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公开(公告)号：CN110634881A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910278428.5
申请日：2019-04-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 提供一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括导电图案结构、存储器层、柱结构以及第二绝缘图案和第三绝缘图案。导电图案结构包括导电图案和绝缘层，并且可包括在第一方向上延伸的第一部分和从第一部分的侧壁突出的第二部分。导电图案结构布置在与第一方向垂直的第二方向上以在其间形成沟槽。存储器层形成在导电图案结构的侧壁上。沟槽中的均包括形成在存储器层上的沟道图案和第一绝缘图案的柱结构在第一方向上彼此分隔开。第二绝缘图案形成在柱结构之间。第三绝缘图案形成在一些柱结构之间并且具有与第二绝缘图案的形状不同的形状。
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公开(公告)号：CN109256390A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810762317.7
申请日：2018-07-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/11556 , H01L27/11582
摘要： 提供了一种垂直存储器件及其制造方法。该垂直存储器件包括堆叠在衬底上的栅电极层、贯穿栅电极层的沟道层、以及第一外延层，第一外延层与沟道层的下部接触并包括具有比沟道层的外径小的直径的区域。
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公开(公告)号：CN118450712A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410091668.5
申请日：2024-01-23
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种半导体器件可以包括在基板上沿第一方向彼此间隔开的第一导电线、沿第二方向与第一导电线间隔开的第二导电线、在第一导电线和第二导电线之间并沿第一方向延伸的栅电极、在第一导电线和栅电极之间并沿第一方向延伸的第一选择栅电极、围绕栅电极的侧表面并沿第一方向彼此间隔开的多个沟道图案、围绕第一选择栅电极的侧表面的第一选择沟道图案、以及在栅电极和每个沟道图案之间的铁电图案。第一选择沟道图案可以在第一方向上彼此间隔开并分别连接到沟道图案。
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公开(公告)号：CN112133751B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202010572227.9
申请日：2020-06-22
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种半导体器件包括：基板，包括凹陷；第一栅绝缘层，在该凹陷的下部侧壁和底部上，该第一栅绝缘层包括具有滞回特性的绝缘材料；第一栅电极，在该凹陷内且在第一栅绝缘层上；第二栅电极，在该凹陷中接触第一栅电极，该第二栅电极包括与第一栅电极的材料不同的材料；以及杂质区，在基板中且与该凹陷的侧壁相邻，杂质区的底部相对于基板的底部高于第二栅电极的底部。
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公开(公告)号：CN117750775A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310546365.3
申请日：2023-05-15
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种三维半导体存储器件，包括：衬底上的第一贯通结构，第一贯通结构布置在第一方向上；电极，与第一贯通结构相邻，并且在第一方向上沿第一贯通结构水平地延伸；以及铁电层，介于电极和第一贯通结构之间。第一贯通结构中的每一个包括：第一导电柱和第二导电柱，在第一方向上彼此间隔开；以及沟道层，从第一导电柱的侧壁延伸到第二导电柱的侧壁，沟道层介于铁电层与第一导电柱和第二导电柱之间，第一导电柱和第二导电柱在第一方向上彼此间隔开并且限定第一气隙。第一贯通结构中的相邻的第一贯通结构限定第二气隙。
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公开(公告)号：CN117119791A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310586525.7
申请日：2023-05-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一单晶半导体图案，包括第一源极/漏极区、第二源极/漏极区以及在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间的第一垂直沟道区，第二源极/漏极区在比第一源极/漏极区高的水平处；第一栅电极，面对第一单晶半导体图案的第一侧表面；第一栅极电介质层，该第一栅极电介质层包括在第一单晶半导体图案和第一栅电极之间的部分；以及互补结构，与第一单晶半导体图案的第二侧表面接触，其中互补结构包括氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN116647763A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310146505.8
申请日：2023-02-21
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N25/51 , H04N25/59 , H04N25/766
摘要： 一种图像传感器，包括光电转换器，被配置为响应于接收的光而将接收的光转换为电荷，并且将电荷提供给第一节点；转移晶体管，被配置为向浮置扩散节点提供第一节点的电压；复位晶体管，被配置为基于复位信号将浮置扩散节点的电压复位到驱动电压；源极跟随器晶体管，被配置为基于浮置扩散节点的电压来提供单元像素输出；选择晶体管，连接到源极跟随器晶体管，并且用选择信号选通，以向外部输出单元像素输出；以及铁电电容器，连接到浮置扩散节点，其中铁电电容器被配置为基于铁电电容器的转换增益模式来调整浮置扩散节点的转换增益，该转换增益模式是第一转换增益模式、第二转换增益模式或第三转换增益模式。
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公开(公告)号：CN116419573A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211649703.8
申请日：2022-12-21
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种半导体器件，其包括：衬底；包括电极和沟道分离图案的堆叠，电极堆叠在衬底上并彼此间隔开，沟道分离图案在相邻电极之间；以及穿透堆叠的垂直结构，其中垂直结构包括导电柱、沟道结构以及在导电柱和沟道结构之间的插入层，沟道结构包括通过沟道分离图案彼此垂直间隔开的第一沟道层和第二沟道层，电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极连接到第一沟道层和第二沟道层，沟道分离图案在第一沟道层和第二沟道层之间，沟道分离图案在连接到第一沟道层的一个第二电极和连接到第二沟道层的一个第一电极之间。
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公开(公告)号：CN115666135A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210320618.0
申请日：2022-03-29
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一导线，设置在基底上并且在垂直于基底的顶表面的第一方向上彼此间隔开；第二导线，在平行于基底的顶表面的第二方向上与第一导线间隔开；栅电极，设置在第一导线与第二导电线之间并且在第一方向上延伸；多个沟道图案，设置为包围栅电极的侧表面并且在第一方向上彼此间隔开；铁电图案，在所述多个沟道图案中的每个与栅电极之间；以及栅极绝缘图案，在所述多个沟道图案中的每个与铁电图案之间。所述多个沟道图案中的每个连接到第一导线中的一条对应的第一导线和第二导线中的一条对应的第二导线。
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公开(公告)号：CN115497981A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210653191.6
申请日：2022-06-09
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种半导体存储器件，包括：多个半导体图案，沿第一水平方向延伸，并在第二水平方向和竖直方向上彼此分离，每个半导体图案包括沿第一水平方向布置的第一源/漏区、沟道区、以及第二源/漏区；多个栅极绝缘层，覆盖沟道区的上表面或侧表面；多条字线，在沟道区的上表面或侧表面上；以及多个电阻式开关单元，分别连接到半导体图案的第一侧壁，沿第一水平方向延伸，并在第二水平方向和竖直方向上彼此分离，每个电阻式开关单元包括第一电极、第二电极、以及在第一电极和第二电极之间并包括碳纳米管的电阻式开关材料层。
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