17/08 , C25D7/12 , H01L21/687
摘要： 实施方式提供能够抑制制造工序中的不良的半导体装置制造用夹具以及半导体装置的制造方法。根据实施方式，用于对基板进行电镀的半导体装置制造用夹具包含导电部件。所述基板包含：具有第一面的内侧部；以及环状的外缘部，包围所述内侧部，在与所述第一面垂直的方向上比所述第一面突出。所述导电部件不与所述外缘部接触，而是与所述内侧部的所述第一面的一部分接触而在所述内侧部流过电流。
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公开(公告)号：CN113572443B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110844357.8
申请日：2021-07-26
摘要： 本发明涉及一种基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法，包括：在SOI硅片的顶层硅上刻蚀出谐振梁和电极区域，将谐振梁区域和电极区域刻蚀到SOI硅片的埋氧层；采用高温氧化工艺制备设定厚度的氧化层覆盖谐振梁区域和电极区域；刻蚀除了第一电容间隙处侧壁之外的氧化层；在SOI硅片上表面溅射电镀种子层；采用光刻技术暴露出预设电镀区域，并用光刻胶覆盖预设非电镀区域；采用电镀方法覆盖预设电镀区域并填充电容间隙，对预设非电镀区域进行去光刻胶并刻蚀去除电镀种子层；采用气相氢氟酸腐蚀SOI硅片的氧化层和埋氧层。本发明通过减小谐振梁与输入电极或输出电极之间的间隙，提高了MEMS谐振器的品质因数。(56)对比文件Siavash Pourkamali等.High-Q SingleCrystal Silicon HARPSS Capacitive BeamResonators With Self-Aligned Sub-100-nmTransduction Gaps《.JOURNAL OFMICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS》.2003,第12卷(第4期),487-496.
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公开(公告)号：CN117488385A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210884643.1
申请日：2022-07-26
申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种晶圆电镀装置及电镀工艺中的清洗方法，电镀装置包括晶圆夹具、电镀腔保护罩、储液槽、挡水环和喷液器，晶圆夹具适用于晶圆到达甩干高度并以第一速度旋转进行甩干作业，以及带动晶圆到达冲洗高度并以第二速度旋转进行冲洗作业；电镀腔保护罩的开口沿竖直方向与电镀液液面之间具有第一高度；挡水环设置在储液槽的上方，挡水环的内径沿竖直方向与电镀液液面之间具有第二高度，第二高度大于所甩干高度，并且第二高度小于冲洗高度；喷液器的喷嘴沿竖直方向与电镀液液面之间具有第三高度，喷液器用于向晶圆喷射清洗液以清洗晶圆，第三高度大于第二高度，并且第三高度小于冲洗高度。本申请降低了电镀液的甩出量和落水量。
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公开(公告)号：CN110168146B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201780082322.7
申请日：2017-12-26
申请人： 阿文尼公司
发明人： 洛里安娜·勒里基尤克斯 , 文森特·梅费里克 , 米卡卢·蒂亚姆
IPC分类号： C25D7/12 , C25D3/38 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及用于将铜沉积到导电表面上的电解液组合物。该组合物包含2,2'‑联吡啶、咪唑、四乙铵和铜络合剂的组合。这种电解液使得可以制造不具有任何空隙的小尺寸的铜互连结构，并且具有与工业约束相容的填充速度。本发明还涉及用于用铜对空腔进行填充的方法以及根据这种方法获得的半导体器件。
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公开(公告)号：CN117350237A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311347277.7
申请日：2023-10-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G06F30/394 , C25D7/12 , C25D17/00 , C25D5/54 , G06F30/398
摘要： 本申请涉及脑机接口领域，尤其涉及一种柔性电极的制备及电化学修饰方法。方法包括：获取清洁后的硅衬底；在清洁后的硅衬底上依次制备金属牺牲层、柔性电极底层绝缘层、金属布线层、金属后端焊层和柔性电极顶层绝缘层，得到柔性电极；制备电镀液；电镀液包括氧化铱电镀液以及聚3,4‑乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸电镀液；通过电化学工作站，基于电镀液和三电极体系对柔性电极进行电化学修饰，得到具有修饰层的柔性电极。本申请可以进一步提高电极的电荷存储量，降低电极阻抗，提升电极的电刺激性能。
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公开(公告)号：CN116682785B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310969347.6
申请日：2023-08-03
申请人： 上海电子信息职业技术学院
IPC分类号： H01L21/768 , C25D3/38 , C25D5/20 , C25D7/12
摘要： 本公开涉及芯片封装技术领域，具体公开一种采用葡萄糖实现TSV完全填充方法，包括进行预处理、浸润TSV芯片、进行电镀填充处理和磨样抛光观察处理。本公开摒弃了传统的高分子材料的有机添加剂作为抑制剂的情况，使用对环境更加友好，不会危害人体健康且价格低廉的葡萄糖作为抑制剂对TSV芯片进行电镀填充操作，同时保护了环境，避免出现形成“夹断”现象，及铜层出现微裂缝或微孔洞的问题，不会影响产品质量。并且本公开的方法简单，对设备要求较低。
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公开(公告)号：CN117265624A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311177883.9
申请日：2023-09-12
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种太阳能电池片电镀装置，所述电池片电镀装置包括：电镀槽，所述电镀槽内盛放有电镀液；阴极载台，所述阴极载台设置有吸附固定电池片的吸附面，所述吸附面所在区域设置有阴极探针；阳极辊，所述阳极辊设置于所述电镀槽内位于所述阴极载台下方，且与所述电镀槽转动连接，所述阳极辊的表面设置有凸出于圆周表面的扰流结构。本发明实施例的电池片电镀装置，在电池片水平移动进行电镀的过程中，阳极辊转动，可利用凸出于其圆周表面的扰流结构加速电镀液的对流，同时，扰流结构的尖端放电效应也可提升电场强度，均可提高电镀速率，可以提高电池片电镀产能。
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公开(公告)号：CN117265611A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311192457.2
申请日：2023-09-15
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明属于封装技术领域，具体公开了一种用于先进封装互连高深宽比硅通孔电镀方法及电镀液，其中电镀方法包括如下步骤：种子层沉积、Plasma处理、电镀铜填充；本发明的电镀液包括硫酸、硫酸铜、氯离子、光亮剂、抑制剂、整平剂。本发明能在直流/脉冲电源和垂直电镀技术下实现超高深宽比硅通孔自下往上和超保型填充，铜填充能力佳，且使用范围广，适应性强。
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