公开(公告)号：CN103594338B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201210292591.5

申请日：2012-08-16

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 张彬 ,  鲍宇 ,  邓浩

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，且所述栅极结构两侧形成有紧靠所述栅极结构的偏移间隙壁结构；在所述栅极结构之间的半导体衬底中形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中形成第一锗硅层；去除所述第一锗硅层的中间部分以形成凹槽；在所述凹槽中形成第二锗硅层。根据本发明，可以解决形成的嵌入式锗硅结构中出现的层错缺陷减弱其向所述器件沟道区施加的应力的问题，进而增大嵌入式锗硅结构对所述器件沟道区施加的应力。

公开(公告)号：CN103594368B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201210290649.2

申请日：2012-08-15

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 鲍宇 ,  平延磊

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

摘要： 本发明提供一种半导体器件制造方法，通过回刻蚀硬掩膜层工艺形成第一开口，通过在第一开口中的内侧墙、刻蚀硬掩膜层、沉积第二多晶硅层以及去除硬掩膜层等步骤，形成了具有第一多晶硅层和第二多晶硅层堆叠成的倒置“T”型或哑铃状的新的多晶硅栅极的半导体器件，其用于接触金属以形成自对准硅化物的多晶硅表面积大于第一多晶硅层的上表面面积，进而形成更大面积区域的自对准硅化物，降低栅极电阻；本发明还提供一种半导体器件，其多晶硅栅极呈倒置“T”型或哑铃状，其用于接触金属以形成自对准硅化物的多晶硅表面积大于第一多晶硅层的上表面面积，进而形成更大面积区域的自对准硅化物，降低栅极电阻。

公开(公告)号：CN102956557B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201110242462.0

申请日：2011-08-23

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 鲍宇 ,  邓浩 ,  张彬 ,  平延磊

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/265

摘要： 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：a）提供半导体衬底，半导体衬底上形成有位于NMOS区域的第一栅极和位于PMOS区域的第二栅极；b）在NMOS区域和PMOS区域形成侧墙氧化物层和位于侧墙氧化物层上的高应力氮化物层；c）在PMOS区域的高应力氮化物层中掺杂锗；d）对高应力氮化物层进行刻蚀，以在第一栅极和第二栅极的两侧形成侧墙；以及e）执行退火工艺。本发明在减少工艺步骤的前提下，提高了NMOS区域中沟道区域的载流子迁移率，改善了NMOS器件的电学性能，并且不会对PMOS器件的电学性能产生影响。此外，由于根据本发明的方法未对高应力氮化物层分别进行刻蚀，因此保证其在NMOS区域和PMOS区域的厚度相同，进而避免对后续工艺产生不利影响。

公开(公告)号：CN103296068B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201210054248.7

申请日：2012-03-02

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 鲍宇

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L27/092 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238

摘要： 一种CMOS及其形成方法，其中所述CMOS，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面具有第一鳍部，所述第一鳍部的掺杂类型为N型，所述第二区域的半导体衬底表面具有第二鳍部，所述第二鳍部的掺杂类型为P型；位于所述第一鳍部底部两侧的第一侧墙；位于所述第一鳍部顶部两侧的第二侧墙，所述第二侧墙具有拉应力；位于所述第二鳍部底部两侧的第三侧墙，所述第三侧墙具有拉应力；位于所述第二鳍部顶部两侧的第四侧墙。本发明的CMOS减小了器件的漏电流。

公开(公告)号：CN103094085B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201110338864.0

申请日：2011-10-31

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 鲍宇

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8238

摘要： 一种CMOS形成方法，包括：在所述第一区域和第二区域的半导体衬底表面形成栅介质层；在所述第一区域的栅介质层表面形成第一多晶硅层，在所述第二区域的栅介质层表面形成第二多晶硅层；在所述半导体衬底表面形成与所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层表面齐平的介质层；所述介质层表面形成第一金属层，所述第一金属层覆盖所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层；形成覆盖所述第一区域的第一金属层表面的隔离层；在所述第一区域的隔离层表面和第二区域的第一金属层表面形成第二金属层；采用退火工艺在所述第一多晶硅层内形成第一金属硅化物层，在所述第二多晶硅层内形成第二金属硅化物层。本实施例不需要多步沉积和刻蚀，节约了工艺步骤。

公开(公告)号：CN103515318B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210206298.2

申请日：2012-06-20

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖海波 ,  鲍宇 ,  平延磊

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/28

摘要： 本发明揭示了一种CMOS全硅化物金属栅制备方法，该方法包括：提供基底，基底具有第一多晶硅栅极和第二多晶硅栅极，在基底上沉积电介质层，去除部分电介质层，分别在第一多晶硅栅极和第二多晶硅栅极上形成开口，第一多晶硅栅极上的开口的尺寸小于第二多晶硅栅极上的开口的尺寸，沉积金属层，在第一多晶硅栅极上的开口中沉积的金属层的厚度小于在第二多晶硅栅极上的开口中沉积的金属层的厚度，进行第一次热退火并去除未反应的所述金属层，进行第二次热退火，形成具有不同的金属浓度但相同的高度的第一全硅化物金属栅极和第二全硅化物金属栅极，得到不同功函数金属栅极。该制备工艺简单，有利于降低生产成本。

公开(公告)号：CN103094113B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201110338452.7

申请日：2011-10-31

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 鲍宇 ,  平延磊

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

摘要： 一种NMOS形成方法及CMOS形成方法，其中NMOS形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有栅介质层和栅多晶硅层；所述半导体衬底表面、栅介质层和栅多晶硅层的两侧形成有侧墙；在半导体衬底表面形成金属层，所述金属层覆盖侧墙、栅多晶硅层；在所述金属层表面形成覆盖层；采用退火工艺在所述栅多晶硅层内形成金属硅化物层；去除覆盖层、未反应的金属层；对所述金属硅化物层进行退火。本发明实施例的NMOS形成方法及CMOS形成方法形成的产品质量优良。

公开(公告)号：CN103021837B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110296697.8

申请日：2011-09-27

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 张彬 ,  鲍宇 ,  邓浩

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  H01L21/311 ,  H01L21/027

摘要： 本发明提供一种处理无定形碳层的方法，所述方法包括对形成的无定形碳层进行紫外线处理；其中，在300-550℃的温度条件下、氦气(He)环境中，进行所述紫外线处理。本发明还提供一种高厚度无定形碳层的形成方法，以及利用上述无定形碳层制作半导体器件的方法。本发明通过对形成的无定形碳层进行紫外线处理，以去除无定形碳层内的大颗粒惰性气体原子，从而可以改善无定形碳层质量。

公开(公告)号：CN103117213B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201110363056.X

申请日：2011-11-16

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 鲍宇 ,  平延磊 ,  肖海波

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/283

摘要： 本发明公开了一种金属栅极形成方法，包括：在衬底上形成牺牲层；对牺牲层进行刻蚀形成侧壁倾斜的沟槽，且沟槽开口宽度大于所露出的衬底宽度；在沟槽的侧壁上形成隔离侧墙，且沟槽开口宽度大于所露出的衬底宽度；在沟槽内依次形成伪多晶硅栅极和阻挡层；去除牺牲层，并形成主侧墙；去除阻挡层和伪多晶硅栅极，形成沟槽；在沟槽中所露出的衬底上依次形成栅介质层和金属层，以形成金属栅极。本发明在金属栅极形成的过程中，将沟槽的侧壁制作成开口宽度大于所露出的衬底宽度的倒梯形形状，使得在后续的金属层形成过程中在沟槽开口上附着的金属不会导致沟槽开口过小而阻碍金属向沟槽内部进行沉积，保证了金属栅极的可靠性和良好的半导体器件性能。

公开(公告)号：CN102790009B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201110126350.9

申请日：2011-05-16

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 鲍宇 ,  平延磊

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 一种降低铜电镀工艺中边缘效应的方法及其对应的铜互连结构制造方法。其中，降低铜电镀工艺中边缘效应的方法包括：在基底表面形成第一金属籽晶层；对所述第一金属籽晶层进行退火处理；在所述第一金属籽晶层表面形成第二金属籽晶层；在所述第二金属籽晶层表面形成铜金属层。本发明在阻挡层表面形成两层金属籽晶层，并对所述第一金属籽晶层进行退火处理，经过退火处理后所述第一金属籽晶层的金属晶粒会凝集成团，晶界数目变少，第一金属籽晶层的电阻减小，从而使得第一金属籽晶层和第二金属籽晶层的总电阻也减小，降低了铜电镀工艺中的边缘效应。