公开(公告)号：CN109089362A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201811120414.2

申请日：2014-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李启英 ,  金大东 ,  白斗山 ,  李昌炫 ,  郑载浩 ,  金良昱 ,  全海仁

IPC: H05B37/02

Abstract: 公开了一种照明控制方法和一种使用该方法的电子装置。该方法包括：接收用于控制照明的图案信息；基于所接收的图案信息生成包括与操作时间信息对应的亮度水平信息的照明控制信息；以及发送照明控制信息。

公开(公告)号：CN105432150B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201480042443.5

申请日：2014-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李启英 ,  金大东 ,  白斗山 ,  李昌炫 ,  郑载浩 ,  金良昱 ,  全海仁

IPC: H05B37/02

Abstract: 公开了一种照明控制方法和一种使用该方法的电子装置。该方法包括：接收用于控制照明的图案信息；基于所接收的图案信息生成包括与操作时间信息对应的亮度水平信息的照明控制信息；以及发送照明控制信息。

公开(公告)号：CN107635461A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680028069.2

申请日：2016-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑贤基 ,  徐成穆 ,  权纯亨 ,  白斗山 ,  李启英 ,  李授怜 ,  高俊豪 ,  金震晟 ,  李昌炫 ,  林勇贤 ,  全海仁

IPC: A61B5/0205 ,  A61B5/024 ,  A61B5/0402 ,  A61B5/0476 ,  A61B5/08 ,  A61B5/11 ,  A61B5/145 ,  A61B5/00 ,  A61B3/113 ,  A61M21/02

Abstract: 提供了一种使用感测设备控制温度调节设备的方法和装置。该方法包括：设置测试温度，向温度调节设备发送与测试温度相对应的温度调节指令，当应用测试温度时基于接收到的来自传感器的生物信息计算睡眠得分，以及，基于计算得到的睡眠得分确定睡眠最佳温度。

公开(公告)号：CN106454380A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610657596.1

申请日：2011-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  李泰美 ,  陈建乐 ,  赵大星 ,  韩宇镇 ,  金壹求

IPC: H04N19/61 ,  H04N19/103

CPC classification number: H04N19/61 ,  H04N19/103

Abstract: 一种对视频进行解码的方法。一种使用可变分区的视频编码方法，其中，通过使用基于第一分区模式和分区等级确定的多个分区，以作为用于对画面进行编码的数据单元的编码单元为单位执行预测编码，以便从确定的多个分区中选择将输出编码结果的分区，对表示选择的分区的第一分区模式和分区等级的分区信息进行编码和输出。所述第一分区模式表示作为用于对所述编码单元执行预测编码的数据单元的分区的形状和方向性，所述分区等级表示所述编码单元被划分为用于详细的运动预测的多个分区的程度。

公开(公告)号：CN102163457B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110040220.3

申请日：2011-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  韩真晚 ,  金杜坤 ,  许星会 ,  尹钟仁

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/14

Abstract: 提供了非易失性存储器件、其编程方法以及包括其的存储系统。所述非易失性存储器件包括衬底以及在与衬底相交的方向上堆叠的多个存储单元。所述编程方法向被选位线施加第一电压，向未选位线施加第二电压，向被选串选择线施加第三电压，向未选串选择线施加第四电压，并且向多个字线施加编程操作电压，其中，所述第一到第三电压是正电压。

公开(公告)号：CN104821322A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510055617.8

申请日：2015-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫

IPC: H01L27/115

Abstract: 本发明公开了垂直存储器件。根据示例实施方式，一种垂直存储器件包括在下绝缘层上的低电阻层、在低电阻层上的沟道层、在沟道层上的多个垂直沟道、以及多个栅线。垂直沟道在相对于沟道层的顶表面垂直的第一方向上延伸。栅线围绕垂直沟道的外侧壁，并且在第一方向上层叠并且彼此间隔开。

公开(公告)号：CN101430934B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN200810184262.2

申请日：2008-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/3454

Abstract: 本发明提供了一种NAND闪存设备及其编程方法。NAND闪存设备可以包括包含多个页的单元阵列；存储页的编程数据的页缓冲器；提供编程验证数据到页缓冲器的数据存储电路；以及控制单元。控制单元可以在编程了至少两页之后使用编程验证数据编程页并且验证页。

公开(公告)号：CN101441893B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN200810177916.9

申请日：2008-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  徐康德 ,  林瀛湖 ,  崔正达

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/08 ,  G11C16/02 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/16

Abstract: 抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法。操作电荷俘获非易失性存储器件的方法包括：通过选择性擦除第一串中第一多个非易失性存储单元以及随后选择性擦除第一串中第二多个非易失性存储单元来擦除第一串非易失性存储单元的操作，第二多个非易失性存储单元与第一多个非易失性存储单元交替。选择性擦除第一多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第二多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第二多个非易失性存储单元的同时，擦除第一多个非易失性存储单元。选择性擦除第二多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第一多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第一多个非易失性存储单元的同时，擦除第二多个非易失性存储单元。

公开(公告)号：CN102804782A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180014086.8

申请日：2011-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  李泰美 ,  陈建乐 ,  赵大星 ,  韩宇镇 ,  金壹求

IPC: H04N7/32

CPC classification number: H04N19/103 ,  H04N19/119 ,  H04N19/176 ,  H04N19/46 ,  H04N19/57 ,  H04N19/61

Abstract: 一种使用可变分区的视频编码方法，其中，通过使用基于第一分区模式和分区等级确定的多个分区，以作为用于对画面进行编码的数据单元的编码单元为单位执行预测编码，以便从确定的多个分区中选择将输出编码结果的分区，对表示选择的分区的第一分区模式和分区等级的分区信息进行编码和输出。所述第一分区模式表示作为用于对所述编码单元执行预测编码的数据单元的分区的形状和方向性，所述分区等级表示所述编码单元被划分为用于详细的运动预测的多个分区的程度。

公开(公告)号：CN102468280A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110347712.7

申请日：2011-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  孙炳根 ,  朴赞真 ,  赵慧珍 ,  张盛壹

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/115 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体存储器件包括：在下结构上的上结构，该上结构包括导电图案；半导体图案，穿过上结构连接到下结构；以及绝缘间隔物，在半导体图案与上结构之间，绝缘间隔物的底表面位于等于或高于下结构的最高表面的竖直水平面。