公开(公告)号：CN108063182A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201711200925.0

申请日：2017-11-27

申请人： 大连理工大学

发明人： 王大志 ,  周鹏 ,  李凯 ,  石鹏 ,  凌四营 ,  任同群 ,  梁军生

IPC分类号： H01L41/253 ,  H01L41/29 ,  H01L41/337

CPC分类号： H01L41/29 ,  H01L41/253 ,  H01L41/337

摘要： 本发明属于先进制造技术领域，提供一种压电复合元件电极制备方法。首先，通过机械研磨的方法对压电复合元件表面进行预处理，使之具有良好的平面度及合适的粗糙度。其次，对PZT压电复合元件表面改性以增加其表面能，具体为采用紫外线照射复合元件表面，使其表面产生含氧极性官能团，提高压电复合元件表面与金属层之间的结合强度。最后，溅射微米级的金属薄膜作为压电复合元件的电极。本发明制备得到的压电复合元件表面电极电阻低、结合强度高、焊接性强，利于大批量生产及商业化推广应用。

公开(公告)号：CN107706300A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710634986.1

申请日：2017-07-29

申请人： 张敬敏

发明人： 张敬敏

IPC分类号： H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/193 ,  H01L41/337 ,  H01L41/37 ,  H01B7/18 ,  H01B7/28 ,  H01B7/29 ,  H01B7/32 ,  H01B7/42

摘要： 本发明涉及一种电缆外部压力检测用复合压电材料及其制造方法，该复合压电材料由以下重量份原材料制成：含溶质30-35份的聚偏氟乙烯溶液、(改性PbTiO3)3份-5份、[Pb(Zr0.3Ti0.7)O3]2份-3份、石墨烯3份-5份、磺酰氨基附着力促进剂0.5份-1份、{Pb0.95Cr0.02Ca0.03[(Ni1/3Nb2/3)0.5·Zr0.2·Ti0.3]O3}8份-10份、铝铬中间合金锭10份-15份。本发明的电缆外部压力检测用复合压电材料抗酸、碱、盐雾、大气腐蚀、耐高温、机械性能好、抗冲击能力强。

公开(公告)号：CN107418473A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710439400.6

申请日：2017-06-12

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 胡吉海 ,  石自彬 ,  罗夏林

IPC分类号： C09J105/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  H01L41/337

CPC分类号： C09J105/00 ,  C08K5/053 ,  C08K2003/3081 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  H01L41/337

摘要： 本发明公开了一种水溶性晶片粘接剂，由如下质量份的四种组份构成，阿拉伯树胶100；纯水160-185；铝矾15-30；甘油15-25。制备方法为：a）称取与阿拉伯树胶质量相当的纯水并加热到60℃以上，然后加入粉状的阿拉伯树胶进行混合，搅拌均匀形成凝胶状阿拉伯胶；b）将铝矾和剩下的纯水混合以配置成铝矾溶液；c）将铝矾溶液与凝胶状阿拉伯胶混合均匀；d）最后将甘油倒入步骤c）得到的混合液中，搅拌均匀即得到水溶性粘接剂。本发明水溶性胶粘剂能够代替目前使用的石蜡，能在常温下粘接和固化，应力小，清洗简单、环保、成本低。

公开(公告)号：CN114981984A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202080094530.0

申请日：2020-12-18

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 秋山昌次

IPC分类号： H01L41/313 ,  H01L41/187 ,  H01L41/337

摘要： 本发明提供一种能够抑制由于结合后热处理造成的损伤的复合基板的制造方法及通过该方法制造的复合基板。根据本发明的复合基板的制造方法是将作为钽酸锂晶圆或铌酸锂晶圆的压电晶圆与支撑晶圆结合在一起的复合基板的制造方法。该制造方法的特征在于将压电晶圆和支撑晶圆结合的步骤，以及对在结合步骤中结合的晶圆进行热处理的步骤，其中压电晶圆的非结合表面是镜面。

公开(公告)号：CN109417126B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201880002089.1

申请日：2018-03-14

申请人： (株) 凯希思

发明人： 朴相泳 ,  朴永台

IPC分类号： H01L41/22 ,  H01L41/09 ,  H01L41/337 ,  H01L41/338 ,  H01L41/43 ,  H01L41/047 ,  G06V40/13

摘要： 提供超声波指纹传感器及其制造方法。所述制造方法包括：准备按预先指定的非完全烧结条件烧结的压电片形态的陶瓷烧结体；在陶瓷烧结体的第一表面方向按预先指定的间隔向第一方向平行地切削加工至第二表面侧剩下残留区域的深度并在陶瓷烧结体的第二表面方向按预先指定的间隔向垂直于第一方向的第二方向平行地切削加工至第一表面侧剩下残留区域的深度形成陶瓷加工体；按预先指定的完全烧结条件对陶瓷加工体进行烧结处理；向通过切削加工形成于陶瓷加工体的槽填充绝缘材料；以及进行研磨处理去除分别位于第一表面侧与第二表面侧的残留区域使在第一表面的方向与第二表面的方向露出分别排列成阵列形态的压电棒。

公开(公告)号：CN111864054B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202010644724.5

申请日：2020-07-07

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 欧欣 ,  鄢有泉

IPC分类号： H01L41/332 ,  H01L41/337

摘要： 本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法，包括：获取待优化的异质集成压电单晶薄膜衬底，所述压电单晶薄膜衬底包括支撑层和压电单晶薄膜层；对所述压电单晶薄膜衬底进行腐蚀处理得到第一产物，所述第一产物的压电单晶薄膜层表面形成有腐蚀层；对所述第一产物进行抛光处理得到第二产物。经过腐蚀处理的压电单晶薄膜表面会形成一定厚度的均匀腐蚀层，然后通过低背压的化学机械抛光即可将腐蚀层除去，实现压电单晶薄膜表面的优化。本申请实施例所述的表面优化方法可以提高异质集成压电单晶薄膜衬底的表面平整度和薄膜近表面区域的晶格质量，同时，又能保证压电单晶薄膜厚度的均匀性。

公开(公告)号：CN111799366B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202010608521.0

申请日：2020-06-29

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 欧欣 ,  金婷婷 ,  林家杰 ,  游天桂

IPC分类号： H01L41/312 ,  H01L41/337 ,  H01L41/22

摘要： 本申请实施例所公开的一种异质衬底薄膜的制备方法，包括获取第一衬底和第二衬底，对第一衬底进行第一离子注入，在第一预设深度处形成第一损伤层，将第一衬底和第二衬底键合，基于第一预设温度对键合后的结构进行退火处理，沿第一损伤层对第一衬底进行剥离，得到第二异质衬底，对第二异质衬底进行第二离子注入，在第二预设深度处形成第二损伤层，第二离子注入比第一离子注入的注入剂量小，注入能量低，第二预设深度小于第一预设深度，基于第二预设温度对二次注入后的结构进行退火处理，得到第三异质衬底，第二预设温度高于第一预设温度，对第三异质衬底进行抛光，得到异质衬底薄膜。基于本申请实施例，可以减薄损伤层，提高异质薄膜的表面均匀性。

公开(公告)号：CN112088149B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201980026646.8

申请日：2019-02-13

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 多井知义 ,  服部良祐

IPC分类号： H01L41/187 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25 ,  C04B37/00

摘要： 本发明在由铌酸锂等形成的压电性单晶基板1(1A)与支撑基板3的接合体8(8A)中，抑制加热时的接合体的翘曲。接合体8(8A)具备：支撑基板3；压电性单晶基板1(1A)，所述压电性单晶基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及非晶质层7，所述非晶质层7包含选自由铌和钽构成的组中的一种以上金属原子、构成支撑基板3的原子以及氩原子，且存在于支撑基板3与压电性单晶基板1(1A)之间。非晶质层7的中央部的氩原子的浓度高于非晶质层7的周缘部的氩原子的浓度。

公开(公告)号：CN112074622B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201980026669.9

申请日：2019-02-19

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 堀裕二 ,  高垣达朗

IPC分类号： C23C14/10 ,  C23C14/08 ,  C30B25/06 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/18 ,  H01L21/02 ,  H01L41/187 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25

摘要： 本发明在将压电性材料基板1(1A)借助接合层2A而接合于支撑基板3时，即便对得到的接合体进行加热处理时，也不会发生接合体破损或压电性材料基板1(1A)剥离。接合体具备：支撑基板3；压电性材料基板1(1A)，所述压电性材料基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层2A，其将支撑基板3和压电性材料基板1(1A)接合，并与压电性材料基板1(1A)的接合面1a相接。在接合层2A设置有从压电性材料基板1(1A)朝向支撑基板3延伸的空隙22、23。空隙22、23的支撑基板侧末端22b的宽度t2相对于空隙22、23的压电性材料基板侧末端22a、23a的宽度t1的比率(t2/t1)为0.8以下。

公开(公告)号：CN111864054A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010644724.5

申请日：2020-07-07

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 欧欣 ,  鄢有泉

IPC分类号： H01L41/332 ,  H01L41/337

摘要： 本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法，包括：获取待优化的异质集成压电单晶薄膜衬底，所述压电单晶薄膜衬底包括支撑层和压电单晶薄膜层；对所述压电单晶薄膜衬底进行腐蚀处理得到第一产物，所述第一产物的压电单晶薄膜层表面形成有腐蚀层；对所述第一产物进行抛光处理得到第二产物。经过腐蚀处理的压电单晶薄膜表面会形成一定厚度的均匀腐蚀层，然后通过低背压的化学机械抛光即可将腐蚀层除去，实现压电单晶薄膜表面的优化。本申请实施例所述的表面优化方法可以提高异质集成压电单晶薄膜衬底的表面平整度和薄膜近表面区域的晶格质量，同时，又能保证压电单晶薄膜厚度的均匀性。