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公开(公告)号：CN106910709A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510974155.X
申请日：2015-12-22
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8238
摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有CMOS器件，在所述CMOS器件的层间介电层中形成有接触开口，以露出所述半导体衬底；步骤S2：在所述层间介电层上、露出的所述半导体衬底上以及所述接触开口的侧壁上形成屏蔽层，在形成所述屏蔽层的同时或者之后对所述屏蔽层进行等离子处理，以使所述屏蔽层致密化；步骤S3：在所述接触开口中填充导电材料，以形成电连接。本发明所述方法可以带来如下优点：1)重新调配TiN薄膜的穿透方向，使WF6穿过的几率降低。2)改善屏蔽层TiN的致密性，有效阻挡WF6穿过TiN与Si接触。
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公开(公告)号：CN105990222A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510058324.5
申请日：2015-02-04
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括：提供晶圆，所述晶圆中具有用于形硅通孔的沟槽；形成覆盖所述沟槽侧壁、底部以及所述晶圆的铝金属层；在所述铝金属层上形成保护层；在所述保护层上涂覆光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，以形成预设图形；以所述光刻胶层为掩膜去除暴露的保护层部分，以露出待去除的铝金属层；去除所述光刻胶层；以所述保护层作为掩膜层进行湿法刻蚀，去除所述待去除的铝金属层。本发明的半导体器件的制作方法，不会过多增加工艺的复杂性以及工艺的成本，而且可避免发生铝断裂问题，大大提高了良品率，相对降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN105762116A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201410785493.4
申请日：2014-12-16
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本申请公开了一种硅衬底、其制作方法及包括其的IPD器件。该硅衬底中掺杂有P型元素或N型元素，其中，硅衬底中还掺杂有碳元素，且碳元素与硅衬底中的间隙氧形成C-O复合体。将硅衬底中的间隙氧与掺入的碳元素形成热稳定性较好的C-O复合体，能够使间隙氧的浓度大大降低。这就有利于避免间隙氧在后期的多步热处理工艺中成为氧热施主，从而有利于使硅衬底在整个IPD器件制作工艺中保持稳定的电阻率，最终使器件保持稳定的性能。
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公开(公告)号：CN105448760A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410410248.5
申请日：2014-08-20
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供一种提高晶圆测试稳定性的方法，所述方法至少包括以下步骤：首先利用紫外光对晶圆表面进行照射清洗，以去除晶圆表面的杂质薄膜；再对所述晶圆进行烘烤，以去除晶圆表面的水分；最后对所述晶圆进行退火处理，所述退火处理在保护气体中进行，以保持晶圆性质的稳定。本发明的提高晶圆测试稳定性的方法能有效去除晶圆表面的AMC、水分、碳氢化合物等污染物，并阻止污染物再次黏附晶圆表面，避免晶圆表面的污染物给晶圆测试带来干扰、影响晶圆性能测试的结果，从而大大提高晶圆测试的稳定性。
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公开(公告)号：CN105448659A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410499431.7
申请日：2014-09-25
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种提高机台清洗效率的方法，包括以下步骤：提供一机台，所述机台包括有一腔室；在所述反应腔室内通入第一气体的同时，通入含O等离子体；通入惰性气体，以提升腔室内气体均匀性；通入第二气体，并进行多次充气和抽气的循环处理；通入NxHy气体。本发明在提升清洗效率的同时还提高了晶圆的良率，同时制程变动较小，实现成本较低，提高了经济效益。
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公开(公告)号：CN105084295A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410172282.3
申请日：2014-04-25
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆正面依次形成吸气层和阻挡层；在所述阻挡层上形成电子元件层；提供第二晶圆，所述第二晶圆的背面形成有凹槽；进行键合工艺，以将所述第一晶圆正面和所述第二晶圆背面相结合，形成密闭空腔。根据本发明提出的制作方法，在密闭空腔中形成新的防护结构，能使空腔的真空度得到很好的维持，进而提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104347548A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310335582.4
申请日：2013-08-02
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成硅通孔；在所述硅通孔的侧壁和底部形成铜导电层，以部分填充所述硅通孔；在所述硅通孔中形成应力吸收层，所述应力吸收层嵌入所述铜导电层中且顶部平整并低于所述硅通孔的顶部；在所述应力吸收层的顶部形成铜帽层，以完全填充所述硅通孔；执行化学机械研磨直至露出硅通孔的顶部。根据本发明，在硅通孔中填充应力吸收层，可以明显减小衬垫层、阻挡层、铜种子层和铜导电层之间界面处的内部应力，避免分层现象的出现。
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公开(公告)号：CN104347483A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310335580.5
申请日：2013-08-02
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/768 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/522
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成硅通孔；在所述硅通孔中依次形成第一应力吸收层和铜导电层，其中，位于所述硅通孔底部的铜导电层的顶部低于所述硅通孔的顶部，以部分填充所述硅通孔；形成第二应力吸收层，覆盖所述铜导电层的同时完全填充所述硅通孔；执行化学机械研磨直至露出硅通孔的顶部。根据本发明，在硅通孔中形成上述双层应力吸收层，可以明显减小衬垫层、阻挡层和铜导电层之间界面处的内部应力，避免分层现象的出现。
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公开(公告)号：CN104078352A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310103214.7
申请日：2013-03-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/02074 , H01L21/67023
摘要： 本发明提出一种晶圆清洗方法以及晶圆清洗装置，提供带有热量的去离子水，所述去离子水与所述刻铜液进行混合产生的热量与所述去离子水本身的热量均能够提高所述刻铜液对所述晶圆边缘表面的铜层进行刻蚀的效率，从而能够快速的去除所述晶圆边缘表面的铜层，避免所述刻铜液长时间的涂覆，可以有效的防治所述刻铜液溅射至所述晶圆的中心有铜区形成缺陷。
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公开(公告)号：CN107703722B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201610643230.9
申请日：2016-08-08
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要： 本发明公开了一种图案化光阻的形成方法，包括：提供一基底，在基底表面涂覆第一光阻层；对第一光阻层进行第一次曝光、显影，形成第一子图案和若干个沟槽，并且对所述第一子图案进行第一次加热固化处理；在沟槽中形成一牺牲区域，然后去除牺牲区域；涂覆第二光阻层，第二光阻层填充沟槽，并覆盖第一子图案；对第二光阻层进行第二次曝光、显影，在第一子图案上形成第二子图案。本发明通过在基底上至少分两步涂覆图案化光阻，相应的至少分两次进行曝光工艺，形成的子图案的结构理想；而且在去除牺牲区域的时候可以改善第一子图案的表面形貌，使得第一子图案的结构更加稳固和均匀，能够得到具有理想图案的图案化光阻的结构，可以提高器件的可靠性。
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