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公开(公告)号：CN111539177A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010324225.8
申请日：2020-04-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/392 , G06K9/52 , G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种版图特征提取的超参数确定方法、装置及介质，方法包括：按照初始尺寸的采样窗口分别对版图上的N个样本点进行采样，对应获得N幅版图切片，N个样本点对应有N组属性参数；根据单像素物理尺寸分别对所述N幅版图切片进行特征提取，以转化为N个特征矩阵；基于N组属性参数，计算出N个特征矩阵的每个单像素位置对应的互信息值，获得互信息图；根据互信息图，确定出采样窗口的目标尺寸作为版图特征提取的超参数。本发明提供的方法、装置及介质，用以解决现有技术中对版图进行特征提取用于模型训练或模型应用时，存在选取的超参数不合适导致的运算速度和计算准确度均较差的技术问题。有效提高了运算速度和计算准确度。
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公开(公告)号：CN111123662A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010057340.3
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种获取套刻误差量测数据的方法及装置，包括：获取套刻误差的标记方式，根据标记方式确定套刻标记；基于套刻标记，确定线条上的量测区域，量测区域包括多组待量测区间，待量测区间的数量根据标记方式确定；针对每个量测区域，对多组待量测区间进行量测，获取对应的量测数据；基于预设的筛选标准，对量测数据进行筛选，获取符合筛选标准的量测数据；根据符合筛选标准的量测数据确定套刻误差的目标量测数据；如此，因待量测区域包括多个，即使在晶圆出现多个chuck spot或focus spot问题的情况下，本申请也可将不符合筛选标准的量测数据筛选掉，进而可以利用保留下的有效量测数据确定出最终的目标量测数据。
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公开(公告)号：CN110989289A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911356420.2
申请日：2019-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高版图光刻性能的方法、修正后的版图及仿真方法，属于半导体光刻技术领域，解决了现有技术中无法有效抑制禁止周期效应和密集周期线条相互制约，传统OPC(光学临近效应修正)难以平衡解决，导致整个版图的工艺窗口变小，光刻质量显著变差的问题。提高光刻性能的方法包括如下步骤：通过仿真得出对光刻性能影响显著的图形类别中最具代表性的图形；增加禁止周期侧边单独线条的宽度；固定密集周期线条中间线条的位置，并保持所述中间线条的尺寸不变；将密集周期线条侧边线条的外侧边缘edge3向外展宽一定距离Δedge3，得到调整修正后的图形。本发明实现了低成本、低风险提升版图的光刻性能。
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公开(公告)号：CN110706735A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910940861.0
申请日：2019-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种NAND Flash存储器读阈值电压修复方法，步骤包括：选取NAND Flash存储器中的若干Block，并在选出的每一Block中选取若干Page；在选出的每一Page进行写操作；在SLC模式下，基于不同的测试阈值电压，对其中一Page进行若干次读操作，并计算每一测试阈值电压值对应的比特变化量；获取与每一读取电压Vread对应的比特变化量；获取与每一读取电压Vread对应的补偿读取电压，并进行补偿操作，判断此补偿读取电压是否有效；若有效，则循环上述操作若干次，获得剩余每一Page对应的若干补偿读取电压，并根据若干补偿读取电压，获取最佳读取电压；最佳读取电压对选出的测试样本均有效，从而更加匹配整个NAND Flash存储器，提高经过较多次写入和擦除操作后，NAND Flash存储器读操作的正确率。
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公开(公告)号：CN110335813A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910536868.6
申请日：2019-07-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明提供一种自对准双重图形的制备方法、硬掩模图案，涉及半导体制备技术领域，可以避免因颈缩问题造成后续形成的芯轴金属和非芯轴金属存在缺陷、布线不均匀等问题该自对准双重图形的制备方法，包括：在衬底上形成多个间隔且并排设置的芯轴；在相邻的两个所述芯轴之间形成至少两个第一填充结构，位于两个所述芯轴之间的所述第一填充结构与所述芯轴邻接；相邻两个所述芯轴之间的相邻所述第一填充结构之间间隔设置；在所述第一填充结构背离所述衬底一侧形成间隙壁，所述间隙壁与相邻两个所述第一填充结构围成一个非芯轴；所述第一填充结构与所述间隙壁的厚度之和不大于所述芯轴的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109727858A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811565549.X
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/308 , G03F7/00
Abstract: 本申请提供了一种定向自组装模板转移方法。该方法包括以下步骤：在衬底上形成苯乙烯-碳酸酯嵌段共聚物层并进行定向自组装，以使苯乙烯-碳酸酯嵌段共聚物层形成垂直的相分离，得到自组装模板，自组装模板包括由聚苯乙烯构成的第一区域以及由聚碳酸酯构成的第二区域；去除第一区域，得到位于衬底上的光刻图形结构，光刻图形结构具有光刻图案；通过刻蚀工艺将光刻图案转移到衬底表面，以在衬底表面形成纳米图形结构。上述方法无需中性层(无规共聚物材料)，通过采用刻蚀工艺即可将聚碳酸酯从自组装模板中去除形成光刻图形结构，然后通过将光刻图形结构中的光刻图案转移至下方衬底表面，就能够获得所需的纳米图形结构，工艺简单且易于实施。
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公开(公告)号：CN108919601A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810967757.6
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种掩模参数的优化方法及装置中，通过获取测试图形、初始光源参数和初始掩模三维参数，其中初始掩模三维参数包括初始掩模厚度和初始掩模侧壁角，根据初始掩模三维参数，可以获取多组可行掩模三维参数，其中可行掩模三维参数包括可行掩模厚度和可行掩模侧壁角，基于测试图形和初始光源参数，得到每组可行掩模三维参数对应的可行光刻工艺窗口，将可行光刻工艺窗口作为衡量参考，其中，可行光刻工艺窗口最大值对应的可行掩模三维参数即可认为是本次优化的最优掩模三维参数。本申请实施例中，对初始掩模三维参数以及初始光源参数进行了优化，可以获得更高的光刻分辨率，因此得到更大的光刻工艺窗口和更好的曝光分辨率。
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公开(公告)号：CN108335990A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810096181.0
申请日：2018-01-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种定位工艺缺陷的方法，通过确定边界范围，并计算边界范围内各位置点与理想像素分布之间的像素值的相关性数值，相关系数体现了各点实际像素值与理想像素值之间的相关性，相关性越大则与理想像素分布差异越小，相关性越小则与理想像素分布差异越大，出现边缘缺陷的概率则越大，这样，通过相关性的计算就可以确定出边缘缺陷，计算精度高，且相较于现有技术通过图形缺陷的对比的识别方法，单纯的计算具有更快速度，实现缺陷快速及精确的定位。
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公开(公告)号：CN107144210A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710279359.0
申请日：2017-04-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明属于扫描电子显微测量技术领域，公开了一种电子显微图像线条宽度和粗糙度的测量方法包括：获得待测线条结构的扫描电子显微图像；截取第一区域；沿线条方向平均化处理，获得线条边缘像素分布曲线；根据所述线条边缘像素分布曲线，确定第一边界区域；局域像素分析，获得边界分布；根据所述边界分布，计算待测线条的宽度和粗糙度，提取待测线条宽度和粗糙度数值。本发明解决了现有技术中测量线条宽度和粗糙度工作量较大、存在人为干预造成的测量误差且只能分析有限个数据点的问题，达到了提高测量的准确性和可靠性，节省工程师实际量测时间和成本的技术效果。
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公开(公告)号：CN106707684A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510474182.0
申请日：2015-08-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种焦面位置测试掩膜版及确定焦面位置的方法及装置，包括：阻光区，包括具有一定宽度的至少一个阻光图形；透光区，包括具有一定宽度的至少一个透光图形；测试图形区，包括至少两种测试图形，所述测试图形为具有一定深度及一定宽度的图形，使得通过所述测试图形的透射光与通过所述透光区的透射光之间的相位差为90°的整数倍，且透射光相应负一级和负二级衍射光的振幅为0；所述阻光区、测试图形区、透光区依序相连，形成于透明基板上。利用本发明提供的测试掩膜版确定光刻机的最佳焦面位置，由于获取的焦面偏移量与图形偏移量的比值更大，从而提高检测光刻机的最佳焦距的灵敏度，以提升光刻精准度。
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