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公开(公告)号：CN116338440B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310618179.6
申请日：2023-05-30
申请人： 四川上特科技有限公司
摘要： 一种半导体散粒芯片测试装置，涉及散晶粒测试技术领域，包括散晶粒装填器、喷油单元、转换单元、针测单元。散晶粒装填器包括水平旋转组件，水平旋转组件上端设有装填组件，装填组件内设有转换板，装填组件包括空腔体，空腔体上还开设有多个晶粒槽，转换板包括L型板，横板上开设有多个第二气孔，L型板短边上开设有触点通槽。喷油单元，用于测试前在散晶粒上喷涂快干防火油。转换单元，用于自动移动转换板在装填组件内的位置。针测单元包括测试设备和第十二直线机构，第十三直线机构输出轴下端设有与晶粒槽匹配的多个探针和与触点通槽匹配的触板。本发明的半导体散粒芯片测试装置可以自动装填散晶粒并在完成装填后批量测试，测试效率高。
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公开(公告)号：CN116276672A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310596928.X
申请日：2023-05-25
申请人： 四川上特科技有限公司
摘要： 本申请提供本发明提供一种晶圆喷砂机构及喷砂装置，属于晶圆背面处理技术领域。晶圆喷砂机构，包括：安装盘及安装板。安装盘中部具有圆孔，圆孔的底部设有负压环，负压环的内部具有环形的负压腔，其内壁具有与负压腔连通的排沙孔，喷砂时晶圆的顶面位于排沙孔的高度范围内；安装板设于安装盘的圆孔上方，且安装板的轴线与圆孔的轴线偏心设置，安装板绕着圆孔的轴线做圆周运动，且活动范围与晶圆的面积向适应，安装板向下穿设有多根喷嘴。晶圆喷砂装置，包括旋转台及上述的晶圆喷砂机构，旋转台绕轴线转动设置，其沿圆周阵列设有多个圆环结构的托盘。可有效提高晶圆的喷砂质量，彻底的去除晶圆背面反渗的磷源。
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公开(公告)号：CN116013844B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202310301072.9
申请日：2023-03-27
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/228
摘要： 本发明提供一种晶圆覆硼夹具及覆硼装置，属于制造半导体器件的设备技术领域，覆硼夹具，包括：转盘及定位组件。定位组件沿转盘的圆周阵列设有至少三组，包括沿转盘法线方向滑动设置的滑块，滑块的顶面的前端设有圆弧结构的侧压板，侧压板的内壁半径与晶圆的外径相同，侧压板的内壁设有排液口，覆硼时，侧压板的内壁与晶圆外侧壁贴合，且排液口的底面位于晶圆底面的上方；定位组件还包括摆杆，其中段铰接于转盘，摆杆的上段活动设于滑块的后端，摆杆的下端设有摆锤。覆硼装置，包括上述的覆硼夹具，转盘转动设于一壳体内，壳体的底部设有电机，用于驱动转盘旋转。本方案能有效防止硼液反渗至晶圆的底面。
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公开(公告)号：CN115910874A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310222346.5
申请日：2023-03-09
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/687
摘要： 本发明提供一种晶圆存放框，属于半导体硅晶圆生产辅助器具技术领域，晶圆存放框包括：一对相互平行的侧板，且侧板的内壁开设有成对设置的条形槽，两块侧板之间的下方设有支撑板。支撑板的后端转动连接于两块侧板的一端，转动的轴线垂直于侧板，支撑板前端的两侧设有垂直于侧板的连接轴，支撑板两侧的连接轴上均滑动设有卡块，通过卡块抵接于侧板的内壁，以使支撑板固定。存放框不仅方便晶圆的装取，而且能有效防止晶圆掉落。
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公开(公告)号：CN115547915A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211497707.9
申请日：2022-11-28
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/677
摘要： 一种晶圆曝光夹具及曝光装置，属于晶圆生产设备技术领域，曝光夹具包括底板及掩膜框，掩膜框的底面设有掩膜片。底板的底部开设有贯穿槽，贯穿槽垂直于底板的前后端面，底板的前后端面均开设有条形孔，且条形孔与贯穿槽连通，底板的两侧均垂直穿设有伸缩杆，伸缩杆的前端位于贯穿槽内，伸缩杆的后端具有卡槽，卡槽的延伸方向与贯穿槽平行。掩膜框设于底板上，掩膜框的底面对应伸缩杆均设有连接部，连接部滑动连接于伸缩杆的后段，伸缩杆沿长度方向移动设置，同时带动掩膜框沿垂直于底板的方向移动。曝光装置，包括进料机构、输送机构、曝光机上述的曝光夹具。曝光夹具对晶圆具有良好的定位夹持效果，曝光装置可极大的提高生产效率。
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公开(公告)号：CN114618754B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210526863.7
申请日：2022-05-16
申请人： 四川上特科技有限公司
摘要： 一种晶圆片玻璃浆填充装置，包括：传送带以及沿传送带依次设置的上料机构、滴液机构、涂抹机构、烘干部、下料机构；上料机构和下料机构均包括两个承载组件，用于承载晶圆片，上料机构还包括第一推送组件，用于将晶圆片推送至传送带上，滴液机构用于向晶圆片表面滴落玻璃浆，涂抹机构用于将玻璃浆填充至晶圆片的沟槽中，烘干部用于烘干晶圆片表面的玻璃浆；下料机构还包括第二推送组件，用于将晶圆片推送至下料机构中。本方案在一个工作区域内自动实现晶圆片的上料和涂抹玻璃浆后的晶圆片的下料，同时在此过程中实现对晶圆片的滴注玻璃浆、涂抹填充和烘干，减少人工操作，减少材料的浪费，提高产品质量。
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公开(公告)号：CN114628303A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210528192.8
申请日：2022-05-16
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 一种晶粒剥离装置，属于工业自动化及芯片加工技术领域，其包括转动顶升机构，转动顶升机构的正上方设有剥离机构，剥离机构上设有定位机构，转动顶升机构上设有多个放置盘。转动顶升机构上具有一个转动盘。剥离机构上具有一个矩形板，矩形板位于转动盘的正上方，矩形板上开设有圆孔，矩形板上侧安装有剥离气缸，剥离气缸的活动端设有剥离弧板，圆孔位于剥离弧板的运动轨迹上，矩形板上设有出料构件，出料构件的出料端上设有收渣构件。本发明通过转动顶升机构、放置盘、剥离机构及定位机构当晶圆完成劈裂后方便自动且高效地完成对晶粒的剥离操作，降低了操作过程中操作人员的参与程度，提高了晶粒剥离时的自动化程度。
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公开(公告)号：CN114433444A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210372842.4
申请日：2022-04-11
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： B05C13/02 , H01L21/687 , H01L21/677
摘要： 本申请提供一种用于晶圆涂覆玻璃粉的盛料转移装置，属于制造半导体的设备领域。装置包括：溶液池、料框以及取料部件。料框包括水平间隔设置的支撑杆，支撑杆的顶面沿长度方向开设有多处弧形槽，料框的两侧均设有侧挡杆，侧挡杆沿长度方向设有限位轮，限位轮圆周的中段均呈圆弧凹陷结构，弧形槽与限位轮组合使用。取料部件设于料框上方，取料部件设有多组夹持组件，夹持组件均包括一对卡爪，卡爪下段朝中部弯曲，卡爪的下端均设有滚轮，卡爪向下移动时，可推动侧挡杆沿着晶圆的外壁向下移动，卡爪之间的间距可自行调节。本装置可防止晶圆表面局部玻璃粉涂覆不均，可完好的取出晶圆，避免在取出过程中损伤玻璃粉涂层。
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公开(公告)号：CN113571513B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111111116.9
申请日：2021-09-23
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供一种用于瞬态抑制器的低触发高鲁棒性SCR器件及保护电路，通过第一N型重掺杂区、第一P阱、N阱以及与阳极端口连接的第二P型重掺杂区构成了第一个SCR器件；通过与阳极端口连接的第二P型重掺杂区、第二P阱、N阱以及与阴极端口连接的第三N型重掺杂区构成了第二个SCR器件；同时通过第二P阱、N阱、第一栅氧化层、第二栅氧化层构成了RC电路；通过第三N型重掺杂区、第四N型重掺杂区和第二栅氧化层构成了寄生NMOS器件，提高了SCR器件的可控性和运行可靠性。
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公开(公告)号：CN113246004B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110634014.9
申请日：2021-06-08
申请人： 四川上特科技有限公司
摘要： 一种晶圆端面精磨装置，包括：支撑体、支撑组件、进料组件、转取组件、转移组件以及精磨组件。进料组件用于多个晶圆的放置，以及带动多个晶圆向内运动，转取组件用于夹持位于进料组件内的单片晶圆，并带动单片晶圆向转移组件运动，转移组件用于夹持被转取组件夹持的单片晶圆，并带动单片晶圆向精磨组件运动，以及用于单片晶圆的翻面，精磨组件用于多片晶圆的端面精磨。本发明方便进行晶圆的端面抛光操作，在进行晶圆的端面抛光中，方便进行晶圆的自动化进料，方便进行晶圆的自动化转移，方便进行晶圆的自动化翻转，方便进行晶圆的自动化放置，方便自动进行晶圆的端面磨抛操作，提高了晶圆端面抛光的自动化程度，提高了晶圆端面抛光的效率和质量。
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