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公开(公告)号：CN118074723A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410178899.X
申请日：2024-02-17
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种宽输入范围的高精度模拟前端电路。本发明包括输出共模电平产生电路，开关电容网络和单位增益缓冲电路。其中共模电压产生电路，连接信号输入端，用于升高输入电平。开关电容网络，连接共模电压产生电路和缓冲电路，用于传输共模电压到输出端。缓冲电路，连接信号输入端，对输入信号进行缓冲处理并输出。本申请所述电路，可以实现对于输入信号的高精度获取与单到双转换，是一种宽输入范围的高精度模拟前端电路。
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公开(公告)号：CN118067805A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410167178.9
申请日：2024-02-06
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种气压‑气氛协同增敏式呼吸传感器及工作、制备方法，利用呼吸行为和呼吸氨气电阻同向变化趋势，进一步提升呼吸检测响应率和灵敏度。包括弹性腔体、空气导管、铜导线，当一定浓度的NH3从塑料空气导管中通入气球，聚吡咯会与NH3发生去质子化气敏反应，造成P型聚吡咯的载流子浓度改变，表现出传感器的电阻升高。同时，呼吸气体的通入导致导电颗粒的间距和导电通路长度增加，使得导电通路减少，宏观表现为电阻值的同向叠加。本发明充分利用了呼出行为和呼出气体的协同作用，其呼吸检测的响应率和灵敏度都优于单纯的气体传感器或单纯的压阻式应力传感器，从而实现对呼吸行为和呼出NH3响应的增强，提升了呼吸检测的性能。
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公开(公告)号：CN118041400A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410311895.4
申请日：2024-03-19
申请人： 宜宾电子科技大学研究院
摘要： 本发明属于信号处理技术领域，具体涉及一种利用SIM实现电磁波域近场波束聚焦的方法。本方法首先建立超表面层间的电磁衍射模型和超表面到用户的近场球面波前信道。然后，利用信噪干扰比建立了最大化系统用户速率的目标函数，并将原问题重新表述为最小化可重构层叠超表面的端到端信道矩阵与目标无干扰信道矩阵之间的归一化均方误差。最后,本发明提出一种迭代梯度下降算法解决优化问题的非凸限制，从而完成基站发射波束聚焦任务。实验结果表明，在近场通信场景下，本方法具有较好的多用户干扰抑制表现。
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公开(公告)号：CN118041327A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410258339.5
申请日：2024-03-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种适用于GaN半桥栅驱动芯片的集成自举开关电路。本发明通过对自举大电流路径的时序控制，以满足开下功率管对自举电容充电、开上功率管时自举电容供电的需求。将片外高压自举二极管集成至片内对应用设计的简易性提出大幅改善，提高功率密度。同时规避自举电容过充风险。
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公开(公告)号：CN118041258A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410141387.6
申请日：2024-01-31
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种集成超宽带低功耗差分放大电路，包括带有射级负反馈电路的差分放大电路，宽带交叉耦合的补偿负载电路，输出缓冲电路，输入的差分信号通过带射级负反馈电阻的差分放大电路，在其负载的正负两端分别产生两路差分电流，差分放大电路的正负输出两端添加了宽带交叉耦合的补偿负载，将输入信号产生的差分电流进一步放大成一对差分电压，在交叉耦合补偿负载中引出两输出端到下一级的输出缓冲电路，经过阻抗变换后，得到有足够驱动力的输出差分电压信号。本发明在传统差分放大电路的基础上增添了旁路的交叉耦合的补偿负载，让电路不用付出电压裕度的代价，在超宽带的条件下，有效的提高差分放大电路的增益。
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公开(公告)号：CN118036687A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410246223.X
申请日：2024-03-05
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于脉冲神经网络硬件技术领域，具体涉及一种基于突触可塑性的低开销脉冲神经网络计算电路。本发明的电路基于“迹”的峰值时间依赖可塑性(TRACE‑STDP)以及数字化神经元和突触活动实现在线学习，并且通过位移操作实现神经元和突触参数的衰减行为，克服了硬件实现的资源成本较大和信息处理速度不理想的挑战。
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公开(公告)号：CN118018062A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410178903.2
申请日：2024-02-17
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H04B1/7136 , H04B1/717 , H04B1/715 , H04B1/719 , H04L25/02
摘要： 本发明属于跳频信号参数估计领域，具体涉及一种基于时频图连通性的跳频信号时频峰值估计方法。针对跳频信号时频峰值检测问题，本发明提出了一种基于时频图连通性的跳频信号时频峰值估计方法。该场景下有若干个跳频电台信号，可以将信号时频图像转换为二值图像，其中包含若干个跳频脉冲数据块，将这些数据块标记为不同的连通区域，再使用重心提取的方法提取不同连通区域的重心值，即可以得到时频峰值。本发明利用了时频图像中信号连通性的特点，能够快速准确的得到并标记跳频脉冲信号区域位置，方法简单，效果良好。
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公开(公告)号：CN118016729A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410238948.4
申请日：2024-03-04
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L21/329
摘要： 本发明所公开的一种具有多区JTE结构的超宽禁带半导体二极管包括衬底层、外延层、介质层、阴极金属层、JTE区和阳极金属层，其中外延层和衬底层为第一超宽禁带半导体材料；JTE区为第二超宽禁带半导体，与外延层形成异质结结构改善电场分布，优化器件性能。本发明利用对正性光刻胶的多次光刻和淀积技术在器件元胞区边缘形成异质结，形成了具有台面的多区JTE结构。该结构在台面处的过渡斜面或弧面能够缓解甚至消除器件因曲率效应导致的电场集中现象，在保护肖特基接触的同时，也能保护终端区上方存在的各种介质层的可靠性。同时，所形成的多区JTE结构更容易满足耐压时全部耗尽的条件，拓宽了工艺窗口，降低了工艺难度。
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公开(公告)号：CN118016726A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410205800.0
申请日：2024-02-26
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/36
摘要： 本发明涉及半导体技术，特别涉及一种具有表面应力引入结构的应变半导体二极管。本发明通过在台面状的压电系数不为零的半导体材料中，采用表面薄膜引入应力，利用压电极化效应在台面结构内部诱导生成极化电荷。这些极化电荷在适当条件下可等效为电离杂质，在半导体内部诱生载流子，实现等效于掺杂的效果。本发明基于这一效应提出了一种采用这一结构的二极管，使用应力引入工艺替代了器件制造过程中某些掺杂工艺，回避了部分半导体掺杂难度高和掺杂质量低的问题。
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公开(公告)号：CN118012203A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410276469.1
申请日：2024-03-12
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明属于电子电路技术领域，尤其涉及一种高抗电源噪声的带隙基准。本发明的目的是针对高压驱动电路中存在的比较严重的电源噪声，提出一种高抗电源噪声的带隙基准，该电路具有在高压栅驱动较严重的噪声环境中正常工作，为高压栅驱动芯片提供准确稳定的基准值。本发明的电路包括启动和偏执电路、预电源轨产生电路、带隙基准核心电路以及用于负反馈箝位的运算放大器，利用预电源轨技术和反馈技术提高基准对电源噪声的抑制性能，再利用运算放大器的负反馈箝位和NPN管的BE结温度特性产生一个高抗电源噪声的基准电压。本发明提出一种高抗电源噪声的带隙基准电路，能在高压栅驱动系统的高电源噪声中正常工作。
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