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公开(公告)号：CN113401862B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110791961.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种惯性传感器及其制备方法，解决了现有技术中批量生产的惯性传感器的性能均一性较差和电互联难度高的问题。其中，惯性传感器的制备方法包括：提供第一基板，第一基板包括第一导电层；提供第二基板，第二基板包括第一衬底，第一衬底的材料为单晶材料；将第一导电层和第一衬底结合在一起，形成结合界面；形成可动元件，可动元件包括至少部分第一衬底。
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公开(公告)号：CN113264497B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110679472.4
申请日：2021-06-18
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种MEMS芯片的封装结构，包括：基板，所述基板的第一表面中形成至少一个第一凹槽；MEMS芯片，所述MEMS芯片位于所述基板的上方；所述MEMS芯片朝向所述基板的第二表面上形成至少一个第一支撑结构和第二支撑结构；所述第一支撑结构的位置与所述第一凹槽的位置相对应，并且位于所述第一凹槽中，其中，所述第二支撑结构用于调节所述MEMS芯片与所述基板之间的位置和间距关系。本申请的MEMS芯片的封装结构，通过在MEMS芯片的第二表面形成多个第一支撑结构，并通过第一支撑结构与基板连接，使得MEMS芯片与基板的接触面积较少，降低了应力的传递，提高了MEMS芯片的灵敏度。
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公开(公告)号：CN113003530B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110191010.8
申请日：2021-02-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Inventor： 梅嘉欣
Abstract: 本申请公开了一种MEMS传感器及其封装结构，该封装结构包括：壳体，具有第一基板、第二基板以及连接第一基板与第二基板的连接板，第一基板的内表面、第二基板的内表面以及连接板的内表面形成空腔，第一基板和第二基板分别沿着壳体的顶面向壳体的底面的方向延伸，第一基板的内表面和/或第二基板的内表面具有导电区；至少一个电极，位于空腔外，并设置在壳体的底面，壳体的底面至少包括连接板的其中一个外表面；以及至少一个导电结构，用于分别经第一基板和/或第二基板将电极电连接至相应导电区。该封装结构简化了MEMS传感器的走线，进而增加了MEMS传感器的可靠性、降低了工艺流程的复杂程度、降低了成本。
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公开(公告)号：CN112897448B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110212913.X
申请日：2021-02-25
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS传感器及其微机电结构、微机电结构的制造方法。该微机电结构包括：背板，具有至少一个通孔；感应膜，包括运动区、非运动区、连接运动区与非运动区的梁结构，运动区与背板构成可变电容；至少一个连接柱，每个连接柱的一端与感应膜的运动区固定连接；以及至少一个可动结构，分别位于相应的通孔中以与背板分离，每个可动结构与相应的连接柱的另一端固定连接，其中，可动结构在感应膜上的正投影与部分非运动区重合。该微机电结构通过可动结构对感应膜的形变程度进行限制，从而提高MEMS传感器的抗机械冲击能力。
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公开(公告)号：CN112499576B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202011295919.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种MEMS器件，包括：衬底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于所述衬底的第一表面上，具有第二空腔；振膜层，所述振膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于所述振膜上，具有第三空腔；背极板层，位于所述第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，其中，所述第一空腔包括多个堆叠的通孔，多个所述通孔的中心线重合，且与所述振膜相对。本申请的MEMS器件，衬底的第一空腔设置为至少包括第一通孔和第二通孔，第一通孔更靠近振膜层且第一通孔的直径大于第二通孔的直径，由于第一通孔与衬底第一表面的交界处光滑，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了MEMS器件的失效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117509534B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410008674.X
申请日：2024-01-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供的一种MEMS芯片封装结构及制作方法，该方法包括提供第一基板和第二基板，第一基板具有第一金属体和器件结构，第二基板具有可供器件结构活动的空腔；在第二基板具有空腔的表面形成介质层，在介质层上形成至少一个环绕空腔的凹槽；在介质层的表面形成保形覆盖凹槽底部和侧壁的第二金属体，以及覆盖介质层的至少部分表面的第三金属体，第三金属体位于凹槽的外侧；将第一基板和第二基板通过第一金属体和第三金属体相键合。本发明通过在键合部位单侧的介质层开设凹槽的方式，在键合时通过第二金属体的引流作用引导多余的液相合金堆积在凹槽中，避免液相合金向芯片功能区溢流，增强芯片的键合质量及可靠性，提高了MEMS芯片生产制造的合格率。
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公开(公告)号：CN117509529B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311828595.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: B81B5/00 , B81B7/02 , G01P15/125
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公开(公告)号：CN117509534A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410008674.X
申请日：2024-01-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供的一种MEMS芯片封装结构及制作方法，该方法包括提供第一基板和第二基板，第一基板具有第一金属体和器件结构，第二基板具有可供器件结构活动的空腔；在第二基板具有空腔的表面形成介质层，在介质层上形成至少一个环绕空腔的凹槽；在介质层的表面形成保形覆盖凹槽底部和侧壁的第二金属体，以及覆盖介质层的至少部分表面的第三金属体，第三金属体位于凹槽的外侧；将第一基板和第二基板通过第一金属体和第三金属体相键合。本发明通过在键合部位单侧的介质层开设凹槽的方式，在键合时通过第二金属体的引流作用引导多余的液相合金堆积在凹槽中，避免液相合金向芯片功能区溢流，增强芯片的键合质量及可靠性，提高了MEMS芯片生产制造的合格率。
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公开(公告)号：CN117246972B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311536483.2
申请日：2023-11-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H10N30/00
Abstract: 本申请提供一种微机电压力传感器及其制备方法。微机电压力传感器，包括：第一衬底；压敏感应组件，压敏感应组件位于第一衬底的一侧；压敏感应组件包括压敏电阻；第一介质层，第一介质层位于压敏感应组件远离第一衬底的一侧；第一介质层内设有空腔，空腔贯穿第一介质层；空腔在第一衬底上的正投影覆盖压敏电阻在第一衬底上的正投影；第二衬底，第一介质层与第二衬底朝向第一衬底的一侧键合。本申请通过在第一衬底上形成第一介质层，并通过在第一介质层内形成空腔，空腔的高度一致性好，限位一致性好，并利用第一介质层与第二衬底键合连接，具有封装尺寸小、制作工序简单等优点。
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公开(公告)号：CN117246975A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311532386.6
申请日：2023-11-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成的惯性传感器芯片及其制作方法，旨在通过在氧化硅片上形成第一空腔和第二空腔，并在氧化硅片上形成在厚度方向上贯穿其的第一通孔，并且形成的第一通孔在邻近其第一表面具有较大的第一开口，在位于其第二表面上具有相对较小的第二开口；将氧化硅片的第一表面与衬底基板的具有第一器件结构和第二器件结构的一侧表面相键合，并在氧化硅片的背离衬底基板的一侧制作覆盖氧化硅片的氧化硅层，以封闭第一通孔。从而不仅有利于氧化硅片与衬底基板键合的过程中的应力释放，而且也便于对第一通孔进行密封。通过上述晶圆级的封装，实现了低成本的将加速度计传感器芯片与陀螺仪传感器芯片集成在一起。
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